福建省科技厅资助项目(2008F5001)
- 作品数：11 被引量：22H指数：3
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- 相关领域：电子电信理学化学工程一般工业技术更多>>
- 一种电子束自会聚型后栅场发射显示器的研究被引量：1
- 2010年
- 提出一种具有凹面阴极结构的电子束自会聚型后栅场发射显示器(FED)。利用Ansys软件模拟此器件的电场分布和电子束轨迹,研究凹面阴极不同曲率半径对阳极光斑尺寸的影响,并与平面阴极型后栅FED进行比较。仿真结果表明此器件可有效减小电子束的发散角和阳极光斑尺寸,阳极光斑尺寸随着凹面阴极曲率半径的减小而减小,同时可获得更高的电流密度。利用丝网印刷技术制备10cm×10cm的电子束自会聚型后栅FED,对其场发射性能进行测试。结果表明此器件可有效减小阳极光斑尺寸,提高显示器的分辨率;阳极电压为600V,栅极电压在100～250V范围内对电子发射有良好的调控作用。
- 吴朝兴张永爱张杰李昱郭太良
- 关键词：光电子学场致发射计算机模拟
- 薄膜后栅型SnO_2场发射显示器的制备及性能研究被引量：1
- 2011年
- 利用光刻、阳极氧化和剥离技术在玻璃基底制备薄膜后栅型场发射阵列,采用丝网印刷技术将一维SnO2纳米发射材料转移至后栅结构的阴极电极上,借助光学显微镜和扫描电镜观测薄膜后栅型场发射阴极阵列,利用ANSYS软件模拟了不同条件下阴极电极附近电子运动轨迹。结果表明,一维SnO2纳米线在阴极电极衬底上分布均匀,电子束斑随着阳压的增大而逐渐减小,随栅压的增加而变大。将阴极板与阳极荧光板制成了5 inch(1 inch=25.4 mm)单色薄膜后栅型结构场致发射显示器并对其进行了场发射性能测试。实验表明,在栅压和阳压分别为140 V和2000 V,阴极和阳极的距离为1100μm时,薄膜后栅型SnO2场致发射显示器能实现全屏点亮,其器件的最大阳极电流为232μA,峰值亮度为270 cd/m2,稳定发射400 min,发射电流无明显衰减,表明器件场发射性能良好,具有潜在的应用前景。
- 张永爱林金阳吴朝兴郭太良
- 关键词：光电子学SNO2场发射丝网印刷
- 基于探针法的FED电极缺陷检测系统设计
- 2010年
- 针对FED显示屏电极的特征,提出一种FED电极缺陷检测系统,用于检测FED电极的短路和断路等缺陷。系统分为硬件和软件两部分,硬件部分由CCD摄像头初始定位和对准模块、单片机数据测试和传输模块、计算机数据接收和处理模块组成;软件部分包括单片机预处理部分的底层程序设计和计算机部分面向对象的高级程序设计。经过硬件设计安装和软件编程调试,该FED电极缺陷检测系统已经在实验中得到应用。
- 张永爱张杰许华安姚亮郭太良
- 关键词：CCD单片机VISUALC++
- 薄膜型平栅极FED背光源的制备及性能研究被引量：3
- 2010年
- 利用磁控溅射和光刻技术在玻璃基底上制备薄膜型平栅极场发射阴极阵列,采用电泳工艺将碳纳米管(CNTs)发射材料转移到薄膜型平栅结构的阴极电极表面,借助光学显微镜和扫描电镜观测薄膜型平栅极场发射阴极阵列。利用Ansys软件模拟阴栅间距对阴极表面电场分布的影响,优化其结构参数,对其场发射特性进行了讨论。实验结果表明,CNTs能均匀地分散在平栅型结构的阴极表面,当电场强度为2.4 V/μm时,器件发射电流密度达到1.8 mA/cm2,亮度达3 000cd/m2,均匀性为90%,能稳定发射28 h,且具有较好的栅控作用。该薄膜型平栅极背光源技术简单、成本低,为将来制备新一代大面积场发射背光源提供了可行性方案。
- 张杰张永爱吴朝兴汤巧治贾贞郭太良
- 关键词：背光源场致发射显示器
- 应用于LCD的平栅型碳纳米管场致发射显示器背光源的研制被引量：7
- 2011年
- 采用磁控溅射、光刻和湿法刻蚀技术制备平栅型场发射阴极阵列,利用电泳将碳纳米管(CNT)发射源沉积在阴极表面,将阴极板和阳极板封接后制成51 cm单色平栅型CNT场致发射显示器(CNT-FED),作为背光源模板应用于49 cm液晶显示器(LCD)器件中。场发射测试表明,器件在阳极电压3 500 V、栅极电压290 V时,阳极电密度高达81.3μA/cm2,最高亮度可达7000 cd/m2,均匀性为96%;稳定发射7 h后,发射电流无明显衰减。以背光源形式应用于49 cm×25.4 mm LCD器件,亮度可达205 cd/m2。
- 张永爱林金阳吴朝兴郭太良
- 关键词：场致发射
- 氧离子束流密度对Ta_2O_5薄膜的影响被引量：2
- 2009年
- 利用氧离子辅助电子束蒸发沉积Ta2O5薄膜,在固定氧离子能量的条件下研究了氧离子束流密度对Ta2O5薄膜的微观结构、化学计量比和漏电流密度的影响。利用原子力显微镜和X射线衍射仪对Ta2O5薄膜微观结构进行表征研究,发现随着离子束流密度增大,沉积的Ta2O5薄膜致密性提高,粗糙度下降,但薄膜一直保持非晶态;同时能谱仪测试的结果表明,薄膜中O/Ta比例逐渐提高,直至呈现富氧状态。测量了不同薄膜样品的漏电流密度和击穿场强,发现随着离子束流密度增大,薄膜漏电流密度显著降低,击穿场强提高。总之,提高氧离子束流密度能够明显改善Ta2O5薄膜的微观结构和电学性能。
- 赵靖张永爱袁军林郭太良
- 关键词：TA2O5化学计量比
- 表面传导电子发射显示器微细结构光刻工艺的优化
- 2009年
- 研究了旋涂和光刻工艺对制备表面传导发射显示器(SED)微细结构的影响,分析正性光刻胶和旋涂工艺的作用机理,探讨光刻胶的平面旋涂工艺、曝光剂量、前烘对光刻图形的影响.借助旋涂技术将光刻胶转移在附有金属薄膜的玻璃基片上,利用紫外光对其进行曝光,通过视频显微镜、台阶仪对实验结果分析,优化实验工艺参数.结果表明,光刻胶留膜率随旋转速度增大而减少,随光刻胶的粘度增大而增大,光刻图形宽度随曝光剂量的增大而变窄,曝光剂量40～50 mJ/cm2,前烘110 ℃保温25 min条件下光刻图形边缘平整,为研制SED微细结构奠定了基础.
- 张永爱许华安郭太良
- 关键词：表面传导电子发射显示器光刻旋涂
- 阳极氧化法制备Ta_2O_5绝缘膜及性能研究被引量：6
- 2009年
- 采用阳极氧化法在纯Ta表面制备绝缘性优良的Ta2O5介质膜,分析阳极氧化制备Ta2O5膜的基本机理,讨论不同电解液、阳极氧化电压及热处理等工艺参数对Ta2O5膜性能的影响。利用XRD、EDS和AFM分析薄膜的组织结构和表面形貌,超高阻微电流测试仪测试Ta2O5绝缘膜漏电流特性和耐击穿电压,结果表明,磷酸电解液中添加适当乙二醇溶液能有效地防止"晶化",阳极氧化电压在125～150V范围内制备Ta2O5绝缘膜耐击穿电压能力强,经350℃/60min大气气氛下热处理Ta2O5薄膜,内部结构致密,能有效提高Ta2O5绝缘膜耐击穿电压。
- 张永爱许华安郭太良
- 关键词：阳极氧化TA2O5绝缘膜击穿电压
- 电泳沉积制备平行栅碳纳米管场发射阴极的研究被引量：5
- 2011年
- 利用磁控溅射、光刻、湿法刻蚀和电泳技术在玻璃基片上成功制备平行栅场发射阴极阵列,用光学显微镜、场发射扫描电镜和拉曼光谱观察了碳纳米管的形貌和结构,并测试所制备的平行栅碳纳米管阴极的场发射性能。光学显微镜和场发射电子显微镜测试表明,平行栅结构阴极和栅极交替地分布,同一个平面内,CNTs有选择性地沉积在平行栅结构中的阴极表面。场发射测试表明,平行栅CNTs场发射阴极的开启电压为155V,发射电流高达268μA,场发射特性完全由栅压控制;此外,其场发射特性与丝网印刷工艺制备的阴极有相似甚至更佳的性能,开启电压更低,发光均匀性更好,具有更好的发射特性。
- 张永爱林金阳吴朝兴郑泳林志贤郭太良
- 关键词：碳纳米管场发射电泳丝网印刷
- 大屏幕场致发射显示器薄膜型精细金属电极的研制
- 2009年
- 在洁净的玻璃基底溅射Cr-Cu-Cr复合薄膜,利用光刻和湿法刻蚀技术制备了大屏幕场致发射显示器薄膜型精细金属电极。讨论了不同腐蚀液对金属Cr刻蚀的影响,借助视频显微镜和台阶仪测试刻蚀后的电极形貌,结果表明,用质量比为6∶3∶100的KMnO4、NaOH和H2O的混合液腐蚀Cr膜的刻蚀速率平稳,刻蚀后的Cr电极边缘整齐,内向侵蚀少。此外,分析了FeCl3刻蚀液对Cu膜的刻蚀机理,讨论了刻蚀液在静置和循环条件下对制备FED薄膜型精细电极的影响,借助视频显微镜测试刻蚀后的电极形貌,结果表明,FeCl3刻蚀液在循环条件下刻蚀Cu膜速度均匀,刻蚀后电极边缘整齐。
- 张永爱许华安郭太良
- 关键词：FED大屏幕湿法刻蚀
