湖南省自然科学基金(06JJ30022)
- 作品数：1 被引量：8H指数：1
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- 相关领域：理学更多>>
- Nd掺杂对Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜的微结构和铁电性能的影响被引量：8
- 2007年
- 利用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了Nd掺杂Bi4Ti3O12(Bi4-xNdxTi3O12,x=0.00,0.30,0.45,0.75,0.85,1.00,1.50)铁电薄膜样品.研究了Nd掺杂对Bi4Ti3O12薄膜的微结构和铁电性能的影响.研究结果表明:Nd掺杂未改变Bi4Ti3O12薄膜的基本晶体结构.在掺杂量x<0.45时,Nd3+只取代类钙钛矿层中的A位Bi3+.当x=0.45时,样品剩余极化强度达最大值,在270kV.cm-1的电场下为32.7μC.cm-2.掺杂量进一步增加时,结构无序度开始明显增大,Nd3+开始进入(Bi2O2)2+层,削弱其绝缘层和空间电荷库的作用,导致材料剩余极化逐渐下降.当掺杂量x达到1.50时,掺杂离子最终破坏(Bi2O2)2+层的结构,材料发生铁电-顺电相变.
- 谭丛兵钟向丽王金斌廖敏周益春潘伟
- 关键词：ND掺杂BI4TI3O12拉曼频移铁电性能
