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国家自然科学基金(60644005)
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山口十六夫
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高玉竹
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2007
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熔体外延法生长截止波长8~12μm InAs1-xSbx单晶的透射光谱
2007年
用熔体外延法在InAs衬底上成功地生长了截止波长为8~12mm的InAs1-xSbx单晶.用红外光谱仪测量了样品的透射光谱.提出了组分微观分布函数的概念,并计算了InSb单晶和3种不同组分InAs1-xSbx样品的透射光谱.结果表明,实验测得的样品截止波长与计算得到的数据基本一致,从而证实了熔体外延法生长的InAs1-xSbx单晶的禁带宽度变窄现象,并认为组分微观分布的不均匀性可能影响Ⅲ-Ⅴ族混晶的能带结构.
高玉竹
龚秀英
山口十六夫
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截止波长
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