国家自然科学基金(51205149)
- 作品数：3 被引量：8H指数：2
- 相关作者：张强唐斌冉曾令罗强夏泽民更多>>
- 相关机构：电子科技大学西南石油大学华中科技大学更多>>
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- 受约束的稀疏光束法平差在相机标定中的应用被引量：5
- 2015年
- 直接用稀疏的光束法平差(SBA)优化张正友单相机标定算法结果会得到多组不同的相机内部参数和畸变参数(统称相机参数)。本文在SBA数学模型的基础之上增加了相机参数相等的约束,建立了一种受约束的稀疏光束法平差(CSBA)模型,提出了一种新的矩阵分块策略,提高了稀疏线性方程组的求解效率。运用模拟实验,验证了CSBA算法在图像特征点像素坐标不具备零均值高斯误差时也能得到唯一的优化相机参数。最后将所提CSBA算法应用于双目立体视觉系统,实测实验结果表明,所提算法能够同时优化立体视觉中的相机内外部参数并提高三维重建结果的精度。
- 夏泽民李中伟钟凯
- 关键词：矩阵分块摄像机标定
- 掺P石墨烯结构和电子性质的第一性原理研究被引量：3
- 2014年
- 基于密度泛函理论第一性原理,在广义梯度近似下,本文研究本征石墨烯和掺杂不同浓度P的石墨烯结构和电子性质并发现本征石墨烯禁带宽度为零;对于P∶C掺杂比分别为1∶17、1∶7、1∶1的石墨烯,其P-C键长由0.142nm的C-C键分别增大为0.1629 nm、0.1625 nm、0.1751 nm,其对应带隙分别由零带隙变为0.28 eV、0.44 eV、1.21eV:费米能级逐渐下降。分析分波态密度后发现,在掺P石墨烯中主要为P原子的3p态电子影响其总态密度。
- 唐斌罗强张强伍振海冉曾令
- 关键词：第一性原理石墨烯电子性质态密度
- Ⅳ族FCC晶体基态结构和电子性质第一性原理研究
- 2015年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,在广义梯度近似下,计算了Ⅳ族元素晶体的面心立方结构和电子性质.结果表明:Ⅳ族元素晶体的面心立方结构均可存在,面心立方结构Ge晶体的结合能最大,结构最稳定;面心立方结构C、Si、Ge和Sn的晶格常数分别为0.3509nm、0.4322nm、0.4225nm、0.4903nm,不随原子序数的增加而单调增加,是由面心立方锗晶体比面心立方硅晶体中电子云交叠小,产生的排斥较弱所导致的;面心立方结构C晶体是间接能隙为6.5e V的宽禁带半导体,面心立方结构Si晶体的导带和价带存在较小的交叠而呈现出半金属性,面心立方结构Ge和Sn的电子结构相似均表现为金属性,Ⅳ族元素面心立方结构晶体的电学性质由宽禁带半导体向金属转变.
- 罗强易凤莲张强唐斌邱毅冉曾令
- 关键词：第一性原理态密度能隙
