国家高技术研究发展计划(2007AA05Z461)
- 作品数：4 被引量：10H指数：2
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- 相关领域：动力工程及工程热物理理学金属学及工艺电气工程更多>>
- 中频交流磁控溅射制备氧化锌铝(ZAO)薄膜的研究
- 利用两种中频交流磁控溅射电源,溅射Al2O3含量为2%的两块氧化锌铝陶瓷靶材,在不同衬底温度的条件下制备得到了ZAO薄膜。研究了不同衬底温度条件下不同靶材和溅射电源对ZAO薄膜结构、电学和光学性能的影响。结果表明,制备得...
- 刘江庄大明张弓李春雷段宇波
- 关键词：ZAO薄膜磁控溅射电阻率透过率
- 文献传递
- 中频交流磁控溅射制备氧化锌铝(ZAO)薄膜的研究被引量：4
- 2010年
- 利用两种中频交流磁控溅射电源,溅射Al2O3含量为2%的两块氧化锌铝陶瓷靶材,在不同衬底温度的条件下制备得到了ZAO薄膜。研究了不同衬底温度条件下不同靶材和溅射电源对ZAO薄膜结构、电学和光学性能的影响。结果表明,制备得到的ZAO薄膜均具有c轴择优取向生长的晶体结构,在衬底温度为240℃时,得到的ZAO薄膜的电阻率低至1.4×10-3Ω·cm,可见光平均透过率在82%以上。
- 刘江庄大明张弓李春雷段宇波
- 关键词：ZAO薄膜磁控溅射电阻率透过率
- 溅射参数对CuInGa预制膜成分和结构的影响被引量：1
- 2010年
- 作为CIGSe太阳能电池重要组成部分的CIGSe吸收层可以采用预制膜+硒化两步法制备。文中采用磁控溅射方法制备了成分均匀、具有一定成分比例的CuIn、CuGa、CuInGa预制膜。X射线荧光分析(XRF)结果显示随着溅射电流的增加,CuIn预制膜的Cu/In原子比减小,CuGa预制膜的Cu/Ga原子比保持不变;X射线衍射分析(XRD)结果表明CuIn、CuInGa预制膜主要由Cu2In、CuIn、In相组成,Ga元素以固溶的形式存在于CuInGa预制膜中。对于CuIn预制膜,随着溅射电流的增加,薄膜中的Cu2In相逐渐向CuIn转变。
- 李春雷庄大明张弓宋军
- 关键词：太阳能电池CIGSE磁控溅射
- 预制膜硒化法制备的CIGSe薄膜成分分布研究
- 本文采用磁控溅射的方法制备Glass\CuIn\CuGa结构的CIG预制膜,采用固态硒源硒化法制备CIGSe薄膜。利用AES分析方法对比研究了CIG预制膜和CIGSe薄膜中Cu、In、Ga三种元素深度方向分布的不同,并采...
- 李春雷庄大明张弓刘江宋军
- 关键词：铜铟镓硒太阳能电池
- 文献传递
- 两步法制备的CuInGaSe_2薄膜中Ga的富集现象
- 2011年
- 采用预制膜硒化两步法制备CIGSe薄膜,采用X射线衍射方法分析薄膜的结构,采用荧光光谱分析和俄歇电子能谱分析方法检测分析薄膜的成分。研究结果表明CIGSe薄膜中Ga元素以置换原子的形式存在于CuInSe2相中,并且Ga具有背电极富集现象。富集现象弱化了Ga元素对禁带宽度的提高作用,并且由于薄膜背电极侧Ga含量过高导致背电极处缺陷浓度增加,从而降低了CIGSe薄膜的质量。结合Zhang等对CuInSe2和CuGaSe2中缺陷对生成能的理论计算,本文认为较高的2VCu-GaCu缺陷对形成能造成了Ga元素的背电极富集现象。
- 李春雷庄大明张弓刘江宋军
- 关键词：太阳能电池铜铟镓硒两步法
- 溅射参数对CuInGa预制膜成分和结构的影响
- 作为CIGSe太阳能电池重要组成部分的CIGSe吸收层可以采用预制膜+硒化两步法制备。本文采用磁控溅射方法制备了成分均匀、具有一定成分比例的CuIn、CuGa、CuInGa预制膜。X射线荧光分析(XRF)结果显示随着溅射...
- 李春雷庄大明张弓宋军
- 关键词：CIGSE磁控溅射太阳能电池
- 文献传递
- Cu/In原子比及硫化温度对于CuInS_2薄膜性能影响被引量：5
- 2009年
- 采用中频交流磁控溅射方法,在玻璃基底上沉积Cu-In预制膜,采用固态硫化法制备获得了CuInS2(CIS)吸收层薄膜。考察了预制膜Cu/In原子比及硫化温度对于CIS薄膜结构及禁带宽度影响。通过XRD及Raman光谱分析了薄膜结构,通过近红外透过曲线得出薄膜禁带宽度。结果表明,随着预制膜中Cu与In原子比(Cu/In)及硫化温度不断升高,薄膜CuAu(CA)相含量逐渐降低,黄铜矿(CH)相逐渐升高,薄膜结晶性逐渐改善。600℃以上硫化时薄膜中主要存在CH相CuInS2。薄膜禁带宽度随着预制膜中Cu/In原子比及硫化温度不断升高而升高,Cu/In原子比为1.05,硫化温度为500℃时薄膜禁带宽度可达1.40eV。
- 杨宇张弓庄大明
- 关键词：太阳能电池CIS薄膜硫化温度
