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国家杰出青年科学基金(11104226)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：刘红侠魏岚唐金龙李斌温才更多>>
相关机构：西南科技大学西安电子科技大学更多>>
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相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇低场
  • 1篇迁移
  • 1篇迁移率
  • 1篇迁移率模型
  • 1篇自加热
  • 1篇自加热效应
  • 1篇绝缘层
  • 1篇绝缘层上硅
  • 1篇GP

机构

  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇西南科技大学

作者

  • 1篇温才
  • 1篇李斌
  • 1篇唐金龙
  • 1篇魏岚
  • 1篇刘红侠

传媒

  • 1篇浙江大学学报...

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
新器件结构SGOI低场迁移率模型及数值分析
2013年
为了减小绝缘层上硅锗(SGOI)自加热和短沟道效应,提出新型的双台阶式埋氧SGOI n型金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFET).在该器件结构中,采用双台阶式埋氧结构来减小自加热效应,引入接地层(GP)用于减小漏致势垒降低(DIBL).建立应变硅器件的低场迁移率模型并嵌入到器件模拟器Sentaurus Device中.在不同的沟道应变情况下,分析自加热效应随埋氧层的厚度以及短沟道效应随栅长的变化关系.模拟结果表明,相对于Ge组分为0的情况下,Ge组分为0.4的SGOI器件的输出电流提升了至少50%.随着沟道下方埋氧厚度从100nm减小到10nm,自加热温度减小超过60℃;当引入接地层后,DIBL效应减小超过25%,泄漏电流在很大程度上得到抑制.
李斌陈安生刘红侠温才魏岚唐金龙
关键词：自加热效应
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