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高功率半导体激光国家重点实验室基金(ZS3603)
作品数:
2
被引量:7
H指数:2
相关作者:
王晓华
李林
刘国军
王勇
李梅
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高功率半导体激光国家重点实验室基金
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GaAlAs/GaAs量子阱材料的光荧光谱研究
被引量:3
2005年
分子束外延生长GaAlAs/GaAs量子阱材料时,适当的衬底温度和Ⅴ/Ⅲ束流比是改善AlGaAs材料生长质量的重要因素。对GaAs、GaAlAs材料的生长条件进行优化,获得了高质量的量子阱材料,有源层分别为8nm、10nm、12nm时,10K下的PL谱半峰宽(FWHM)分别为6.42meV、6.28meV、6.28meV。
刘文莉
李林
钟景昌
王晓华
刘国军
GaSb薄膜生长的RHEED研究
被引量:4
2006年
采用分子束外延技术,在GaAs衬底上生长GaSb薄膜时,利用反射式高能电子衍射仪(RHEED)对衬底表面清洁状况、外延层厚度等进行在线监控。通过RHEED讨论低温缓冲层对GaSb薄膜表面结构和生长机制的作用,可以估算衬底温度,并能计算出薄膜的生长速率。实验测量GaSb的生长周期为1.96 s,每秒沉积0.51单分子层。低温缓冲层提高了在GaAs衬底上外延GaSb薄膜的生长质量。
李林
王勇
刘国军
李梅
王晓华
关键词:
分子束外延
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