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陕西省科技攻关计划(2011K07-09)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：徐锐程旭辉郗萌崔真马德明更多>>
相关机构：西北大学西安理工大学更多>>
发文基金：陕西省教育厅自然科学基金陕西省科技攻关计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇电子结构
  • 1篇钝化
  • 1篇子结构
  • 1篇密度泛函
  • 1篇密度泛函理论
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米线
  • 1篇泛函
  • 1篇泛函理论
  • 1篇GAN纳米线
  • 1篇H

机构

  • 1篇西安理工大学
  • 1篇西北大学

作者

  • 1篇刘满仓
  • 1篇李恩玲
  • 1篇王雪文
  • 1篇马德明
  • 1篇崔真
  • 1篇郗萌
  • 1篇程旭辉
  • 1篇徐锐

传媒

  • 1篇计算物理

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
未钝化和H钝化GaN纳米线的电子结构被引量：1
2013年
用密度泛函理论研究直径为9.5,15.9和22.5,未钝化和H钝化GaN纳米线的能带和态密度.结果表明:未钝化和H钝化GaN纳米线的能隙都是直接带隙,未钝化GaN纳米线的禁带宽度随着直径的增加减小,但是变化不明显,H钝化GaN纳米线的禁带宽度随着直径增大也是减小的,但是减小的幅度比未钝化的大.未钝化GaN纳米线表面N原子的2p电子主要聚集在价带顶,表面Ga原子的4p电子主要聚集在导带底,这两种电子都具有很强的局域性,而且决定着能隙值;加H钝化可以消除表面原子产生的表面效应.
李恩玲郗萌崔真程旭辉徐锐马德明刘满仓王雪文
关键词：纳米线电子结构密度泛函理论
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共1页<1>
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