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国家高技术研究发展计划(2006AA03A105)

作品数:17 被引量:245H指数:7
相关作者:罗毅韩彦军钱可元汪莱张贤鹏更多>>
相关机构:清华大学勤上光电股份有限公司更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学电气工程建筑科学更多>>

文献类型

  • 17篇中文期刊文章

领域

  • 14篇电子电信
  • 4篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇建筑科学
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 4篇氮化镓
  • 4篇发光
  • 4篇LED
  • 3篇功率
  • 3篇二极管
  • 3篇发光二极管
  • 3篇半导体
  • 3篇大功率
  • 2篇热阻
  • 2篇结温
  • 2篇半导体照明
  • 2篇背光
  • 2篇背光源
  • 2篇ALGAN/...
  • 2篇GAN
  • 2篇衬底
  • 2篇大功率LED
  • 1篇单片
  • 1篇单片集成
  • 1篇氮化镓基发光...

机构

  • 15篇清华大学
  • 1篇勤上光电股份...

作者

  • 15篇罗毅
  • 10篇韩彦军
  • 8篇钱可元
  • 5篇汪莱
  • 4篇江洋
  • 4篇张贤鹏
  • 3篇席光义
  • 3篇李洪涛
  • 3篇赵维
  • 2篇熊兵
  • 2篇徐建明
  • 2篇孙长征
  • 2篇王霖
  • 2篇薛小琳
  • 1篇郝智彪
  • 1篇黄缙
  • 1篇胡飞
  • 1篇刘洪涛
  • 1篇蔡鹏飞
  • 1篇任凡

传媒

  • 6篇半导体光电
  • 3篇物理学报
  • 2篇Chines...
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇中国激光
  • 1篇光电工程
  • 1篇液晶与显示

年份

  • 3篇2010
  • 3篇2009
  • 7篇2008
  • 4篇2007
17 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Effects of AlN nucleation layer thickness on crystal quality of AlN grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
2010年
In this paper, the effects of thickness of AlN nucleation layer grown at high temperature on AlN epi-layer crystalline quality are investigated. Crack-ftee AlN samples with various nucleation thicknesses are grown on sapphire substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy. The AlN crystalline quality is analysed by transmission electron microscope and x-ray diffraction (XRD) rocking curves in both (002) and (102) planes. The surface profiles of nucleation layer with different thicknesses after in-situ annealing are also analysed by atomic force microscope. A critical nucleation thickness for realising high quality AlN films is found. When the nucleation thickness is above a certain value, the (102) XRD full width at half maximum (FWHM) of AlN bulk increases with nucleation thickness increasing, whereas the (002) XRD FWHM shows an opposite trend. These phenomena can be attributed to the characteristics of nucleation islands and the evolution of crystal grains during AlN main layer growth.
任凡郝智彪胡健楠张辰罗毅
功率型LED封装中的热阻分析被引量:9
2009年
芯片固晶过程是影响功率型LED封装热阻的重要方面。分析了银胶、共晶合金等不同导热率的固晶材料产生的固晶热阻的大小,并基于正向电压测结温法首次提出了一种测量LED固晶热阻的方法,得到了很好的测量结果,能有效分析封装结构中各部分引入的热阻的大小。
刘洪涛钱可元罗毅
关键词:大功率LED结温
ICP刻蚀p-GaN表面微结构GaN基蓝光LED被引量:5
2008年
采用基于Cl2/Ar/BCl3气体的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术制作了p-GaN表面具有直径3μm、周期6μm的二维圆孔微结构GaN基蓝光LED,研究了刻蚀深度对光荧光(PL)和发光二极管(LED)光电特性的影响。结果表明,刻蚀深度为25 nm的表面微结构,与传统平面结构相比,其PL增强了42.8%;而采用ITO作为透明电极的LED,在20 mA注入电流下,正面出光增强了38%、背面出光增强了10.6%,同时前向电压降低了0.6 V,反向漏电流基本不变。
张贤鹏韩彦军罗毅薛小琳汪莱江洋
关键词:氮化镓基发光二极管湿法腐蚀
LED波长一致性和温度均匀性对背光源色差的影响被引量:7
2010年
直下式动态三基色LED背光源具有色域广、寿命长、节能环保、对比度高等优势,但许多因素限制了其颜色的表现力。研究了LED波长一致性、背光温度均匀度两个因素对色差的影响,指出为使色差小于人眼所能分辨范围(CIE1976色坐标体系Δu′v′小于0.005),LED的主波长波动范围应低于5nm,背光源不同位置的最大温差应低于8℃。
刘煜原罗毅韩彦军钱可元
关键词:色差
半导体照明关键技术研究被引量:28
2007年
以GaN基功率型发光二极管为核心的半导体照明光源,已经展示了广阔的应用前景,但其流明效率和公认的200lm/W的路线图目标相比还有较大的发展空间。从材料外延、管芯制作、器件封装和系统应用等方面介绍了半导体照明关键技术的最新进展,其中包括清华大学集成光电子学国家重点实验室的研究成果,并展望了未来的研究方向。
罗毅张贤鹏韩彦军钱可元
关键词:半导体照明氮化镓发光二极管热阻
热退火对Mg掺杂InGaN/GaN异质结特性的影响
2007年
系统地研究了氧气氛围中退火温度对Mg掺杂InGaN/GaN异质结电学特性及光学性能的影响。电流电压特性和表面方块电阻的测试表明,与p-GaN相比,p-InGaN/GaN异质结的最佳退火温度较低,而且容易与非合金化的Ni/Au电极形成欧姆接触。分析认为InGaN具有的较小带隙能量和p-InGaN/GaN异质结中存在强烈的极化效应以及InN较高的平衡蒸汽压是引起以上结果的主要原因。p-InGaN/GaN异质结10 K的光致荧光光谱中存在两个分别位于2.95eV和2.25 eV的发光峰,随着材料退火温度的提高,这两个发光峰的强度逐渐降低。提出了类施主补偿中心参与的与H相关的络合物与Mg受主的复合发光机制,对退火前后光致荧光光谱的变化进行了解释。
刘中涛韩彦军张贤鹏薛小琳陈栋汪莱罗毅
关键词:退火光致荧光欧姆接触
基于LED的直下式动态LCD背光源被引量:3
2008年
对液晶显示来说,与静态背光源相比,直下式动态背光源具有多种优点。提出了一种基于LED的直下式动态背光源结构,将单个LED发出的光投射区域限制在散光膜的单一区域,即每个LED只负责液晶部分区域的背光照明。基于该结构,对240mm×180mm尺寸的背光源仿真结果进行了理论分析,结果表明其亮度均匀度达到93.1%,ΔU′V′小至0.003545,完全满足背光源应用要求。
刘佳尧钱可元韩彦军罗毅
关键词:背光源LED
BCB/InP基宽带低损耗共面波导微波传输线被引量:3
2008年
面向高速行波电吸收(EA)调制器的需要,设计并制作了基于苯并环丁烯(BCB)聚合物/InP衬底的宽带(0~40GHz)、低损耗微波共面波导传输线。对共面波导结构开展仿真设计,分别对BCB材料厚度、InP衬底导电率和信号电极宽度等关键参数进行了优化。结果表明,当设计的BCB膜厚为4μm、InP衬底导电率小于0.002(Ω·cm)^-1和信号线宽度为84μm时,微波传输性能可达最优。在此基础上,采用电阻率为10^8μΩ·cm的半绝缘(SI)InP衬底、涂覆4μmBCB薄膜,制作出0~40GHz范围内微波损耗小于0.5dB/mm的共面波导传输线。
侯海燕熊兵徐建明周奇伟孙长征罗毅
关键词:共面波导苯并环丁烯
柱状与孔状图形衬底对MOVPE生长GaN体材料及LED器件的影响被引量:7
2009年
在柱状图形蓝宝石衬底(PSS-p)和孔状图形蓝宝石衬底(PSS-h)上外延了GaN体材料和LED结构并进行了详细对比和分析.X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)测试结果表明,PSS-h上体材料的晶体质量和表面形貌都优于PSS-p上体材料的特性,通过断面扫面电子显微镜(SEM)照片看出PSS-h上GaN的侧向生长是导致这种差异的原因.另外,基于PSS-p和PSS-h上外延的LED材料制作而成的器件结果表明,其20mA下光功率水平相比普通蓝宝石衬底(CSS)分别提高了46%和33%.通过变温光荧光谱(PL)分析发现,样品的内量子效率十分接近.因此,可以推断PSS-h上侧向外延中存留的空气隙则会影响光提取效率的提高.
江洋罗毅汪莱李洪涛席光义赵维韩彦军
关键词:蓝宝石图形衬底氮化镓
AlGaN表面坑状缺陷及GaN缓冲层位错缺陷对AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的影响被引量:3
2008年
利用金属有机气相外延(MOVPE)技术生长了具有不同AlGaN表面坑状缺陷和GaN缓冲层位错缺陷密度的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)样品,并对比研究了两种缺陷对器件栅、漏延迟电流崩塌效应的影响.栅延迟测试表明,AlGaN表面坑状缺陷会引起栅延迟电流崩塌效应和源漏电阻的增加,而且表面坑状缺陷越多,栅延迟电流崩塌程度和源漏电阻的增加越明显.漏延迟测试显示,AlGaN表面坑状缺陷对漏延迟电流崩塌影响不大,而GaN缓冲层位错缺陷主要影响漏延迟电流崩塌.研究结果表明,AlGaN表面坑状缺陷和GaN缓冲层位错缺陷分别是引起AlGaN/GaN HEMT栅、漏延迟电流崩塌的电子陷阱来源之一.
席光义任凡郝智彪汪莱李洪涛江洋赵维韩彦军罗毅
关键词:ALGAN/GAN电流崩塌
共2页<12>
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