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安徽省高等学校优秀青年人才基金(2005kj1031)

作品数：1 被引量：4H指数：1
相关作者：柯导明代月花陈军宁高珊更多>>
相关机构：安徽大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金安徽省高等学校优秀青年人才基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电势
  • 1篇电势分布
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇多晶硅栅
  • 1篇阈值电压
  • 1篇阈值电压模型
  • 1篇硅栅
  • 1篇LDMOS

机构

  • 1篇安徽大学

作者

  • 1篇高珊
  • 1篇陈军宁
  • 1篇代月花
  • 1篇柯导明

传媒

  • 1篇电子学报

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
基于二维电势分布的一种新型复合多晶硅栅LDMOS阈值电压模型被引量：4
2007年
本文提出了一种新型的复合多晶硅栅LDMOS结构.该结构引入栅工程的概念,将LDMOST的栅分为n型多晶硅栅和p型多晶硅栅两部分,从而提高器件电流驱动能力,抑制SCEs(short channel effects)和DIBL(drain-inducedbarrier lowering).通过求解二维泊松方程建立了复合多晶硅栅LDMOST的二维阈值电压解析模型.模型考虑了LDMOS沟道杂质浓度分布和复合栅功函数差的共同影响,具有较高的精度.与MEDICI数值模拟结果比较后,模型得以验证.
代月花高珊柯导明陈军宁
关键词：LDMOS阈值电压
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共1页<1>
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