国家教育部博士点基金(20060335035)
- 作品数：9 被引量：39H指数：4
- 相关作者：吴惠桢徐天宁斯剑霄戴宁夏明龙更多>>
- 相关机构：浙江大学中国科学院中国科学院国家天文台更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程更多>>
- MBE生长PbSe/PbSrSe量子阱结构的光致中红外发光的研究被引量：4
- 2009年
- 研究了分子束外延技术生长的PbSe/PbSrSe多量子阱结构的中红外光致荧光现象.高分辨率X射线衍射(HRXRD)谱观察到了多量子阱所特有的多级卫星峰,表明量子阱界面陡峭.变温光致荧光谱测量显示量子阱结构对电子空穴有强的限制效应,在相同温度下,量子阱样品的荧光峰峰位相对PbSe体材料有一定的蓝移.发现量子阱样品的荧光强度同温度有关,温度从150K上升到230K时,荧光强度逐渐增大,温度继续升高,荧光强度缓慢下降,但在高于室温时,仍能观察到较强的荧光发射,这说明该量子阱结构材料具有应用于室温工作的中红外光电子器件的前景.
- 蔡春锋吴惠桢斯剑霄孙艳戴宁
- PbTe／PbSrTe半导体非对称量子阱中的Rashba效应被引量：6
- 2008年
- 窄带隙半导体异质结构的自旋效应最近受到了国际上的很大关注.Ⅳ-Ⅵ族半导体具有各向异性和多能谷的特征,因此可以预期Rashba自旋效应在不同取向的Ⅳ-Ⅵ族半导体量子阱结构中存在显著差异.计算了多个取向的Pb1-y SryTe/PbTe/Pb1-x SrxTe非对称量子阱中的Rashba分裂能,结果表明[100]取向的PbTe量子阱的Rashba分裂能在阱宽为5.0nm时高达2.2meV,而沿其他两个主要方向([110],[111])生长的量子阱由于能谷的退简并存在两组Rashba分裂能.给出了Rashba自旋分裂能与量子阱非对称参量、阱宽、温度和波矢k∥的依赖关系.Ⅳ-Ⅵ族半导体非对称量子阱结构比Ⅲ-Ⅴ族半导体具有更大的Rashba自旋分裂能,这一特点使得它在自旋电子器件领域可能具有潜在的应用价值.
- 徐天宁吴惠桢隋成华
- 关键词：非对称量子阱
- 分子束外延PbTe薄膜中的红外光电导探测器被引量：1
- 2010年
- 中红外探测器在诸多领域具有重要的应用,目前,我国在PbTe、PbSe中红外探测器方面研制较少,通过分子束外延技术、以CdZnTe(111)为衬底生长PbTe外延薄膜,XRD表征表明:PbTe外延薄膜是单晶薄膜,且与衬底具有相同(111)取向,光吸收光谱测量得到外延薄膜的光学吸收边位于3.875μm,光致发光谱显示发光波长位于3.66μm,蓝移是红外激光泵浦导致PbTe温升所致。以PbTe为有源区材料、ZnS薄膜作为钝化和绝缘材料,用AuPtTi合金作为欧姆接触电极,研制了PbTe光电导中红外探测器原型器件,探测器在78K温度下的光电导响应在红外波段的1.5～5.5μm,探测率约为2×109cm·Hz1/2·W-1。最后,对影响探测器工作的因素和改进方法进行了讨论。
- 何展魏晓东蔡春锋斯剑霄吴惠桢张永刚方维政戴宁
- 关键词：PBTE
- 空间太阳望远镜消杂散光分析被引量：15
- 2010年
- 为了降低杂散光对空间太阳望远镜(SST)成像的影响,设计了消杂散光装置。首先,基于蒙特卡罗和光线追迹相结合的方法分析系统的杂散光,找到杂散光的一次散射面和关键遮拦面。其次,根据消杂散光理论,结合建模软件SolidWorks和仿真软件TracePro,分别讨论了几种元件对SST系统杂散光消除的有效性。最后,为系统添加了一级消杂散光装置,并评估了该装置对杂散光抑制的效果。引入了等效杂散光亮度的估算方法和挡光环尺寸的作图求解法,为工程应用提供了一整套设计消杂散光装置的思路和方法。
- 邓超
- 关键词：空间太阳望远镜杂散光
- 分子束外延PbTe/Cd0.98Zn0.02Te异系材料的微结构特性研究被引量：2
- 2008年
- 采用分子束外延方法在Ⅱ-Ⅵ族Cd_(0.98)Zn_(0.02)Te(111)衬底上实现了异系Ⅳ-Ⅵ族半导体(PbTe)的外延生长.原子力显微镜(AFM)的表面形貌表征表明,PbTe表面形貌主要由三角形台阶线和螺旋形台阶面构成;理论计算表明,螺旋形台阶面的分布受到滑移位错弹性应变能的影响.通过高分辨透射电镜(HRTEM)观察,发现在PbTe和Cd_(0.98)Zn_(0.02)Te界面处存在Frank位错.分析表明,这些Frank位错在运动过程中会形成不同的位错组态,位错组态的相互作用是表面上形成三角形台阶线和螺旋形台阶面的主要原因.
- 斯剑霄吴惠桢徐天宁夏明龙王擎雷陆叶青方维政戴宁
- 关键词：位错运动
- PbTe/CdTe量子点的光学增益被引量：6
- 2008年
- PbTe/CdTe量子点是一类新型异系低维结构材料,实验发现具有强的室温中红外光致发光现象.为研究这一材料体系的发光特性,建立了理论模型,计算了PbTe/CdTe量子点的光学跃迁和增益.模型基于k.p包络波函数方法并考虑了PbTe能带结构的各向异性.分析了量子点光学增益与量子点尺寸、注入载流子浓度的关系.结果表明,当注入载流子浓度在(0.3—3)×1018cm-3范围时,尺寸为15—20nm的量子点可以产生大于5000cm-1的光学增益,增益峰位于400meV(3.1μm)附近.量子点尺寸的增大使得增益峰强减小,而量子点尺寸的减小又导致产生光学增益需要更高的注入载流子浓度,优化的PbTe量子点尺寸为15—20nm.
- 徐天宁吴惠桢斯剑霄
- 关键词：光学增益
- PbTe薄膜表面氧化机理研究被引量：2
- 2008年
- 用分子束外延方法在BaF2(111)衬底上生长了PbTe单晶薄膜,原子力显微镜(AFM)的表面形貌表征显示PbTe表面具有单原子层的平整性,并观察到由螺位错形成的螺旋台阶面。高分辨X射线衍射(HRXRD)测量得到PbTe(111)衍射峰的线宽<100 arc sec,表明薄膜具有优良的晶体结构特性。然后将样品暴露于大气环境中3个月后,用X射线光电子谱(XPS)分析了PbTe表面的氧化机理,发现PbTe表面氧化形成了PbO和TeO2,接着将样品在超高真空中加温,同时测量样品表面的Pb、Te、O元素价态、束缚能、含量等参量随温度的变化,发现在温度达到475℃时PbTe样品表面的氧化层已除去,获得了较干净的PbTe表面,为PbTe光电器件工艺提供了实验依据。
- 斯剑霄王擎雷吴海飞张寒洁吴惠桢徐天宁夏明龙
- 关键词：化合物半导体XPS
- PbTe／CdTe量子阱光学性质的研究被引量：4
- 2008年
- PbTe/CdTe量子阱是一类新型异系低维结构材料,实验观察到具有强的室温中红外光致发光现象。建立了理论模型,计算了PbTe/CdTe量子阱的自发辐射率和光学增益。模型中量子阱分立能级的计算采用k.p包络波函数方法和有限深势阱近似,考虑了PbTe能带结构的各项异性和阱层中应变对能级的影响。计算了PbTe/CdTe量子阱自发辐射谱与带间弛豫和注入载流子浓度间的依赖关系,计算结果与实验观察到的光致发光峰相符合。自发辐射谱线峰位随着注入载流子浓度的增加而出现蓝移,当载流子浓度从2×1017cm-3增加到2.8×1018cm-3,基态发射峰从372 meV蓝移到397 meV,而第一激发态发射峰蓝移量为15 meV。上述蓝移现象是由载流子与载流子及载流子与声子间的相互作用引起的。与PbTe体材料相比,PbTe/CdTe量子阱结构具有更高的增益强度(提高近15倍)和更宽的增益区,因而该体系可能是实现室温连续工作的中红外激光器的理想材料。
- 徐天宁李家辉张磊吴惠桢
- Pb_(1-x)Mn_xSe薄膜的光学特性被引量：2
- 2007年
- 采用分子束外延的方法在BaF2(111)衬底上制备出了高质量的Pb1-xMnxSe(0≤x≤0.0681)薄膜.X射线衍射结果表明,Pb1-xMnxSe薄膜为立方相NaCl型结构,没有观察到MnSe相分离现象,薄膜的取向为平行于衬底(111)晶面.晶格常数随着Mn含量的增加逐渐减小,Mn含量由Vegard公式得到.通过理论模拟Pb1-xMnxSe薄膜的透射光谱,得到了Pb1-xMnxSe薄膜的带隙与Mn组分的关系,Pb1-xMnxSe薄膜的带隙宽度由0.28eV(x=0)按e指数形式增加到0.49eV(x=0.0681).同时还获得了Pb1-xMnxSe薄膜在波长为4—9.5μm间的折射率.
- 王擎雷吴惠桢斯剑霄徐天宁夏明龙谢正生劳燕锋
- 关键词：透射光谱带隙折射率
