福建省教育厅资助项目(JA03009)
- 作品数：7 被引量：25H指数：4
- 相关作者：程树英黄赐昌钟南保陈国南陈岩清更多>>
- 相关机构：福州大学更多>>
- 发文基金：福建省教育厅资助项目中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：动力工程及工程热物理电子电信一般工业技术理学更多>>
- 二硫化铁光电薄膜制备技术的研究进展被引量：1
- 2005年
- 黄铁矿结构的二硫化铁(FeS2)是一种具有合适的禁带宽度(Eg≈0.95 eV)和较高光吸收系数(当λ≤700 nm时,α=5×105cm-1)的半导体材料,而且其组成元素在地球上储量丰富、无毒,有很好的环境相容性。因此,FeS2薄膜在光电子以及太阳能电池材料等方面有潜在的应用前景,受到人们的广泛关注。本文从不同制备方法所制备出的二硫化铁薄膜的研究结果,来分析二硫化铁薄膜的研究状况。
- 钟南保程树英郑明学黄赐昌
- 关键词：光电性能
- 温度对电沉积的SnS薄膜的结构和性能的影响
- 2006年
- 在溶液的pH=2.7,离子浓度比Sn2+/S2O32-=1/5,沉积电位为-0.72^-0.75V(vs.SCE)的条件下,控制溶液的温度在30~50℃之间变化,用阴极恒电位电沉积法在ITO导电玻璃基片上沉积SnS薄膜。通过对薄膜的结构和光学性能研究,结果表明:溶液的温度越高,制备出的SnS薄膜更加致密,均匀,薄膜的衍射峰也越来越明显;同时SnS薄膜对光的吸收范围也向长波方向拓宽。
- 陈岩清程树英
- 关键词：电沉积沉积温度
- 电沉积法制备光电薄膜材料SnS的工艺研究
- 用阴极恒电流沉积法制备SnS薄膜。研究了溶液的pH值、离子浓度比、电流密度等电沉积参数对薄膜组分的影响,得出制备SnS薄膜的比较理想的工艺条件为:pH=2.7,Sn2+:S2O3=1:5,J=3.0mA·cm-2,t=1...
- 程树英钟南保黄赐昌陈岩清陈国南
- 关键词：电沉积电流密度
- 文献传递
- 热蒸发法制备SnS薄膜及其表征被引量：10
- 2005年
- 用热蒸发技术在ITO玻璃基片上沉积SnS薄膜.通过对该薄膜进行结构、成分和表面形貌分析,表明它是具有正交结构的SnS多晶薄膜;相对于恒电流电沉积法制备的SnS薄膜来说,该薄膜颗粒更细,粒径在(60～100) nm,并且它的均匀性和对基片的附着力也更好.通过测量薄膜样品的反射和透射光谱,得到其直接禁带宽度Eg=1.34 eV,在基本吸收边附近的吸收系数大于2×104 cm-1.该薄膜的导电类型为p型,电阻率的数量级为10-2 Ω·cm.因此,用热蒸发技术制备出的SnS薄膜的质量和性能都比较理想,该薄膜非常适合做太阳能电池的吸收层.
- 程树英钟南保黄赐昌陈国南
- 关键词：光电性能热蒸发法
- 光电薄膜SnS的制备及其性能被引量：4
- 2005年
- 在溶液的pH=2.7,离子浓度比Sn2+/S2O2-3=1/5和电流密度J=3.0mA/cm2的条件下,用阴极恒电流沉积法在ITO导电玻璃基片上制备出了Sn0.995S1.005膜层,并用扫描电镜观察了该薄膜的表面形貌,发现其颗粒较均匀,粒径大小在200～800nm之间.用X射线衍射分析了其物相结构,表明它是具有正交结构的SnS多晶薄膜.通过测量薄膜样品的透射光谱和反射光谱,计算得到其直接禁带宽度Eg=1.23eV.用四探针法测得其导电类型为p型,电阻率为7.5Ω·cm.
- 程树英黄赐昌陈岩清陈国南
- 关键词：电沉积光电性能
- 阴极恒电位法电沉积SnS薄膜的性能研究被引量：6
- 2006年
- 在溶液的pH=2.7,离子浓度比[Sn2+]/[S2O32-]=1/5的条件下,通过调节沉积电位在-0.60~1.10V(vsSCE),在ITO导电玻璃基片上电沉积SnS膜层。实验表明:沉积电位在-0.72^-0.75V(vs SCE)范围内时,制备出的SnS薄膜的Sn和S的化学配比非常接近1∶1的理想值。用X射线衍射分析其物相结构,结果表明它是具有正交结构的SnS多晶薄膜。用扫描电镜观察该薄膜的表面形貌,发现该薄膜颗粒较细,均匀性较好。通过测量薄膜样品的透射光谱和反射光谱,计算得到其直接禁带宽度Eg=1.31eV,与SnS体材的带隙(1.3eV)非常接近。该薄膜的导电类型为p型,电阻率的数量级为10-3Ω.cm。
- 程树英陈岩清钟南保黄赐昌陈国南
- 关键词：光电性能
- 阴极恒电流法电沉积SnS薄膜被引量：8
- 2004年
- 用阴极恒电流沉积法制备SnS薄膜。研究了溶液的pH值、离子浓度比、电流密度等电沉积参数对薄膜组分的影响,得出制备SnS薄膜的理想的工艺条件为:pH=2.7,Sn2+:S2O32-=1:5,J=3.0mA·cm-2,t=1.5h,并制备出了成分为Sn0.995S1.005的膜层。用扫描电镜观察了该薄膜的表面形貌,用X射线衍射分析了其物相结构,表明它是具有正交结构的SnS多晶薄膜,晶粒大小不一,在200-800nm之间。用分光光度计测量了该薄膜在400-3000nm波段的透射光谱和吸收光谱,发现其在400-900nm波段的透过率较低,在950-1000nm附近有明显的吸收边,在波长大于1000nm后其透过率较大。
- 程树英陈岩清钟南保黄赐昌陈国南
- 关键词：电沉积电流密度
- 二硫化铁光电薄膜的制备技术的研究现状
- 2005年
- 黄铁矿结构的二硫化铁(FeS2)是一种具有合适的禁带宽度(Eg≈0.95eV)和较高光吸收系数(当λ≤700nm时,α=5×105cm-1)的半导体材料,而且其组成元素在地球上储量丰富、无毒,有很好的环境相容性.因此,FeS2薄膜在光电子以及太阳能电池材料等方面有潜在的应用前景,受到人们的广泛关注.本文从不同制备方法所制备出的二硫化铁薄膜的研究结果,分析二硫化铁薄膜的研究现状.
- 钟南保程树英郑明学黄赐昌
- 关键词：光电性能
