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浙江省科技攻关计划(2006C11106)

作品数:2 被引量:5H指数:2
相关作者:罗世钦章少杰洪慧孙玲玲吕彬义更多>>
相关机构:杭州电子科技大学更多>>
发文基金:浙江省科技攻关计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇芯片
  • 2篇标签
  • 2篇标签芯片
  • 2篇超高频
  • 1篇低功耗
  • 1篇低压低功耗
  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声
  • 1篇低噪声放大器
  • 1篇射频
  • 1篇射频前端
  • 1篇射频识别
  • 1篇接收前端
  • 1篇混频
  • 1篇混频器
  • 1篇功耗
  • 1篇放大器
  • 1篇UHF
  • 1篇UHF_RF...

机构

  • 2篇杭州电子科技...

作者

  • 2篇孙玲玲
  • 2篇洪慧
  • 2篇章少杰
  • 2篇罗世钦
  • 1篇吕彬义

传媒

  • 2篇电子器件

年份

  • 2篇2009
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
低功耗有源UHF-RFID标签芯片射频前端的设计被引量:2
2009年
采用SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种低功耗的超高频有源RFID标签芯片射频接收前端电路。其中,低噪声放大器(LNA)采用共源共栅源极电感负反馈差分结构,下变频混频器(Mixer)采用吉尔伯特(Gilbert)有源双平衡结构。通过整体及模块电路优化,该电路在较低功耗下仍然具有较好性能。仿真结果表明,整个接收端功耗仅为14 mW,与传统射频前端芯片相比,功耗降低53%;整体增益为21.6 dB,噪声系数7.1 dB,三阶输入截止点-18.9 dBm,满足有源UHF-RFID标签芯片低功耗高性能的应用需求。
罗世钦孙玲玲洪慧章少杰
关键词:超高频低噪声放大器混频器接收前端
低压低功耗无源UHF RFID标签芯片模拟前端电路的设计被引量:3
2009年
本文从设计符合EPCTMC1G2协议的超高频无源射频识别标签芯片的角度出发,对RFID标签芯片模拟前端电路进行设计。通过对各个关键电路的功耗与电源进行优化,实现了一个符合协议要求的低电压、低功耗的超高频无源RFID标签芯片的模拟前端。该UHF RFID标签模拟前端设计采用SMIC 0.18μm EEPROM CMOS工艺库。仿真结果表明,标签芯片模拟前端的整体功耗控制在2.5μW以下,工作电源可低至1 V,更好地满足了超高频无源射频识别标签芯片应用需求。
章少杰孙玲玲洪慧罗世钦吕彬义
关键词:低功耗
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