浙江省教育厅科研计划项目(Y200803369)
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
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- 相关机构：浙江大学浙江工业大学之江学院浙江工业大学更多>>
- 发文基金：浙江省教育厅科研计划浙江省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- ZnO:Ag薄膜的生长及电学性质研究
- 2010年
- p-型ZnO材料因在紫外光电器件方面的潜在应用价值而受到人们的广泛关注。采用反应电子束蒸发法在白宝石上生长了ZnO：Ag薄膜,生长温度范围从150~250°C。研究表明：在该温度范围生长的ZnO：Ag薄膜具有n-型导电特征,但通过退火可以实现p-型导电。当退火温度为300°C时,ZnO：Ag薄膜的空穴浓度为2.8×1016 cm-3,电阻率为1.0 kΩ.cm,空穴的迁移率为0.22 cm2/V.s。当在350°C下进一步退火,薄膜仍为p-型导电,但空穴浓度减小为2.1×1015 cm-3,电阻率增大到5.0 kΩ.cm。通过对ZnO：Ag薄膜的X射线衍射谱分析发现,ZnO：Ag电学性质的变化与薄膜中Ag＋替代Zn2＋的浓度有关。
- 隋成华徐天宁郑东蔡霞夏娟原子健
- 关键词：ZNO薄膜AG2O
- Ag/ZnO纳米结构的荧光增强效应被引量：2
- 2014年
- 利用化学合成方法制备了Ag纳米线和ZnO量子点。对这两种纳米结构的表面形貌、晶体结构和光学性质分别进行了研究。结果表明:Ag纳米线和ZnO量子点均为单晶结构,平均直径分别为160 nm和5 nm左右。将Ag纳米线混入ZnO量子点可以使其紫外荧光显著增强,其中位于345 nm和383 nm的荧光分别增强30倍和12倍。这与Ag纳米线和ZnO量子点混合体系的局域表面等离子体共振耦合吸收峰位相一致,说明该体系存在两种共振耦合模式。该研究结果为将来开发ZnO基纳米发光器件提供了一条新的途径。
- 徐天宁李佳李翔隋成华吴惠桢
- 关键词：AG纳米线
- Al/ZnO:Al薄膜结构的荧光增强效应被引量：1
- 2013年
- 利用物理气相沉积设备制备了Al/ZnO∶Al薄膜样品,研究了该薄膜结构的发光特性。结果表明,在ZnO∶Al薄膜表面镀一层Al岛薄膜可以增强其带边荧光,同时在475 nm附近产生蓝光峰。通过在Al岛薄膜和ZnO∶Al薄膜之间引入一层5 nm的Ta2O5绝缘层可以使ZnO∶Al薄膜的带边荧光和蓝光显著增强,并随着Ta2O5绝缘层厚度的增大而减弱。通过对Al/ZnO∶Al样品进行退火处理可以使带边荧光和蓝光峰分别增强9倍和83倍。基于局域表面等离子体共振理论,计算了Al/ZnO∶Al纳米结构的光学散射和吸收截面曲线。实验结果与理论计算相一致。
- 徐天宁卢忠隋成华吴惠桢
- 关键词：ZNO荧光增强
