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国家自然科学基金(10804026)

作品数:7 被引量:8H指数:1
相关作者:甄聪棉侯登录马丽赵翠莲潘成福更多>>
相关机构:河北师范大学烟台大学东北大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金河北省自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 4篇理学
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇铁磁
  • 2篇铁磁性
  • 2篇溅射
  • 2篇掺杂
  • 2篇磁控
  • 2篇磁性
  • 1篇单分散
  • 1篇单分散性
  • 1篇导电
  • 1篇形貌
  • 1篇氧化硅
  • 1篇栅介质
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控反应...
  • 1篇室温铁磁性
  • 1篇酰亚胺
  • 1篇微电子
  • 1篇微电子材料
  • 1篇微球
  • 1篇温度

机构

  • 6篇河北师范大学
  • 1篇东北大学
  • 1篇河北北方学院
  • 1篇烟台大学
  • 1篇燕山大学
  • 1篇河北省新型薄...
  • 1篇河北水利电力...

作者

  • 6篇甄聪棉
  • 3篇马丽
  • 3篇侯登录
  • 2篇潘成福
  • 2篇赵翠莲
  • 1篇王文海
  • 1篇吴现成
  • 1篇周鸿娟
  • 1篇王星
  • 1篇孟旭东
  • 1篇徐大印
  • 1篇王晓强
  • 1篇张永进
  • 1篇张道明
  • 1篇李秀玲
  • 1篇赵丽丽
  • 1篇郭德峰
  • 1篇郑玉龙
  • 1篇刘秀敏
  • 1篇李国杰

传媒

  • 3篇物理学报
  • 1篇光谱实验室
  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇河北师范大学...
  • 1篇材料导报(纳...

年份

  • 3篇2013
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
聚酰亚胺薄膜的离子束改性及低温导电特性研究被引量:1
2009年
在室温下用3MeV的硅离子对聚酰亚胺(PI)薄膜进行注入,注入离子浓度为1×1012~1×1015ions/cm2。对注入后的样品进行了拉曼光谱和电学性质的测试。拉曼分析表明:随注入量的增大,PI薄膜的结构有从绝缘体→类金刚石→石墨这样一个逐渐碳化的变化过程,即样品中的苯环,-CH3-等官能团减少,说明样品随注入量的增大逐渐碳化;电学性质测量表明,随着注入量的增大,样品的电阻逐渐下降。分析认为离子注入使聚合物碳化是引起聚合物电学性质发生改变的重要原因。
王晓强甄聪棉
关键词:聚酰亚胺薄膜改性
高k栅介质的研究进展被引量:5
2008年
随着集成电路的飞速发展,半导体器件特征尺寸按摩尔定律不断缩小。SiO_2栅介质将无法满足Metaloxide-semiconductor field-effect transistor(MOSFET)器件高集成度的需求。因此,应用于新一代MOSFET的高介电常数(k)栅介质材料成为微电子材料研究热点。介绍了不断变薄的SiO_2栅介质层带来的问题、对MOSFET栅介质材料的要求、制备高k薄膜的主要方法,总结了高k材料的研究现状及有待解决的问题。
卢振伟吴现成徐大印赵丽丽张道明王文海甄聪棉
关键词:微电子材料栅介质厚度
N掺杂SiO_2纳米薄膜的制备及其磁性
2010年
利用射频磁控反应溅射技术,制备了氮掺杂的SiO2纳米薄膜.发现N掺杂SiO2体系纳米薄膜具有铁磁性.较小的氮化硅颗粒均匀分布在氧化硅基质中有利于磁有序的形成.基底温度为400℃时,样品薄膜具有最大的饱和磁化强度和矫顽力,分别为35emu/cm3和75Oe.薄膜的磁性可能产生于氮化硅和氧化硅的界面.理论计算表明,N掺杂SiO2体系具有净自旋.同时,由氮化硅和氧化硅界面之间的电荷转移导致的轨道磁矩也会对样品的磁性有贡献.
周鸿娟甄聪棉张永进赵翠莲马丽侯登录
关键词:射频磁控反应溅射基底温度
纳米SiCN薄膜的制备和光致发光
2013年
采用磁控溅射技术制备了SiCN薄膜,利用傅里叶红外光谱仪、扫描探针显微镜、荧光分光光度计对薄膜结构、表面形貌、光致发光进行了表征。结果表明SiCN薄膜有良好的发光性质,通过对薄膜的红外光谱及光致发光谱分析可知,当氩气和氮气流量比为4:1时,最有利于SiCN薄膜的生成,PL发光峰强度也达到最大值,SiCN薄膜的光发射主要来源于带-带直接辐射复合及导带底到缺陷态辐射跃迁。
孟旭东
关键词:磁控溅射光致发光
单分散性二氧化硅微球的制备条件和形成机理被引量:1
2013年
通过滴加方式、反应物配比和反应温度的调控,研究了二氧化硅微球的合成条件.正硅酸已酯(TEOS)和乙醇(C2H5OH)的混合液采用分步匀速滴加合成的二氧化硅微球的单分散性和球形度较理想;当V(TEOS)∶V(NH4OH)=1∶1时,球的单分散性和窄分布较好;反应温度为35℃时,生成的微球单分散性最好;适宜的反应时间为30min.
刘秀敏王星李国杰甄聪棉郭德峰
关键词:二氧化硅微球温度
Si-Al_2O_3复合薄膜的室温铁磁性
2011年
在Si-Al2O3复合薄膜中观察到室温铁磁性.Si的体积百分比为15%的Si-Al2O3复合薄膜的磁性最强.Si的含量影响样品的磁有序,在样品中观察到了明显的磁畴.在不同气氛下,对样品进行快速热退火.退火样品的磁性测试结果的差别表明氧空位不是样品铁磁性的主要来源.我们认为铁磁性来源于Si与Al2O3基质界面之间的缺陷的磁耦合.改变Si的含量可以改变缺陷密度,从而控制铁磁耦合强度.
郑玉龙甄聪棉马丽李秀玲潘成福侯登录
关键词:AL2O3薄膜室温铁磁性掺杂
Ge纳米结构的形貌与铁磁性研究被引量:1
2013年
利用等离子体增强化学气相沉积技术制备了厚度不同的Ge薄膜,随着样品厚度的减小,样品表现出了室温铁磁性.厚度为12nm样品经过300C退火后,由于颗粒细化,颗粒之间的界面增加,界面缺陷增加,样品表现出最大的铁磁性(50emu/cm3).场冷却和零场冷却曲线测试表明居里温度约为350K.进行600C退火后,颗粒团聚,样品的铁磁性最小.当样品厚度进一步减小为6nm时,沉积态样品表现出铁磁性和顺磁性共存.对6nm厚的样品进行300C退火后,样品只具有铁磁性.进行600C退火后,样品却只具有顺磁性.12nm和6nm厚的Ge纳米结构薄膜随退火温度变化表现出不同的磁性规律,我们认为是由于样品的颗粒大小和颗粒分布不同造成的.样品越薄,Si基底与Ge薄膜之间的界面缺陷越明显,界面缺陷以及Ge颗粒之间的界面缺陷为样品提供了未配对电子,未配对电子的铁磁性耦合强度与样品颗粒的分布以及颗粒之间的结合有一定的关系.颗粒之间分散或颗粒之间的融合程度大都将会降低样品的铁磁性.
赵翠莲甄聪棉马丽潘成福侯登录
关键词:铁磁性
共1页<1>
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