国家教育部博士点基金(20040533006)
- 作品数：13 被引量：100H指数：7
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- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺冶金工程理学更多>>
- 添加钛对炭/炭复合材料渗铜的影响被引量：23
- 2006年
- 通过铺展实验和渗透实验考查添加钛对铜与C／C复合材料润湿性能的影响。采用真空熔渗的方法成功地将铜合金液渗入到C／C复合材料坯体中。对渗铜后形成的C／C-Cu复合材料进行X射线衍射、金相和扫描电镜分析。结果表明，加入12％～16％（质量分数）的钛元素粉末使铜在C／C复合材料表面有好的铺展性能；含钛铜合金渗入到C／C复合材料中有TiC形成。添加钛元素能改善C／C复合材料渗铜性能的主要原因是改善铜在C／C复合材料中的化学吸附和物理吸附特性；通过毛细管力作用，合金液渗入到C／C复合材料坯体中。
- 易振华易茂中冉丽萍杨琳
- 关键词：C/C复合材料熔渗铜钛润湿性
- 神经网络-遗传算法优化SiC/(Mo,W)Si_2纳米复合材料制备工艺被引量：3
- 2010年
- 应用人工神经网络对SiC/(Mo,W)Si2纳米复合材料热压工艺与材料力学性能的关系进行拟合和预测,并结合遗传算法优化材料的制备工艺。结果表明,SiC/(Mo,W)Si2纳米复合材料的最佳工艺参数为:n(WSi2)/n(MoSi2)为0.48、SiC含量(体积分数)17.2%、热压温度1704℃、保温时间55min。在该工艺条件下制备的SiC/(Mo,W)Si2纳米复合材料抗弯强度为734MPa,预测值为745MPa,与实验值的相对误差仅为1.6%。人工神经网络建模与遗传算法寻优相结合,为解决多维非线性系统的优化问题提供了一个崭新而有效的途径。
- 彭可易茂中刘勋葛毅成杨琳
- 关键词：MOSI2纳米复合材料遗传算法
- 炭/炭复合材料高温抗氧化MoSi_2/SiC复合涂层及其抗氧化特性被引量：13
- 2005年
- 采用两段式包埋法和封闭处理的复合新工艺制得抗氧化性优良的MoSi2/SiC复合梯度C/C复合材料高温抗氧化涂层。涂层由内至外结构为:SiC过渡层→SiC致密层→MoSi2/SiC双相层→以MoSi2为主的外层。对未封闭处理的涂层,制备过程中高温保温时间长的氧化失重少,1200℃、1300℃空气中氧化失重比1400℃、1500℃氧化失重大。用正硅酸四乙酯对涂层表面进行封闭处理,凝胶形成的SiO2可充填涂层表面裂纹并覆盖在涂层表面。在1500℃空气中氧化一定时间后,未封闭处理的涂层试样表现为氧化失重;封闭处理后的试样为氧化增重,氧化52 h仍然只有1.28%的增重,封闭处理使涂层的抗氧化性能明显改善。
- 冉丽萍易茂中蒋建献葛毅成
- 关键词：抗氧化MOSI2SIC
- (Mo_(1-x),W_x)Si_2固溶体的价电子结构及其性能研究被引量：3
- 2010年
- 根据固体与分子经验电子理论(EET),利用平均原子模型对(Mo1-x,Wx)Si2固溶体进行价电子结构分析,并分别与MoSi2和WSi2基体进行比较。结果表明,随着x值的增加,(Mo1-x,Wx)Si2固溶体的主干键络键能、最强键上共价电子数和共价电子总数百分比均逐渐增加,表明固溶体的熔点、硬度和强度均逐渐增加。
- 彭可易茂中冉丽萍葛毅成
- 关键词：价电子结构EET理论
- C/C坯体对RMI C/C-SiC复合材料组织的影响被引量：15
- 2005年
- 以PAN基炭纤维(Cf)针刺整体毡为预制体,用化学气相渗透(CVI)、浸渍炭化(IC)方法制备了不同炭纤维增强炭基体的多孔C/C坯体,采用反应熔渗(RMI)法制备C/C-SiC复合材料,研究了渗Si前后坯体的密度和组织结构。结果表明:不同C/C坯体反应溶渗硅后复合材料的物相组成为SiC相、C相及单质Si相;密度低的坯体熔融渗硅后密度增加较多;密度的增加与开口孔隙度并不是单调增加的关系,IC处理的坯体开口孔隙度低,但渗硅后复合材料的密度增加较多;IC坯体中分布分散的树脂C易与熔渗Si反应,CVI坯体中的热解C仅表层与熔渗Si反应,在Cf和SiC之间有热解C存在;坯体密度相同时,IC处理的坯体中SiC量较多,单质Si相含量少且分散较好,而CVI坯体中SiC量较少,单质Si相的量较多;制备方法相同时,高密度的C/C坯体,渗硅后C相较多。
- 冉丽萍易茂中陈斌
- 关键词：C/C-SIC复合材料显微组织
- 自蔓延热爆合成MoSi_2-WSi_2复合粉末被引量：10
- 2005年
- 以Mo、W和Si粉为原料,采用自蔓延热爆合成制备了不同组分的MoSi2WSi2复合粉末,并利用X射线衍射仪和扫描电镜对合成产物进行了相组成和产物形貌分析。结果表明:热爆反应产物纯净,MoSi2WSi2复合粉末中只有MoSi2和WSi2两相存在;颗粒的大小取决于体系的摩尔生成焓,摩尔生成焓越大,颗粒长大越显著;热爆合成反应以Si的熔化为先导,反应机制为熔化溶解析出长大机制。
- 彭可易茂中冉丽萍
- 关键词：合金化
- MoSi_2价电子结构分析及结合能计算被引量：9
- 2007年
- 根据固体与分子经验电子理论,通过键距差(BLD)方法,计算了金属间化合物MoSi2的价电子结构和理论结合能。结果表明,MoSi2理论结合能为1 677.1 kJ/mol,与实验值吻合。由于Si原子偏移,沿〈001〉方向分布的Si—Si原子键共价电子数最多,nD=0.402 04。MoSi2晶体中含有较高密度的晶格电子,使MoSi2具有良好的导电性。MoSi2晶体中键络分布不均匀性是导致晶体脆性的主要原因。
- 彭可易茂中陶辉锦冉丽萍
- 关键词：二硅化钼价电子结合能脆性
- WSi_2的价电子结构及其性能研究被引量：6
- 2007年
- 根据固体与分子经验电子理论,通过键距差(BLD)方法,计算了金属间化合物WSi2的价电子结构和理论结合能。结果表明,WSi2理论结合能为1859.5kJ/mol,与实验值吻合。WSi2晶体中,沿<331>位向分布的W—Si键的键能最大,EA=33.397kJ/mol,且有32个等同键数,是晶体熔化时必须破坏的主干键络,因而WSi2具有高熔点。WSi2晶体中含有较高密度的晶格电子,使WSi2具有良好的导电性。WSi2晶体中键络分布不均匀性是导致晶体脆性的主要原因。
- 彭可易茂中冉丽萍
- 关键词：价电子结合能导电性脆性
- 添加Al对MSI制备C/C-SiC复合材料组织和力学性能的影响被引量：14
- 2006年
- 以聚丙烯腈(PAN)基炭纤维(Cf)针刺整体毡为预制体,用化学气相渗透(CVI)法制备炭纤维增强炭基体(C/C)的多孔坯体,采用熔融渗硅(MSI)法制备C/C-SiC复合材料,研究了渗剂中添加Al对复合材料组织结构和力学性能的影响。结果表明:C/C坯体反应溶渗硅后复合材料的物相组成为SiC相、C相及残留Si相。随着渗剂中Al量的增加,材料组成相中的Al相也增加而其它相减少;SiC主要分布在炭纤维周围,残留Si相分布在远离炭纤维处,而此处几乎不含Al;当渗剂中Al量由0增加到10%时,复合材料的抗弯强度由116.7 MPa增加到175.4 MPa,提高了50.3%,断裂韧性由5.8 MPa.m1/2增加到8.6 MPa.m1/2,提高了48.2%。Al相的存在使复合材料基体出现韧性断裂的特征。
- 冉丽萍易茂中王朝胜彭可黄伯云
- 关键词：C/C-SIC复合材料显微组织力学性能
- MoSi_2及MoSi_2基复合材料制备技术的新进展被引量：7
- 2006年
- MoSi2是极具应用前景的新型高温结构材料。综述了利用放电等离子烧结、微波烧结、先驱体转化法、自蔓延高温合成和反应熔渗法制备MoSi2及其复合材料的最新研究进展,并提出合金化和纳米颗粒复合化是今后MoSi2基复合材料的研究发展方向。
- 彭可易茂中冉丽萍
- 关键词：二硅化钼复合材料高温结构材料
