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广州市科技攻关项目(2004U13D0021)

作品数:3 被引量:21H指数:1
相关作者:范广涵丁少锋张丽敏张涛郑品棋更多>>
相关机构:华南师范大学更多>>
发文基金:广州市科技攻关项目国家自然科学基金广东省自然科学基金更多>>
相关领域:理学文化科学电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 1篇第一性原理
  • 1篇第一性原理计...
  • 1篇电子结构
  • 1篇电子学
  • 1篇子结构
  • 1篇密度泛函
  • 1篇密度泛函理论
  • 1篇蓝光
  • 1篇光电
  • 1篇光电子
  • 1篇光电子学
  • 1篇泛函
  • 1篇泛函理论
  • 1篇P型
  • 1篇P型掺杂
  • 1篇ALN
  • 1篇GAN
  • 1篇GAN基蓝光
  • 1篇GAN基蓝光...
  • 1篇掺杂

机构

  • 3篇华南师范大学

作者

  • 3篇范广涵
  • 1篇张涛
  • 1篇郑树文
  • 1篇孙惠卿
  • 1篇张丽敏
  • 1篇丁少锋
  • 1篇李述体
  • 1篇邢海英
  • 1篇郑品棋

传媒

  • 1篇量子电子学报
  • 1篇物理化学学报
  • 1篇实验技术与管...

年份

  • 1篇2009
  • 2篇2007
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
Mg、Zn掺杂AlN电子结构的第一性原理计算被引量:20
2007年
采用密度泛函理论(DFT)的第一性原理的平面波超软赝势方法,对Mg、Zn掺杂AlN的32原子超原胞体系进行了几何结构优化,从理论上给出了掺杂和非掺杂体系的晶体结构参数,对纤锌矿结构AlN晶体及AlN:Mg、AlN:Zn的结构、能带、结合能、电子态密度、集居数及差分电荷分布进行计算和分析.计算结果表明,AlN:Mg、AlN:Zn都能提供很多的空穴态,形成p型电导,并且Mg是较Zn更好的p型掺杂剂.
张丽敏范广涵丁少锋
关键词:ALNP型掺杂电子结构密度泛函理论第一性原理
产学研相结合建设LED研发实验室被引量:1
2009年
从建设LED(light emitting diode,发光二级管)研发实验室的实践出发,总结了华南师范大学以产学研相结合建设LED研发实验室的思路、目标、管理体制、运行机制与取得的成效。
张涛范广涵
电极耦合层对GaN基蓝光LED出光特性的影响
2007年
光提取效率的提高对GaN基蓝光LED的广泛应用有重要的影响.计算了以Ni/Au基金属化方法形成的p型GaN电极的折射率,通过分析电极层中的能流传输情况在电极上设计高折射率的耦合层来减少电极层对光的吸收以及提高光的透射,耦合层通过采用圆台结构来减少光在空气/耦合层界面上的全反射以提高GaN基蓝光LED的光提取效率。应用传输矩阵法计算的结果表明,光学厚度为π/2,折射率为2.02的ITO耦合层能使450 nm的蓝光在膜系上的透射率提高到75%。
郑品棋范广涵李述体孙惠卿郑树文邢海英
关键词:光电子学
共1页<1>
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