国家自然科学基金(59831340)
- 作品数：7 被引量：10H指数：3
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- 硼碳氮薄膜的内应力研究被引量：2
- 2006年
- 采用射频磁控溅射技术制备出硼碳氮(BCN)薄膜。傅里叶红外吸收光谱(FTIR)测量发现样品的组成原子之间实现了原子级化合,扫描电子显微镜(SEM)测量发现样品与衬底间存在较大的内应力。样品剥落后,应力的消除使红外吸收峰向低波数移动。实验还发现,对新制备的硼碳氮薄膜进行600℃热处理能有效释放薄膜中的压应力。
- 王玉新冯克诚吴云赵永年
- 关键词：射频磁控溅射硼碳氮薄膜内应力
- FTIR法研究BCN薄膜的内应力被引量：3
- 2008年
- 采用射频磁控溅射技术，用六角氮化硼和石墨为溅射靶，以氩气（Ar）和氮气（N2）为工作气体，在Si（100）衬底上制备出硼碳氮（BCN）薄膜。利用傅里叶变换红外光谱（FTIR）考察了不同沉积参数（溅射功率为80～130W、衬底温度为300-500℃、沉积时间为1～4h）条件下制备的薄膜样品。实验结果表明，所制备薄膜均实现了原子级化合。并且沉积参数对BCN薄膜的生长和内应力有很大影响，适当改变沉积参数能有效释放BCN薄膜的内应力。在固定其他条件只改变一个沉积参数的情况下，得到制备具有较小内应力的硼碳氮薄膜的最佳沉积条件：溅射功率为80W、衬底温度为400℃、沉积时间为2h。
- 王玉新郑亚茹宋哲冯克成赵永年
- 关键词：射频磁控溅射硼碳氮薄膜傅里叶变换红外光谱内应力
- 硼碳氮薄膜的制备及其光透过性质研究被引量：3
- 2007年
- 利用射频磁控溅射方法以不同的氮气分压比（1/10-2/3）在玻璃衬底上制备出一组硼碳氮薄膜.傅里叶变换红外光谱测量发现样品的组成原子之间均实现了原子级化合.氮气分压比对薄膜的组分和透过率有很大影响,其通过改变薄膜组分而影响透过率,并且碳原子数小的样品具有较高的透过率.
- 王玉新郑亚茹冯克成
- 关键词：射频磁控溅射硼碳氮薄膜傅里叶变换红外光谱透过率
- 射频功率对硼碳氮薄膜的组分和厚度的影响
- 2008年
- 利用射频磁控溅射方法以不同的射频功率（80～130W）在硅衬底上制备出一组硼碳氮（BCN）薄膜．傅里叶红外吸收光谱（FTIR）和X射线光电子能谱（XPS）测量发现样品的组成原子之间均实现了原子级化合．射频功率对薄膜的组分和厚度有很大影响，二者随射频功率的增大而呈规律性变化．B、N元素含量高、C元素含量低的硼碳氮薄膜较厚．并且，射频功率为110W条件下制备的硼碳氮薄膜中C元素含量最低，薄膜最厚．
- 王玉新郑亚茹宋哲冯克成
- 关键词：射频磁控溅射硼碳氮薄膜X射线光电子能谱射频功率
- BC_xN薄膜的紫外透过光谱研究被引量：4
- 2006年
- 利用射频磁控溅射方法以不同的溅射功率(80～130W)制备出具备紫外增透性能的BCN,BC2N和BC3N薄膜。傅里叶红外吸收光谱和X射线光电子能谱测量发现样品的组成原子之间均实现了原子级化合。溅射功率对薄膜的组分和紫外增透性能有很大影响,其通过改变薄膜组分而影响紫外增透性能,且碳原子数小的样品紫外增透性能好。以110W条件下制备的BCN薄膜中碳原子数最小,它的紫外增透性能最好,在200～350nm波段附近平均透过率比玻璃提高了将近40%。
- 王玉新冯克成李英爱李卫青刘丽华赵春红赵永年
- 关键词：硼碳氮薄膜透过率增透膜X射线光电子能谱
- 射频磁控溅射制备硼碳氮薄膜被引量：3
- 2007年
- 采用射频磁控溅射技术,用六角氮化硼和石墨为溅射靶,以氩气(Ar)和氮气(N2)为工作气体,在Si(100)衬底上制备出硼碳氮薄膜。通过X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)等分析手段对样品结构、组分进行了分析。结果表明,样品的组成原子之间实现了原子级化合,且薄膜为乱层石墨结构。样品中B、C、N的原子比近似为1∶1∶1。
- 王玉新冯克成张先徽王兴权赵永年
- 关键词：射频磁控溅射硼碳氮薄膜红外吸收光谱
- 沉积参量对硼碳氮薄膜光透过性质的影响被引量：2
- 2008年
- 采用射频磁控溅射技术，用六角氮化硼和石墨为溅射靶，以氩气（Ar）和氮气（N2）为工作气体，在玻璃衬底上制备出硼碳氮（BCN）薄膜。通过改变氮气分压比、衬底温度及沉积时间，研究了沉积参量对薄膜光透过性质的影响。利用X射线光电子能谱（XPS）、原子力显微镜（AFM）及可见-近红外透过光谱对薄膜进行了表征。实验结果表明，所制备薄膜在400～1000nm波段具有较高透过率。并且沉积参量对BCN薄膜的透过性能有很大影响，适当改变沉积参量能获得透过率高于90％的BCN薄膜。在固定其它条件只改变一个沉积参量的情况下，得到制备具有较高透过率的BCN薄膜的最佳沉积条件：氮气分压比为1／3、沉积温度为300℃、沉积时间为1h。
- 王玉新郑亚茹宋哲冯克成
- 关键词：硼碳氮薄膜射频磁控溅射
