国家自然科学基金(60771059)
- 作品数：12 被引量：44H指数：4
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- 低偏压下单层碳纳米管的输运特征被引量：3
- 2010年
- 系统地计算了各种手性碳纳米管最低导带的电子速度和有效质量的变化规律,在此基础上推断手性碳纳米管低偏压下的输运特征,计算表明:在低偏压电子输运时,同一系列(手性角相同)的各种手性金属碳纳米管的输运性质相同,与管径无关,但不同系列的手性金属碳纳米管的输运性质有明显区别;而同一系列的各种手性半导体型碳纳米管的输运性质有一定差异,但不同系列的手性半导体型碳纳米管的输运性质有着显著差异.这一结果说明:碳纳米管在低偏压下的输运特征与系列有着密切的关系,手性角是决定各种碳纳米管在低偏压下具有不同输运性质的最关键的几何参量.
- 赵起迪张振华
- 关键词：碳纳米管
- 石墨烯纳米带电子结构的紧束缚法研究被引量：15
- 2009年
- 在推导出的一般复式格子的π电子紧束缚能量色散关系的基础上,通过假定石墨烯纳米带的电子横向限制势为无穷大硬壁势,导出石墨烯纳米带的能量色散关系及石墨烯纳米带或为金属或为半导体的条件.结果表明:石墨烯纳米带的电子结构与其几何构型(对称性及宽度)密切相关,所以通过控制几何构型,可将其调制成金属或不同带隙的半导体.这意味着石墨烯纳米带对于发展新型纳米器件具有重要意义.
- 胡海鑫张振华刘新海邱明丁开和
- 关键词：石墨烯纳米带紧束缚模型电子结构
- 分子电子器件简化模型的电子透射谱的计算
- 2009年
- 基于分子线耦合到电极的构成特点,采用简化的非对称多势垒连续隧穿模型模拟复合分子器件偏压下的电子隧穿过程,推导电子透射谱的解析表达式,同时计算垒宽、垒距、垒高、电子有效质量和所加偏压等参数与透射系数的关系,结果发现:当电子的能量为某些值时,出现明显的共振隧穿,且透射系数对这些参数的变化非常敏感,这表明可以通过适当的控制方式(如改变复合分子组成、构型等)来修改分子电子器件的输运性质.
- 李巧华张振华刘新海邱明丁开和
- 关键词：分子器件共振隧穿
- 端基对分子器件整流性质的影响被引量：2
- 2010年
- 利用基于非平衡Green函数加密度泛函理论的第一原理方法,研究了以S(Se)为端基的三并苯环分子夹在两半无限长的Au电极之间构成双探针系统的输运特性,发现体系具有较好的整流效应,最大整流系数达到6;用H取代右端同一位置的一个S(Se),整流行为明显减弱.分析认为,这种整流是由于分子两端与电极的耦合不对称,使正负偏压下分子能级的移动和空间轨道分布不同所致.比较而言,S端基与电极的耦合导致的整流比Se强.
- 邓小清周继承张振华
- 关键词：电子输运
- 单壁碳纳米管的电子速度及有效质量被引量：1
- 2008年
- 利用单壁碳纳米管(SWCNTs)能量色散关系,计算了最低导带的电子速度和有效质量,重点讨论了SWCNTs中最低导带电子速度和有效质量与波矢及管径大小的关系.结果表明,半导体型锯齿SWCNTs的电子速度和有效质量与其结构参量(管径)有直接的关系.各种椅型SWCNTs(金属型)和金属型锯齿SWCNTs最低导带电子速度和有效质量随波矢的变化规律分别相同,各种半导体型锯齿SWCNTs最低导带电子速度和有效质量随波矢的变化规律则有明显差别.这意味着在低偏压下,不同管径的椅型SWCNTs和金属型锯齿SWCNTs输运性能相同,而各种不同管径半导体型锯齿SWCNTs输运性能有明显差别.
- 支少锋张振华邱明彭景翠
- 关键词：碳纳米管
- 碳链输运对基团吸附的敏感性分析被引量：4
- 2010年
- 基于局域原子轨道的密度泛函理论和非平衡格林函数方法,研究了碳链输运特性对分别吸附7种常见官能团NO2,CN,CHO,Br,C6H5,C5H4N和NH2时的敏感性.计算表明,电流对C6H5和CHO的吸附最为敏感,其次是对CN和C5H4N的吸附,在某些偏压下电流有大幅度的下降,其值仅为未吸附官能团体系的1/2,甚至接近1/3.对于吸附官能团为NO2,NH2及Br时,电流变化较小.这种边基对输运的影响是由于基团的吸附使本征通道被强烈抑制、碳链上布居数改变、最高已占分子轨道及最低未占分子轨道的离域性降低以及共振分子轨道的改变所造成.
- 邱明张振华邓小清
- 关键词：碳链输运特性密度泛函理论非平衡格林函数
- SrAl_(2x)O_(3x+1):Eu^(2+),Dy^(3+)(x=1～2)合成及其余辉特性分析被引量：2
- 2010年
- 通过调节基质组份比例,研究了SrAl2xO3x+1∶Eu2+,Dy3+(x=1~2)荧光粉晶体结构,发光性质及长余辉特性。选取硝酸锶和硝酸铝作为基质原材料,硼酸氨和氟化铝作为助溶剂,采用阳离子草酸盐共沉淀,湿法预先混合原材料及分步合成等方法,制备了亮度高、余辉长及良好粒径分布的系列长余辉发光材料。基于对样品X射线衍射(XRD)图谱,扫描电子显微镜(SEM)照片,激发、发射光谱及余辉衰减曲线分析,发现SrAl2xO3x+1∶Eu2+,Dy3+具有良好的结晶状态;随x增加,发射光谱峰值从520 nm蓝移至470 nm;衰减到可辨认发光强度0.32 mcd/m2,余辉时间可相应地从30 h延长到60 h以上。通过分析发现表现不同余辉特性的主要原因是Eu2+在基质中具有不同浓度、不同衰减寿命的蓝、绿两种发光中心造成的,其中蓝发光中心寿命明显高于绿发光中心。
- 袁剑辉
- 关键词：长余辉发光中心
- 单壁碳纳米管电子输运特性的稳定性分析被引量：13
- 2009年
- 基于变形单壁碳纳米管能量色散关系,计算了碳纳米管最低导带的电子速度及有效质量随形变系数变化的各种曲线,以此推测碳纳米管输运性质的稳定性问题.计算结果表明:对于特定类型的碳纳米管,只当其形变发生在某特定方向、且处于低形变(形变系数ε≤0.02)区时,电子平均速度vmean及平均有效质量mm*ean随形变改变才会很小(相对改变量≤2%),这意味着此时的碳纳米管低偏压电子输运性能是基本稳定的.而其他形变情形,电子平均速度vmean或电子平均有效质量mm*ean或两者随形变变化明显,甚至有跃变,这意味着其低偏压电子输运性能是不稳定的,甚至极不稳定.
- 梅龙伟张振华丁开和
- 低偏压分子电子器件的电导规律
- 2009年
- 采用简化的对称势垒连续隧穿模型模拟复合分子线电子器件低偏压下电子隧穿过程,并由电子透射谱随垒宽、垒距、垒高及电子有效质量的变化规律推断低偏压下分子器件的电导规律.结果发现:随着势垒增宽或增高,分子器件的低偏压电导G明显变小;但是随着垒距或电子有效质量增大,则分子器件的低偏压电导G反而变大.这表明可以通过适当的控制方式(如改变复合分子组成、构型等)来修改分子电子器件的低偏压输运性质.
- 张振华李巧华
- 关键词：分子器件
- 空位结构缺陷对C纳米管弹性性质的影响被引量：5
- 2009年
- 用分子动力学方法对不同空位缺陷的扶手椅型与锯齿型单壁C纳米管杨氏弹性模量进行了计算和分析.结果表明:扶手椅型(5,5),(10,10)和锯齿型(9,0),(18,0)纳米管在无缺陷时其杨氏模量分别为948,901和804,860GPa.随管径的增大,扶手椅型和锯齿型单壁C纳米管弹性模量分别减小和增大,表现出完全不同的变化规律.随着C纳米管中单点空位缺陷的均匀增加,杨氏模量下降,当缺陷比率增加到一定程度时,杨氏模量下降骤然趋缓,形成一下降平台;双空位缺陷对C纳米管杨氏模量的影响与其分布方向有关;随单点空位缺陷间原子数的增加,在轴向上,杨氏模量下降到某一值小幅波动,而在周向上杨氏模量先下降,然后上升到某一稳定值.随两单点空位缺陷的空间距离进一步增大,杨氏模量又呈微降趋势.通过分子间σ键与π键特征及缺陷间近程电子云耦合作用规律与空位缺陷内部5-1DB缺陷的形成特点等理论对上述规律进行了分析.
- 袁剑辉程玉民张振华
- 关键词：空位缺陷分子动力学杨氏模量
