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江苏省基础研究计划(BK2012869)

作品数:5 被引量:18H指数:2
相关作者:朱宪忠赵春宝杨绪杰苏磊许斌更多>>
相关机构:南京信息职业技术学院南京理工大学东南大学更多>>
发文基金:江苏省基础研究计划江苏省高等学校大学生实践创新训练计划项目江苏省“青蓝工程”基金资助项目更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信理学金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇性能研究
  • 2篇树脂
  • 2篇氰酸
  • 2篇氰酸酯
  • 2篇氰酸酯树脂
  • 1篇导热
  • 1篇导热系数
  • 1篇电池
  • 1篇电路
  • 1篇电路设计
  • 1篇电器
  • 1篇氧化石墨
  • 1篇氧化锌
  • 1篇氧化锌晶须
  • 1篇熔点
  • 1篇润湿
  • 1篇润湿性
  • 1篇石榴石
  • 1篇石墨
  • 1篇手机

机构

  • 5篇南京信息职业...
  • 2篇南京理工大学
  • 1篇东南大学

作者

  • 3篇朱宪忠
  • 2篇苏磊
  • 2篇杨绪杰
  • 2篇赵春宝
  • 1篇杨奇
  • 1篇秦玉芳
  • 1篇周一航
  • 1篇张琼
  • 1篇许斌
  • 1篇储成林
  • 1篇汪信
  • 1篇张彦娜
  • 1篇彭海林
  • 1篇史欢欢

传媒

  • 1篇化工新型材料
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇电子世界
  • 1篇热加工工艺
  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2015
  • 3篇2013
  • 1篇2012
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
氰酸酯树脂/氧化石墨片复合材料的制备与性能研究
2013年
采用十二胺对氧化石墨片进行表面改性,通过红外光谱(FT-IR)、X射线衍射(XRD)和核磁共振谱(NMR)对改性后的氧化石墨片(GO-DDA)结构进行表征。将GO-DDA引入氰酸酯树脂体系,制备了氰酸酯(CE)/氧化石墨片复合材料,着重研究了GO-DDA用量对氰酸酯固化反应及复合材料导热与绝缘性能的影响。DSC结果表明,GO-DDA对氰酸酯树脂固化反应有明显的促进作用,可降低树脂的固化温度。复合材料的热导率和体积电阻率测试结果表明,GO-DDA的加入能显著提高氰酸酯树脂的导热性能,当GO-DDA加入量为1.0%时,复合材料的热导率比纯CE树脂材料提高了48%,而且复合材料仍具有良好的电绝缘性能。复合材料的SEM结果表明,少量GO-DDA的加入还有利于改善复合材料的断裂韧性。
赵春宝苏磊杨绪杰汪信
关键词:氰酸酯树脂氧化石墨复合材料表面改性
氰酸酯树脂/氧化锌晶须复合材料的制备与性能研究被引量:2
2013年
采用硅烷偶联剂对氧化锌晶须(ZnOw)进行了表面改性,并制备了氰酸酯树脂/氧化锌晶须复合材料。研究了ZnOw含量对复合材料的导热性能、电绝缘性能的影响,并运用扫描电子显微镜对材料的断面形貌进行了观察。结果表明,少量ZnOw的加入能有效改善复合材料的导热性能,且复合材料仍具有电绝缘和较低介电常数特性。其中,当晶须的体积分数达到11.7%时,复合材料的导热系数为0.79W·m-1·K-1,为纯树脂材料的2.7倍。
赵春宝苏磊秦玉芳杨绪杰
关键词:氰酸酯树脂氧化锌晶须导热系数体积电阻介电常数
太阳能手机充电器的电路设计被引量:12
2012年
采用MC34063、GM3583、SC801和LM2596等集成电路,设计了一种太阳能手机充电电路。该电路主要由太阳能充电器电路、锂电池保护电路、交流(市电)充电电路和内部蓄电池充电电路组成,可利用太阳能或市电进行机充或座充两种模式的充电,以达到节能环保之目的。
朱宪忠许斌周一航杨奇张琼
关键词:太阳能充电器手机锂电池
微量Ag对Sn-0.7Cu-3Bi焊料微观组织及性能的影响
2013年
在Sn-0.7Cu-3Bi焊料的基础上,掺加不同比例的Ag元素,形成Sn-0.7Cu-3Bi-xAg合金,研究不同掺量的Ag对Sn-0.7Cu-3Bi焊料的熔化温度、润湿性及焊接接头的微观组织形貌的影响。结果表明:添加微量Ag能够降低焊料的熔点,但会导致增大其熔程;Ag掺量(wAg)为0.3%时,急剧降低了Sn-0.7Cu-3Bi焊料的润湿性,虽然后续随Ag掺量的继续增加,润湿性逐渐变好,但效果不理想;Ag掺量为0.3%时,焊接接头接触不良,界面化合物厚度极薄,后续随Ag掺量的继续增加,界面化合物厚度有所增厚,但当Ag掺量为0.7%时,界面化合物的晶体颗粒尺寸较大。
张彦娜彭海林史欢欢朱宪忠
关键词:SN熔点润湿性
Tb^(3+)在Lu_3Ga_5O_(12)中的光致发光性质及浓度猝灭机制被引量:4
2015年
采用高温固相合成法在还原气氛中制备了(Lu1–xTbx)3Ga5O12荧光粉,研究了其晶体结构、光致发光性能以及Tb3+掺杂浓度对荧光粉性能的影响规律与机制。研究表明:荧光粉具有石榴石型晶体结构,当x增加时,晶格膨胀。荧光粉的激发光谱由归属于Tb3+的4f 8→4f 7 5d1跃迁的A、B两个宽激发带以及归属于4f 8→4f 8跃迁的一些窄谱峰构成;随x的增加,A、B带发生红移,带间距缩小。在紫外光激发下,荧光粉发射绿光;发射光谱对应于Tb3+的5D4→7FJ和5D3→7FJ跃迁,其中5D4→7F5跃迁发射最强。5D4→7FJ各跃迁发射的浓度猝灭以交互作用为主,猝灭浓度xm=0.08。与5D4→7FJ跃迁相比,5D3→7FJ猝灭浓度低,猝灭机制以电偶极–电偶极相互作用下交叉弛豫为主。
朱宪忠储成林
关键词:光致发光浓度猝灭
共1页<1>
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