国家高技术研究发展计划(2001AA312080)
- 作品数：6 被引量：6H指数：1
- 相关作者：陈弘达唐君毛陆虹申荣铉吴荣汉更多>>
- 相关机构：中国科学院天津大学东南大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 单片集成光电探测器与接收机的协同设计(英文)
- 2004年
- 建立了光电探测器的行为模型 .此模型描述了注入光功率与光生电流的关系 ,以及反偏电压对光生电流与结电容的影响 .给出了在统一的 SPICE设计环境中对光电子器件与电路协同设计的方法 ,并对光电探测器与 CMOS接收机电路进行了设计 .
- 高鹏陈弘达毛陆虹贾九春陈永权孙增辉
- 关键词：单片集成协同设计
- 30Gbit/s并行光发射模块制作过程中的光耦合及封装被引量：1
- 2005年
- 介绍了并行光发射模块制作过程中,垂直腔面发射激光器列阵与列阵光纤的对准及固定方法.对斜面光纤折弯耦合和垂直耦合两种方法进行了实验研究,得到的平均耦合效率均达70%以上.比较了两种耦合方式的利弊.针对列阵光纤耦合的特点,介绍了列阵光纤耦合过程中光纤的位置、角度的调整方法和特点.
- 裴为华唐君申荣铉陈弘达
- 关键词：垂直腔面发射激光器并行光发射模块
- GaAs基量子阱谐振腔增强型光电探测器特性研究
- 2005年
- 通过对谐振腔增强型(RCE)光电探测器的理论分析和实验测试结果,证明对应不同光束入射角度,RCE光电探测器的模式波长按一定规律可调谐.并给出当入射角度变化10°～60°,模式调谐范围约为40nm,而谐振波长处的量子效率峰值及半高宽FWHM的变化与材料吸收系数紧密相关.
- 唐君陈弘达梁琨杜云杨晓红吴荣汉
- 关键词：RCE光电探测器量子效率GAAS
- 37.5Gbit/s并行光发射模块的研制
- 2007年
- 制作并测试了12信道总传输速率为37.5Gbit/s的高速并行光发射模块,其中单信道传输速率为3.125Gbit/s.模块采用波长为850nm的垂直腔面发射激光器(VCSEL)作为光源.耦合过程采用了一种利用倒装焊设备进行激光器阵列与列阵光纤之间的无源对准耦合的方法.在单信道8mA的工作电流下,可以得到3.125Gbit/s的清晰眼图.
- 唐君陈弘达裴为华贾九春周毅
- 关键词：并行光传输垂直腔面发射激光器
- 16信道0.35μmCMOS/VCSEL光发射模块(英文)被引量：4
- 2003年
- 研究了垂直腔面发射激光器 (VCSEL)及其列阵器件的光谱特性、调制特性、高频特性及与微电子电路的兼容性 ,将 1× 16的VCSEL与CMOS专用集成电路进行多芯片组装 (MCM ) ,混合集成为 16信道VCSEL光发射功能模块 .测试过程中 ,功能模块的光电特性及其均匀性良好 ,测量的 - 3dB频带宽度大于 2GHz.
- 陈弘达申荣铉毛陆虹唐君梁琨杜云黄永箴吴荣汉冯军柯锡明刘欢艳王志功
- 关键词：垂直腔面发射激光器CMOS光互连VCSEL
- 与标准CMOS完全兼容的硅基LED器件模拟(英文)被引量：1
- 2003年
- 采用工业标准 0 6 μmCMOS工艺设计了以反向击穿硅 p n结为基础的光发射器件 .讨论了该器件的光发射机理 .利用商业模拟软件对器件的工作特性进行了模拟 ,包括器件的正向和反向I V特性、p区掺杂浓度对击穿电压的影响以及门电压对器件发光强度的调制特性的影响等 .结果表明该器件是一种很有前途的硅发光器件 ,在光互连等领域具有广阔的应用前景 .
- 孙增辉陈弘达毛陆虹崔增文高鹏
- 关键词：LED击穿电压CMOS
