国家高技术研究发展计划(2003AA305860)
- 作品数：2 被引量：4H指数：1
- 相关作者：张保顺赵连城熊丽李美成李林更多>>
- 相关机构：哈尔滨工业大学长春理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 不同厚度对分子束外延生长GaSb薄膜的影响被引量：4
- 2008年
- 采用分子束外延(MBE)在GaAs衬底上生长GaSb薄膜,为了减小因晶格失配度较大所引起的位错密度,采用低温GaSb作为缓冲层。通过X射线双晶衍射仪和原子力显微镜分析得出,当低温GaSb缓冲层的厚度为20nm时,GaSb外延层中的位错密度最小,晶体质量最好。此外,缓冲层和外延层的厚度共同对GaSb薄膜晶体质量和表面形貌产生影响。
- 熊丽李美成邱永鑫张保顺李林刘国军赵连城
- 关键词：分子束外延GASB缓冲层厚度
- 缓冲层生长速率对GaSb薄膜二维生长的影响
- 2007年
- 用分子束外延(MBE)法在GaAs(100)衬底上生长GaSb薄膜,得到了GaSb薄膜的优化生长工艺条件。为了降低因晶格失配度较大所引起的位错密度,采用低温(LT)GaSb作为缓冲层,研究了缓冲层的生长速率对GaSb薄膜二维生长的影响,并以此说明缓冲层在GaSb薄膜生长中所起的作用。通过X射线双晶衍射仪和原子力显微镜测试分析,得到当低温GaSb缓冲层的生长速率为1.43μm/h时,GaSb外延层中的位错密度最小,晶体质量最好。
- 熊丽李美成邱永鑫张保顺李林刘国军赵连城
- 关键词：分子束外延GASB缓冲层生长速率
