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国家教育部博士点基金(20060386001)

作品数:4 被引量:5H指数:2
相关作者:李奕章永凡丁开宁倪碧莲蔡亚萍更多>>
相关机构:福州大学福建医科大学更多>>
发文基金:国家教育部博士点基金国家自然科学基金福建省自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇电子结构
  • 3篇子结构
  • 3篇密度泛函
  • 3篇密度泛函理论
  • 3篇泛函
  • 3篇泛函理论
  • 2篇吸附构型
  • 2篇金属
  • 2篇构型
  • 1篇电子性质
  • 1篇乙炔
  • 1篇原子
  • 1篇缺陷态
  • 1篇密度泛函研究
  • 1篇碱金属
  • 1篇过渡金属
  • 1篇过渡金属碳化...
  • 1篇分子
  • 1篇SI(100...
  • 1篇SI(100...

机构

  • 3篇福州大学
  • 2篇福建医科大学

作者

  • 3篇章永凡
  • 3篇李奕
  • 2篇倪碧莲
  • 2篇蔡亚萍
  • 2篇丁开宁
  • 1篇秦改萍
  • 1篇干琴芳
  • 1篇邢伯蕾
  • 1篇李俊

传媒

  • 2篇物理化学学报
  • 1篇化学学报
  • 1篇Chines...

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 2篇2007
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
乙炔和乙烯分子在Si(100)表面吸附的几何和电子结构的密度泛函研究被引量:1
2007年
采用基于第一性原理的密度泛函理论和平板模型对Si(100)表面吸附乙炔和乙烯分子的构型稳定性以及电子结构进行系统研究.结果表明:无论是吸附乙炔还是乙烯分子,当覆盖度为0.5ML时,最为稳定的吸附方式为dimerized模型;当覆盖度增大到1.0ML时,end-bridge模型为最稳定的吸附方式.通过对各吸附模型的能带结构分析可知,体系的带隙变化可以通过考察表层Si—Si二聚体中Si原子的配位环境来确定.对于相同的吸附模型,无论吸附分子是乙炔还是乙烯,都具有非常相近的带隙.吸附构型以及吸附分子的覆盖度对最小带隙及其来源有较大影响.此外,研究结果还表明,杂化密度泛函方法更适合于描述Si(100)表面的电子结构,尤其是对end-bridge吸附模型.
秦改萍蔡亚萍邢伯蕾李奕章永凡李俊
关键词:密度泛函理论SI(100)表面乙炔
CO分子在TiC(001)表面上的吸附构型与电子结构被引量:2
2008年
采用第一性原理方法和平板模型对CO分子在TiC(001)表面的吸附构型和电子结构进行了详细研究.结果表明,CO分子倾向于采用C端吸附在表层Ti原子上方.对于该吸附方式,计算得到的吸附能、CO各电子态所处能级位置以及C—O键伸缩振动频率的红移值均与实验观测结果相吻合.由能带结构和Mülliken布居分析结果可知,当采用C端吸附时,CO的5!和2"*态受到底物影响最为显著,尤其是C端的桥位吸附方式.此外,还进一步对底物表面态在CO吸附过程中的作用进行了探讨.
干琴芳倪碧莲李奕丁开宁章永凡
关键词:过渡金属碳化物密度泛函理论
不同覆盖度下Li原子在Si(001)表面上的吸附构型和电子结构被引量:2
2009年
采用基于赝势平面波基组的密度泛函理论,对不同Li原子覆盖度下Li/Si(001)体系的吸附构型、电子结构以及吸附Li原子对表面性质的影响进行了系统研究.计算结果表明,在所考察的覆盖度范围内,Li原子倾向于吸附在相邻两个Si-Si二聚体之间各种对称性较高的空穴位,其中覆盖度为0.75ML(monolayer)时具有最小的平均吸附能.由能带结构分析结果可知,随着覆盖度的增大,Si(001)表面存在由半导体→导体→半导体的变化过程.在覆盖度为1.00ML时,由于表层二聚体均受到显著破坏,使得体系带隙明显增大.吸附后,有较多电子从Li原子转移到底物,导致Si(001)表面功函显著下降,并随着覆盖度的增加表面功函呈现振荡变化.此外,从热力学稳定性角度上看,覆盖度为0.75ML的Li/Si(001)表面较难形成.
倪碧莲蔡亚萍李奕丁开宁章永凡
关键词:密度泛函理论碱金属
Theoretical Study on the Structural and Electronic Properties of the Reduced SnO_2 (110) Surface
2007年
The reduced SnO2(110) surface has been investigated by using first-principles method with a slab model. By examining the vacancy formation energy of three kinds of reduced SnO2(110) surfaces, the most energetically favorable defect surface is confirmed to be the surface with the coexistence of bridging and in-plane oxygen vacancies, which is different with the traditional model by only removing bridging oxygen. The results of band structure calculations indicate that the electronic structure of this defect surface is similar to the SnO surface.
ZHANG Yong-Fan LIN Wei WANG Qi-Wei LI Yi LI Jun-Qian
关键词:缺陷态电子性质
共1页<1>
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