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国家自然科学基金(61372018)

作品数：10 被引量：14H指数：2
相关作者：张小宁刘纯亮屠震涛薛涛梁志虎更多>>
相关机构：西安交通大学深圳市华星光电技术有限公司山东大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

文献类型

  • 10篇中文期刊文章

领域

  • 9篇电子电信
  • 4篇理学

主题

  • 3篇电子发射
  • 3篇电子发射特性
  • 3篇电子源
  • 3篇液晶
  • 3篇液晶显示
  • 2篇溅射
  • 1篇电化学
  • 1篇电化学腐蚀
  • 1篇电化学氧化
  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇多孔硅
  • 1篇氧分压
  • 1篇氧含量
  • 1篇氧空位
  • 1篇液晶显示屏
  • 1篇液晶显示器
  • 1篇直流磁控
  • 1篇直流磁控溅射
  • 1篇双线性

机构

  • 10篇西安交通大学
  • 4篇深圳市华星光...
  • 2篇山东大学

作者

  • 9篇张小宁
  • 5篇刘纯亮
  • 4篇梁志虎
  • 4篇薛涛
  • 4篇屠震涛
  • 2篇朱立伟
  • 2篇宋忠孝
  • 2篇李玲
  • 2篇梁鹏飞
  • 2篇王利民
  • 1篇马飞
  • 1篇李浩
  • 1篇何兆
  • 1篇何振伟
  • 1篇王文江
  • 1篇胡一华
  • 1篇张霄
  • 1篇何力
  • 1篇岳俊峰
  • 1篇贾一鸣

传媒

  • 5篇真空科学与技...
  • 3篇液晶与显示
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇光子学报

年份

  • 1篇2017
  • 3篇2016
  • 4篇2015
  • 2篇2014
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
溅射压强对a-IGZO薄膜的表面粗糙度、氧空位及电学特性的影响（英文）被引量：2
2016年
详细地研究了溅射压强对a-IGZO薄膜的微结构和电学特性产生的影响。AFM分析表明,薄膜的表面粗糙度随溅射压强的增加而增大。XPS分析表明薄膜中氧空位含量随溅射压强的增加而减少。增加表面粗糙度和减少氧空位对a-IGZO薄膜晶体管的特性有着决定性的作用。当溅射压强保持在0.6 Pa时,得到的薄膜晶体管的特性最佳,电子的饱和迁移率和门限电压分别是3.32 cm^2/(V·s)和24.6 V。溅射压强是磁控溅射制备IGZO薄膜及其晶体管的关键影响因素。
李玲薛涛宋忠孝刘纯亮马飞
关键词：薄膜晶体管溅射压强氧空位
基于双线性插值最值滤波的Mura改善方法被引量：2
2016年
为改善液晶面板的Mura缺陷,提出了一种灰度补偿校正Mura缺陷的方法.针对典型灰度级的亮度分布矩阵,采用双线性插值最值滤波法进行图像滤波,计算全屏目标亮度,根据各像素点拟合出的亮度-灰度关系曲线,得到各灰度级的补偿数据.实验结果表明,经过Mura补偿,55英寸的液晶模组上显示灰度图像的Mura条纹消失,Mura指数降低,且补偿并未对屏幕总体亮度和对比度等造成明显改变.
梁志虎张小宁岳俊峰屠震涛黄泰钧梁鹏飞王利民
关键词：液晶显示双线性插值
灰度与亮度拟合对LCD面板Mura改善的影响被引量：1
2016年
选择有限的采样灰度级准确拟合出整个灰度区间的亮度和灰度关系,是影响LCD面板Mura改善效果、实时性和成本的关键因素。通过迭代方法优化采样灰度级,并采用分段伽马拟合方法研究了采样灰度级对Mura改善的影响。针对1 920×1 080的55inTFT-LCD模组,6个采样灰度级的优化使拟合亮度曲线与实际亮度曲线的相对误差之和在0～255灰度级从5.64降到3.68,4个采样灰度级的优化使相对误差之和从29.27降到8.98。通过对6个和4个优化采样灰度级的实验结果比较和分析,结果表明,4个优化采样灰度级可以在Mura改善效果、实时性及成本三者之间达到较好的平衡。
屠震涛樊瑞张小宁梁志虎黄泰钧梁鹏飞王利民
关键词：液晶显示屏
基于平均值法的LED背光源动态调光二次修正算法被引量：5
2014年
为降低LED背光源的功耗,提高LCD的图像显示质量,提出了一种LED背光源动态调光二次修正算法。采用平均值法得到分区的初始背光灰度值;为了解决灰度截断问题,根据分区灰度最大值与平均值的差值进行第一次修正;为了抑制调光带来的光晕效应,采用空间滤波法进行第二次修正。采用侧入式LED背光源的116.8cm(46in)LCD实验结果表明,采用该算法后,LED背光源平均功耗降低至73.02%,灰度截断率为0.49%,平均PSNR值为67.21dB;典型图像对比度最大达到28 600∶1,显示图像的光晕效应有了明显的改善。二次修正算法能够有效降低背光功耗,增强图像显示质量。
杨雷李纯怀陈宥烨李浩何振伟朱立伟屠震涛张小宁
关键词：液晶显示器LED背光源
氧分压对直流磁控溅射IGZO薄膜特性的影响被引量：2
2015年
在室温下,利用直流磁控反应溅射法分别在硅片和石英玻璃上制备IGZO薄膜。通过控制溅射时氧分压的不同,研究其制备IGZO薄膜的微结构、表面形貌及其元素结合能及电学与光学特性。结果表明,在不同的氧分压下,薄膜始终保持稳定的非晶结构,并且在可见光区域的透光率超过80%。随着氧分压的增加,薄膜的表面粗糙度增加,沉积速率下降。通过X射线光电子谱分析随氧分压的增大,氧空位的增加,从而引起薄膜的电阻率增大,光学禁带宽度逐渐由3.58减小到3.50e V。氧分压是磁控溅射IGZO薄膜的关键因素。
李玲薛涛宋忠孝张小宁刘纯亮
关键词：氧分压磁控溅射
多孔硅层结构和氧含量分布对电子发射特性的影响
2015年
为了研究较厚的多孔硅层结构及氧化分布对电子发射特性的影响,采用恒流和脉冲腐蚀制备了单层和多层结构的多孔硅,并对这两种结构的多孔硅分别进行定场强和变场强电化学氧化。根据扫描电子显微镜和X射线能谱仪对多孔硅结构和氧含量分布的测量结果,以及对电子发射特性和所提出的多孔硅电子源模型的比较和分析,结果发现:孔隙率交替变化的多层多孔硅结构可以优化电场分布,变场强的电化学氧化使氧含量分布均匀,电子在发射时可以得到持续加速和收敛。单层结构的多孔硅经过定场强电化学氧化后,氧含量分布上层高而下层低,电子不能得到持续加速且具有散射的特点。变场强氧化的多层多孔硅电子发射特性优于定场强氧化的单层多孔硅电子源。
何力张小宁张霄王文江
关键词：电化学腐蚀电化学氧化
基于多孔Al_2O_3绝缘层的MIM电子源电子发射特性研究
2015年
针对基于无孔Al_2O_3绝缘层的金属-绝缘层-金属(MIM)电子源存在显著负阻效应和无法在气氛下稳定发射电子的特点,提出并制备了一种Al底电极-多孔Al_2O_3绝缘层-Ti/Au复合顶电极结构的MIM电子源。在真空,不同压强的氮气和空气中的电子发射结果表明,Al_2O_3绝缘层经过磷酸扩孔后,MIM电子源的负阻效应在电子发射区间几乎消失,同时增强了电子发射的局部电场,电子获得更好的加速,提高了发射电流。Ti/Au复合顶电极改善了Au膜和多孔Al_2O_3绝缘层的电接触,减小了电子能量的散射。该电子源发射的电子能够激发氮气,在空气和氮气中的发射电流大小受气体及其压强的影响。
薛涛张小宁刘纯亮
关键词：电子发射特性负阻效应
2T1C像素电路的AM OLED数字驱动方法研究被引量：1
2015年
为了改善由于像素间TFT特性不同导致的有源矩阵有机发光显示（AM OLED）亮度不均匀现象,研究了基于2T1C像素电路的边寻址边显示（Address While Display,AWD）数字驱动方法,该方法采用等权重的11子场累积式发光方式,并用有序抖动方法实现256灰度级。通过在14cm（5.5in）的AM OLED模组上对该方法的实现和验证,结果表明,数字驱动方法在0~255灰度区间的不均匀性最大为28%,对灰度变化不敏感,而模拟驱动的不均匀性随灰度级的降低显著增大,最大为133%。数字驱动显示图像的均匀性显著优于模拟驱动,且采用基本的2T1C像素电路即可实现,降低了对像素电路和制备成本的要求。
贾一鸣屠震涛张小宁梁志虎李纯怀温亦谦彭威臣朱立伟
关键词：AMOLED像素电路FPGA
退火对Al-Al_2O_3-Ti/Au金属-绝缘体-金属电子源发射特性的影响被引量：1
2014年
研究了退火工艺对金属-绝缘体-金属(MIM)器件(Al-Al2O3-Ti/Au结构)的发射特性的影响。在对MIM器件Ti/Au顶电极进行退火处理后,金属离子渗入绝缘层形成掺杂,器件发射电流密度提高,有效发射面积增大,并有较高发射效率,在加速电压200 V,器件偏置电压13.5 V时电子发射电流密度达到1056.6μA/cm2,最大发射效率为4.7%,最优退火温度为300℃。在对MIM器件的Al底电极进行退火处理后,可以减小电化学氧化的电解质掺杂,提高器件发射寿命,器件工作于非电形成状态,电子发射电流密度波动小。对Al底电极的单独退火可使器件同时具有发射大、稳定性好的优点,在提高MIM发射性能的同时,缩短了器件制备周期。
胡一华薛涛张小宁刘纯亮
关键词：电子发射特性退火
新型铝基共面微腔等离子体阵列在氖气中放电的光特性研究
2017年
在厚度为100μm的铝基底上,制作了一种由隙缝相连的六边形共面微腔阵列,研究了方波驱动下,该微腔阵列在氖气中的放电发光分布与气压的关系,光谱分布及放电的演变过程。结果表明:这种隙缝相连的六边形共面微腔阵列放电时,随气压的升高,发光光强分布从腔体中心位置逐步向腔体侧壁移动,其发光光谱为588 nm的可见光和312 nm的紫外光。增强电荷耦合器件拍摄的阵列放电瞬时状态表明,在一个方波驱动周期的两次放电中,共面微腔等离子体阵列放电演变呈现出等离子波动传播的现象,且这两次传播方向相反,传播速度均为10~15 km/s。
何兆张小宁梁志虎刘纯亮
关键词：光强分布
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