国家自然科学基金(61106101)
- 作品数：4 被引量：11H指数：2
- 相关作者：陆光易王源曹健贾嵩张兴更多>>
- 相关机构：北京大学更多>>
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- 相关领域：电子电信电气工程理学更多>>
- A Power Clamp Circuit Using Current Mirror for On-chip ESD Protection
- A power clamp circuit using current mirror is proposed in this article.The current mirror is used for capacita...
- Guangyi LuYuan WangXuelin ZhangSong JiaGanggang ZhangXing Zhang
- 纳米尺度超低漏电ESD电源钳位电路研究被引量：2
- 2014年
- 提出一种新型超低漏电ESD电源钳位电路。该电路采用具有反馈回路的ESD瞬态检测电路,能够减小MOS电容栅极–衬底之间电压差,降低电路的泄漏电流,抑制ESD泄放器件的亚阈值电流。65 nm CMOS工艺仿真结果表明,在电路正常上电时,泄漏电流只有24.13 nA,比传统ESD电源钳位电路的5.42μA降低两个数量级。
- 王源张雪琳曹健陆光易贾嵩张钢刚
- 关键词：静电放电泄漏电流亚阈值电流
- 隧道场效应晶体管静电放电冲击特性研究被引量：3
- 2014年
- 随着器件尺寸的不断减小,集成度的逐步提高,功耗成为了制约集成电路产业界发展的主要问题之一.由于通过引入带带隧穿机理可以实现更小的亚阈值斜率,隧道场效应晶体管(TFET)器件已成为下一代集成电路的最具竞争力的备选器件之一.但是TFET器件更薄的栅氧化层、更短的沟道长度容易使器件局部产生高的电流密度、电场密度和热量,使得其更容易遭受静电放电(ESD)冲击损伤.此外,TFET器件基于带带隧穿机理的全新工作原理也使得其ESD保护设计面临更多挑战.本文采用传输线脉冲的ESD测试方法深入分析了基本TFET器件在ESD冲击下器件开启、维持、泄放和击穿等过程的电流特性和工作机理.在此基础之上,给出了一种改进型TFET抗ESD冲击器件,通过在源端增加N型高掺杂区,有效的调节接触势垒形状,降低隧穿结的宽度,从而获得更好的ESD设计窗口.
- 王源张立忠曹健陆光易贾嵩张兴
