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稀土Dy掺杂对BiFeO3陶瓷样品介电和铁电特性的影响被引量：4: 2011年; 采用传统固相烧结法制备Bi1-xDyxFeO3(x=0,0.05,0.1,0,0.15)陶瓷样品.分别对样品的介电性能、铁电性进行了测量与分析.结果表明:Bi1-xDyxFeO3样品主衍射峰与纯相BiFeO3相吻合且具有良好的晶体结构;BiFeO3样品的介电常数、介电损耗均随Dy3+掺杂量的增加而逐渐增大.在测试频率为103Hz条件下,Bi0.85Dy0.15FeO3(εr=3 305)的rε是BiFeO3(rε=54.2)的50倍;BiFeO3样品2Pr随x的增加而明显增大,当x=0.1,0.15时,样品2Pr分别是BiFeO3的30倍,矫顽电场分别是BiFeO3的3,4倍.其原因主要是Dy3+稳定性优于Bi3+,Dy3+A位替代减少Bi3+挥发而降低氧空位浓度,减小样品的电导和漏电流,进一步提高BiFeO3样品的铁电特性.; 宋桂林刘中山付鹤鹏夏存军李超常方高; 关键词：介电常数介电损耗电滞回线

溅射功率及压强对磁控溅射Mo薄膜电学性能和表面形貌的影响被引量：4: 2011年; 采用直流磁控溅射的方法在普通玻璃衬底上沉积Mo薄膜,研究了工作压强、溅射功率对Mo薄膜的电学性能、表面形貌的影响.实验表明,在我们所使用的压强范围内(0.2~2.0 Pa),溅射压强低时,沉积速率较快,制备出的薄膜导电性能亦较好;0.4 Pa时达到最佳值,电阻率为1.22×10-4Ω.cm,且扫描电镜(SEM)图显示薄膜具有致密、平整的表面形貌;在压强固定时(0.2 Pa),沉积速率随溅射功率(50~150 W)基本呈线性增加,且随溅射功率的增加,制备的Mo薄膜更加致密,显示出连续降低的电阻率;148 W时,电阻率为7.6×10-5Ω.cm.; 王天兴夏存军李超李苗苗杨海刚宋桂林常方高; 关键词：直流磁控溅射溅射功率表面形貌

Cu_2ZnSnS_4/Cu_2ZnSnSe_4电子结构与光学特性的第一性原理计算被引量：4: 2012年; 采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似(GGA)的PBE平面波超软赝势方法,计算Cu2ZnSnS4(CZTS)和Cu2ZnSnSe4(CZTSe)的电子结构和光学特性。计算并系统对比分析CZTS和CZTSe的态密度、吸收系数、复介电函数、复折射率、反射率、复电导率和能量损失函数随光子能量的变化关系。结果表明,锌黄锡矿型CZTS和CZTSe都是直接带隙半导体材料。CZTS和CZTSe的态密度和光学特性的曲线非常相似,但CZTS的禁带宽度比CZTSe的偏大,导致CZTS的各个光学特性曲线相对于CZTSe的略微向高能方向移动。; 李苗苗王天兴夏存军宋桂林常方高; 关键词：CZTS 能态密度光学特性

Al,Ga掺杂ZnO电子结构和光电特性的第一性原理计算被引量：4: 2011年; 采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似(GGA)的PBE平面波超软赝势方法,计算了本征ZnO,Al掺杂ZnO(ZnAlO)和Ga掺杂ZnO(ZnGaO)的能带结构、态密度、复介电函数和复电导率.其中Al或Ga是以替位杂质的形式进入ZnO晶格.计算结果表明纤锌矿型ZnO,ZnAlO和ZnGaO都是直接带隙半导体材料,掺杂后ZnO的带隙变小,且ZnAlO的带隙略大于ZnGaO.掺杂后ZnO)的电子结构发生变化,费米能级由本征态时位于价带顶上移进入导带,ZnO表现为n型掺杂半导体材料,掺杂后在导带底出现大量由掺杂原子贡献的自由载流子—电子,明显提高了电导率和介电函数,改善了ZnO的导电性能,并且ZnAlO的导电性能要略好于ZnGaO.; 王天兴李苗苗宋桂林常方高; 关键词：ZNO N型掺杂密度泛函光学特性

CuIn_(1-x)Ga_xSe_2/CuIn_(1-x)Al_xSe_2电子结构与光学特性的第一性原理计算: 2011年; 采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似的PBE平面波超软赝势方法计算了CuIn1-xGaxSe2(CIGS)和CuIn1-xAlxSe2(CIAS)的电子结构及光学性质.计算结果表明黄铜矿型CIGS和CIAS都是直接带隙半导体材料,禁带宽度分别为1.34 eV,1.50 eV.计算并对比分析了CIGS和CIAS的态密度,吸收系数,反射率,复介电函数和折射指数随光子能量的变化关系.结果表明CIAS的禁带宽度偏大,导致了它的吸收光谱和复介电函数虚部相对于CIGS发生了蓝移,并且反射率较低.; 李超李苗苗戴宪起常方高; 关键词：CIGS 第一性原理能态密度光学特性

体硅微机械湿法加工技术研究进展被引量：1: 2011年; 湿法腐蚀技术成本低,是硅微机械(Micromachining)加工中最基础、最关键的技术。着重讨论了3种主要湿法技术的优缺点,概述了硅的各向同性存在侧向腐蚀、各向异性受晶格限制以及电化学腐蚀受图形尺寸限制的缺点和局限性,探讨了国内外研究现状和湿法腐蚀技术存在的问题及今后电化学腐蚀技术在湿法技术中的地位。; 蒋玉荣边长贤秦瑞平; 关键词：各向异性电化学腐蚀

Sm、Co共掺杂对BiFeO_3陶瓷漏电流和铁磁特性的影响被引量：4: 2011年; 采用快速液相烧结法制备Bi0.95Sm0.05Fe1-xCoxO3(x=0、0.05、0.1)陶瓷样品,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、振动样品磁强计(VSM)对其结构、形貌和磁性进行了测量与分析。结果表明:所有样品的主衍射峰与纯相BiFeO3相吻合且具有良好的晶体结构,样品晶粒的大小随着Sm3+、Co3+掺杂而变小,其晶粒尺寸在1～5μm;Sm3+、Co3+共掺杂有效地减小BiFeO3陶瓷的漏导电流,漏导电流密度下降1～2个数量级;所有样品在磁场为1000 Oe作用下具有完整的的磁滞回线,呈显出较弱的铁磁性。随着掺杂量x的增加,样品的铁磁性显著提高。当x为0.1时,样品具有较好的的铁磁特性。这可以理解为Sm3+、Co3+的掺杂,破坏BiFeO3样品中原有的反铁磁结构,形成一种新的亚铁磁结构,导致掺杂Co3+的样品磁性大幅度增强。; 宋桂林苏健周晓辉杨海刚王天兴常方高; 关键词：磁滞回线漏电流

硅纳米线阵列的制备及光伏性能被引量：4: 2013年; 在常温常压下,采用无电极金属催化化学腐蚀法在P型单晶硅片(100)基底上制备定向排列的硅纳米线阵列。研究了不同浓度硝酸银对纳米线阵列形貌、反射光谱性能的影响和具有电池雏形的硅纳米线阵列的光伏性能。结果表明:硝酸银浓度在0.02mol/L时为最佳配比;与普通绒面电池相比,硅纳米线阵列太阳能电池的光电转换性能明显优于普通绒面电池。用光谱响应分析手段分析硅纳米线电池光伏性能的影响因素,并提出解决办法。; 蒋玉荣秦瑞平蔡方敏杨海刚马恒常方高; 关键词：光谱反射率光伏特性

几种纳米线连接方法的比较: 2012年; 对4种电连接纳米线通常使用的方法进行了比较.这些方法包括:(i)采用微机械手现场操作把纳米线放置于预制备的电极上;(ii)离子与电子束辅助沉积;(iii)电子束曝光以及(iv)丢落投掷到预制备的电极上.主要基于产出量、接触电阻、制备难易程度以及进一步形成新器件和结构的可能性等方面进行了细致讨论.; 王天兴李艳国戴献起常方高; 关键词：纳米线产出量接触电阻

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