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武汉市青年科技晨光计划(20055003059-82)

作品数:1 被引量:20H指数:1
相关作者:高俊杰曾文林志东更多>>
相关机构:武汉工程大学更多>>
发文基金:武汉市青年科技晨光计划国家重点实验室开放基金湖北省自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇氧化锡
  • 1篇气敏
  • 1篇气敏性
  • 1篇气敏性能
  • 1篇离子
  • 1篇离子掺杂
  • 1篇纳米
  • 1篇金属
  • 1篇金属离子
  • 1篇金属离子掺杂
  • 1篇二氧化锡
  • 1篇SNO
  • 1篇掺杂

机构

  • 1篇武汉工程大学

作者

  • 1篇林志东
  • 1篇曾文
  • 1篇高俊杰

传媒

  • 1篇纳米技术与精...

年份

  • 1篇2008
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
金属离子掺杂纳米SnO_2材料的气敏性能及掺杂机理被引量:20
2008年
以SnCl4·5H2O为原料合成纳米SnO2,并以其为基底材料分别以离子形式掺杂Ag^+、Ni^2+、Ce^3+、Sb^2+等作为气敏材料,制作旁热式气敏元件.研究了其对甲醇、乙醇气体的气敏性能.结果发现,适量的金属离子掺杂可提高SnO2的气敏性能,其中掺Ag^+效果最佳,可显著提高SnO2对甲醇、乙醇气体的灵敏度.在工作温度为360℃时,对体积浓度为400×10^-6的乙醇、甲醇气体灵敏度分别为121和66.掺Sb^2+可提高SnO2的导电性,在温度为200℃时,电阻值由180kΩ降至4kΩ.用Materials Studio软件对掺杂不同金属的SnO2的能带结构进行了理论计算,分析表明,掺杂使SnO2能带带隙宽度由掺杂前的2.65eV减少为2.02~2.62eV,相应元件电阻阻值的减少与带隙宽度变化趋势一致,带隙宽度是影响SnO2传感器工作温度高低的重要因素.
曾文林志东高俊杰
关键词:二氧化锡气敏性
共1页<1>
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