黑龙江省杰出青年科学基金(2004793)
- 作品数：5 被引量：30H指数：3
- 相关作者：宋晓国曹健冯吉才王义峰郑祖金更多>>
- 相关机构：哈尔滨工业大学黑龙江工程学院更多>>
- 发文基金：黑龙江省杰出青年科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺更多>>
- Si_3N_4陶瓷连接技术研究进展被引量：3
- 2011年
- Si_3N_4陶瓷的连接技术作为其广泛使用的重要前提,受到了国内外学者的广泛关注。文中概述了近年来国内外几种Si_3N_4陶瓷与自身及其它金属材料的连接技术,涉及的连接方法包括活性金属钎焊、固相扩散连接、瞬时液相扩散连接和玻璃焊接,重点介绍了Si_3N_4陶瓷连接时的接头界面结构、连接机理及接头质量。
- 冯吉才宋晓国曹健王义峰
- 关键词：SI3N4陶瓷钎焊瞬时液相扩散连接
- S_3iN_4/Ni/TiAl扩散连接接头界面结构及性能被引量：9
- 2011年
- 采用厚度为80μm的镍中间层实现了Si3N4陶瓷和TiAl合金的扩散连接.采用扫描电镜(SEM),能谱检测(EDS)等分析方法确定了TiAl/Ni/Si3N4扩散焊接头的典型界面结构为TiAl/Al5Ni2Ti3/AlNi2Ti/Ni3(Ti,Al)/Ni(s,s)+Ni3Si/Si3N4.重点分析了连接温度对接头界面结构及力学性能的影响规律.结果表明,随着温度的升高,TiAl/Ni界面处元素互扩散速率逐渐加快,导致各化合物层厚度增加.同时,Si3N4与镍的反应加快致使在Si3N4/Ni界面处出现孔洞;连接温度过高时,易在该孔洞区产生裂纹.当连接温度1 000℃,保温时间2 h时接头抗剪强度达到最大为104.2 MPa.压剪过程中,裂纹起裂于SiN/Ni界面处,随后向SiN侧扩展并最终断裂于陶瓷母材.
- 曹健宋晓国王义峰冯吉才
- 关键词：TIAL合金
- TiNi-V共晶钎料钎焊Si_3N_4陶瓷接头界面结构及性能被引量：3
- 2012年
- 采用真空电弧熔炼技术制备了TiNi-V高温共晶钎料合金,研究了该钎料在Si3N4陶瓷表面的铺展行为.随后采用TiNi-V钎料实现了Si3N4陶瓷的钎焊连接,利用SEM,EDS以及XRD等分析方法,确定了接头的典型界面结构为:Si3N4/TiN+Ti-Si化合物/NiV.重点研究了钎焊温度对接头界面结构及力学性能的影响.结果表明,随着钎焊温度的升高,熔融钎料与Si3N4陶瓷反应程度增加,导致钎缝中TiN+Ti-Si化合物层厚度不断增加,且在接头残余应力的作用下形成了大量显微裂纹,降低了接头性能.当钎焊温度为1 200℃,钎焊时间为10 min时,接头室温抗剪强度达到最大为28 MPa.断口分析显示接头断裂于TiN+Ti-Si化合物层为脆性断裂.
- 王国星宋晓国陈海燕李扬曹健
- 关键词：钎焊SI3N4陶瓷
- 连接温度对GH4169合金TLP接头界面组织和性能的影响被引量：4
- 2012年
- 采用50μm厚的Ni82CrSiB非晶箔片为中间层,通过瞬时液相扩散连接(TLP)方法实现GH4169合金的连接。研究TLP接头的界面组织结构,重点分析连接温度对接头界面组织和力学性能的影响规律。结果表明:GH4169合金TLP接头由等温凝固区(ISZ)和扩散区(DZ)组成。等温凝固区为单相镍基固溶体,B元素向母材的扩散导致在扩散区内晶界处形成大量的针棒状硼化物。随着连接温度的升高,扩散区厚度逐渐增加,而等温凝固区厚度基本保持不变。当连接温度为1 120℃、连接时间为2 h时,接头室温及高温(600℃)抗拉强度最高,分别为692和599 MPa,为母材强度的82%和71%。断口分析结果表明:随连接温度的升高,室温拉伸时接头断裂位置由等温凝固区逐渐转向扩散区,而高温拉伸时接头均在等温凝固区发生断裂。
- 宋晓国曹健冯吉才窦冬柏金贵东
- 关键词：GH4169合金瞬时液相扩散连接连接温度断口分析
- 扩散时间对DD6单晶高温合金TLP接头界面组织的影响被引量：13
- 2011年
- 采用厚度30μm的商用BNi2钎料为中间层,在钎焊温度1 100℃,保温时间20 min条件下实现了DD6单晶高温合金的TLP连接.研究了在温度1 180℃不同扩散时间对DD6单晶高温合金TLP接头界面组织的影响规律,重点分析了接头区域合金元素随扩散时间的分布规律.结果表明,随着扩散时间的延长,接头界面处形成的针棒状硼化物逐渐溶解并消失;长时间扩散后,DD6母材中γ′相不断长大并相互连接,形成网状组织;Al,Si元素经16 h扩散处理后在焊缝和母材中基本实现均匀化,Co,Cr元素由于扩散速度较小,均匀化程度较差,而W,Re是难熔合金元素,由于其扩散速率最小,很难实现其在接头区域的均匀化.
- 曹健宋晓国郑祖金冯吉才
- 关键词：单晶高温合金扩散
