北京市自然科学基金(2982013)
- 作品数：8 被引量：59H指数：4
- 相关作者：陈光华杨宁张生俊张阳朱鹤孙更多>>
- 相关机构：北京工业大学北京理工大学湛江师范学院更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金北京市科技新星计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术化学工程更多>>
- 结晶β-C_3N_4薄膜的制备和特性研究(英文)
- 2000年
- 用电子回旋共振等离子体化学汽相沉积 (ECRCVD)法 ,在单晶硅 (10 0 )衬底上沉积生长出了具有 { 2 2 1}结构特性的连续的结晶态 β C3N4 薄膜。使用扫描电镜 (SEM)观测了沉积薄膜的形态 ;采用X射线光电子光谱 (XPS) ,X射线衍射 (XRD)和拉曼散射表征薄膜的结构。研究表明 ,沉积结晶态 β C3N4 薄膜具有 { 2 2 1}结构特性。
- 陈光华张阳朱鹤孙杨宁
- 关键词：氮化碳薄膜
- 结晶β-C<sub>3</sub>N<sub>4</sub>薄膜的制备和特性研究（英文）
- 2000年
- 用电子回旋共振等离子体化学汽相沉积 (ECRCVD)法 ,在单晶硅 (10 0 )衬底上沉积生长出了具有 { 2 2 1}结构特性的连续的结晶态 β C3N4 薄膜。使用扫描电镜 (SEM)观测了沉积薄膜的形态 ;采用X射线光电子光谱 (XPS) ,X射线衍射 (XRD)和拉曼散射表征薄膜的结构。研究表明 ,沉积结晶态 β C3N4 薄膜具有 { 2 2 1}结构特性。
- 陈光华张阳朱鹤孙杨宁
- 关键词：化学汽相沉积
- 全文增补中
- 几种新型超硬薄膜的研究进展被引量：11
- 2001年
- 超硬材料主要由Ⅲ ,Ⅳ ,Ⅴ族共价键化合物 (碳化物、氮化物 )和单质 (金刚石 )组成 ,硬度高于 4 0GPa ,有单晶、多晶、非晶等多种 .除金刚石外 ,这些材料都是人工合成的 ,没有天然对应物 .除超硬性质以外 ,这些材料大都具有宽带隙、高温稳定性、化学惰性等优良的物理化学性质 .新型超硬薄膜材料研究从金刚石开始 ,目前主要的研究对象有金刚石、类金刚石碳 (DLC)、立方氮化硼 (cBN)、氮化碳 (C3N4 ,CNx)、硼碳氮 (BCN)等 ,是近二十年来材料研究的热门方向之一 .文章结合作者近年来的工作 ,介绍这几种超硬薄膜的研究进展和展望 .
- 张生俊陈光华邓金祥宋雪梅邵乐喜
- 关键词：超硬材料金刚石立方氮化硼氮化碳超硬薄膜
- 热丝辅助ECR CVD制备cBN薄膜被引量：3
- 2003年
- 立方氮化硼(cBN)是一种具有广泛应用价值的Ⅲ-Ⅴ族二元化合物,其优异性质可与金刚石相比拟或胜之。立方氮化硼的制备与性能研究是近二十年来材料领域关注的焦点之一。我们用热丝辅助ECR CVD方法制备了cBN薄膜,并初步探讨了热丝对cBN形成的作用。偏压并不是cBN形成的唯一主要条件,活性粒子也有非常关键的作用。
- 张生俊陈光华
- 关键词：CBNECRCVD热丝
- BN纳米管——一种新型的纳米材料被引量：4
- 2002年
- 文章综述了BN纳米管的最新进展 ,介绍了BN纳米管的结构和制备技术发展情况 ,包括电弧放电、电弧熔融、激光烧蚀、机械球磨、碳纳米管取代反应和化学反应法 ,探讨了BN纳米管的机械和电学性质 ,并展望了BN纳米管的应用前景 ,提出了BN纳米管的发展方向 .
- 邢光建陈光华
- 关键词：BN纳米管纳米材料机械力学性能电学性质
- 薄膜生长的理论模型与Monte Carlo模拟被引量：30
- 2000年
- 用MonteCarlo方法模拟了薄膜的二维生长 .引入Morse作用势描述粒子间的相互作用情况 ,研究了相互作用范围α对薄膜生长初期形貌的影响 .薄膜的生长经历了由临界核的形成、团的长大、形成迷津结构到连续成膜 4个阶段 .模拟结果表明 ,随着沉积粒子数的增加 ,成团粒子所占百分比下降 .这与实际情况相符 .
- 杨宁陈光华张阳公维宾朱鹤孙
- 关键词：薄膜生长MORSE势蒙特卡罗模拟
- 宽带隙立方氮化硼薄膜制备被引量：9
- 2001年
- 报道了用偏压调制射频溅射方法制备宽带隙立方氮化硼 ( c- BN)薄膜的实验结果 .研究了衬底负偏压对制备c- BN薄膜的影响 .c- BN薄膜沉积在 p型 Si( 10 0 )衬底上 ,溅射靶为六角氮化硼 ( h- BN) ,工作气体为 Ar气和 N2 气混合而成 ,薄膜的成分由傅里叶变换红外谱标识 .结果表明 ,在射频功率和衬底温度一定时 ,衬底负偏压是影响 c-BN薄膜生长的重要参数 .在衬底负偏压为 - 2 0 0 V时得到了立方相含量在 90 %以上的 c- BN薄膜 .还给出了薄膜中的立方相含量随衬底负偏压的变化 ,并对 c-
- 邓金祥王波严辉陈光华
- 关键词：立方氮化硼射频溅射宽带隙
- 新型金刚石薄膜场电子发射的特性被引量：3
- 2000年
- 介绍了用微波ＣＶＤ法制备的一种新型低阈值电压大电流密度金刚石薄膜场发射冷阴极，阈值电压低于１．０９ Ｖ／μｍ，场发射电流密度高达４１８ ｍＡ／ｃｍ２，这是目前文献中报道的最好结果之一．文中还探讨了金刚石薄膜场电子发射机制．
- 陈光华张生俊宋雪梅李英兰张阳
- 关键词：金刚石薄膜场电子发射负电子亲和势
