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国家科技重大专项(2009ZX02009)
作品数:
1
被引量:3
H指数:1
相关作者:
陈波
陈焱
谷德君
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相关机构:
沈阳芯源微电子设备有限公司
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发文基金:
国家科技重大专项
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相关领域:
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沈阳芯源微电...
作者
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谷德君
1篇
陈焱
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陈波
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1篇
半导体技术
年份
1篇
2009
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凸点下金属层湿法刻蚀与凸点底切的控制
被引量:3
2009年
介绍了电镀凸点封装工艺流程和其中有关金属层湿化学刻蚀的问题。通过槽式批量和单片机刻蚀相应的UBM(凸点下金属层)的均匀度、刻蚀速率和凸点底切的对比,结果显示单片湿法刻蚀机刻蚀均匀度小于5%且片与片之间刻蚀速率差异小于2%,以及凸点底切小于2μm。槽式刻蚀均匀度较差,一般会大于20%,同时同一批次片与片之间刻蚀速率差异也较大,实验显示超过10%,且刻蚀后凸点底切较深。因此采用单片机进行UBM金属刻蚀可以较好的控制刻蚀过程和提高产品的良率。
陈波
陈焱
谷德君
关键词:
湿法刻蚀
单片机
刻蚀速率
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