西北工业大学研究生创业种子基金(200863)
- 作品数：7 被引量：28H指数：4
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- 掺硼水吸附碳纳米管电子场发射性能的第一性原理研究被引量：4
- 2008年
- 运用第一性原理研究了掺硼碳纳米管(BCNT)顶端吸附水分子后的电子场发射性能.结果表明:掺B及吸附H2O的碳纳米管(BCNT+H2O)端部形成电子聚集的原子尺度微区,其电子态密度(DOS)在费米能级(Ef)附近有很大提高.根据计算的电子DOS,HOMO/LUMO及Mulliken电荷分布等可知BCNT+H2O比CNT+H2O有更好的场发射性能.
- 陈国栋王六定张教强曹得财安博丁富才梁锦奎
- 关键词：密度泛函理论
- 碳纳米锥电子场发射的第一性原理研究被引量：5
- 2009年
- 运用第一性原理研究了不同锥角和结构的碳纳米锥(CNC)电子场发射性能.结果表明:随外电场(Eadd)增强,CNC电子结构变化显著,费米能级(Ef)处态密度(DOS)明显增大;赝能隙减小;体系电荷移向尖端.DOS,HOMO/LUMO及Mulliken电荷分析表明:CNC的电子场发射性能除依赖于尖端结构外,很大程度上还取决于锥角大小,特别顶层6个原子的CNC3和CNC4场发射性能更优.
- 王六定陈国栋张教强杨敏王益军安博
- 关键词：第一性原理
- 沉积温度对PECVD制备碳纳米管形貌的影响被引量：9
- 2011年
- 采用等离子体增强化学气相沉积技术,以C2H2、H2和N2为反应气体,在镀Ni催化剂的Si基底上成功制备出多壁碳纳米管薄膜。采用扫描电镜研究了沉积温度对碳管形貌的影响,进一步通过扩散机制分析了多种形貌CNTs的生长机制。结果表明:沉积温度对催化剂的刻蚀和碳纳米管薄膜的形成起着决定作用,获得定向性良好、分布均匀、密度适中的碳纳米管的最佳温度是700℃。
- 席彩萍王六定王小冬李昭宁
- 关键词：多壁碳纳米管沉积温度PECVD
- 氮掺杂及水分子吸附碳纳米管电子场发射第一性原理研究被引量：1
- 2009年
- 对闭口碳纳米管(CNT)顶端分层掺氮及吸附不同数目水分子体系,运用第一性原理研究了有电场存在时的电子场发射性能.结果表明:掺氮并吸附水分子的CNT结构稳定;外电场愈强、水分子数愈多,体系态密度(DOS)向低能端移动幅度愈大且最高分子占据轨道(HOMO)/最低分子空轨道(LUMO)能隙愈小.吸附能,DOS/LDOS,HOMO/LUMO及其能隙分析一致表明,第三层氮掺杂CNT吸附不同数目水分子体系的场发射性能最佳.
- 陈国栋王六定安博杨敏曹得财刘光清
- 关键词：氮掺杂密度泛函理论
- 碳纳米管场增强因子计算模型的研究被引量：2
- 2008年
- 场增强因子(β)是评价碳纳米管场发射性能的重要参数之一。本文介绍了几种计算β的模型,分析了各种因素对β的影响。通过对所得β表达式进行比较,总结了不同模型中影响场增强因子的主要因素。
- 安博王六定施易军陈景东
- 关键词：碳纳米管
- 双掺杂碳纳米管电子场发射性能的密度泛函研究被引量：2
- 2009年
- 采用第一性原理的密度泛函理论(DFT)研究了(5,5)碳纳米管(CNT)顶端硼(B)、氮(N)、硅(Si)等元素双掺杂体系的电子场发射性能。结果表明,在外电场下,各种双掺杂CNT帽端态密度(DOS)向价带移动,电子轨道分布变化显著,电荷分布明显局域化。根据电子态密度、差分电荷密度、最高分子占据轨道(HOMO)/最低分子非占据轨道(LUMO)分布等计算结果可预期Si双掺杂后更有利于场致电子发射。
- 曹得财王六定陈国栋安博梁锦奎丁富才
- 关键词：碳纳米管双掺杂场发射
- 碳掺杂硼氮纳米管电子场发射的第一性原理研究被引量：6
- 2009年
- 对闭口硼氮纳米管(BNNT)顶层掺碳体系,运用第一性原理研究了电子场发射性能.结果表明,掺碳的BNNT体系电子结构变化显著;外电场愈强,体系态密度向低能端移动幅度愈大,且最高占据分子轨道(HOMO)/最低未占据分子轨道(LUMO)能隙愈小.体系态密度和局域态密度,HOMO和LUMO及其能隙分析一致表明,各种碳掺杂体系中CeqBNNT的场发射性能最佳.
- 陈国栋王六定安博杨敏
- 关键词：硼氮纳米管碳掺杂第一性原理
