国防基金(9140A08050508)
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
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- 一种利用层错无损测量4H-SiC外延层厚度的方法
- 2010年
- 介绍了一种利用层错无损测量4H-SiC半导体材料外延层厚度的方法。该方法是根据4H-SiC同质外延生长中堆垛层错(stacking fault,SF)和外延层厚度的几何关系,通过测量在场发射扫描电子显微镜下观测到的SF沿[1100]方向边长的长度,计算出外延层厚度。与常用外延层厚度测量方法(红外干涉法)相比,这种无损测量方法更为简易精确。
- 苗瑞霞张玉明张义门汤晓燕
- 关键词：堆垛层错碳化硅
- SiC晶体缺陷的阴极荧光无损表征研究被引量：1
- 2010年
- 由于在研究SiC晶体缺陷对器件性能的影响的过程中,表征材料缺陷的常用的方法是破坏性的,因此寻找一种无损的测试方法对缺陷进行有效的表征显得尤为重要。基于阴极荧光(CL)的工作原理对4H-SiC同质外延材料的晶体缺陷进行了无损测试研究。结果发现利用阴极荧光可以观测到晶体内部的堆垛层错、刃位错和螺位错以及基面位错,其阴极荧光图中的形貌分别为直角三角形、点状和短棒状。因此该方法成为SiC晶体缺陷的无损表征时的一种有效的测试方法。如果利用该方法对材料的衬底和外延层缺陷分别进行观测就能建立起衬底和外延层缺陷之间的某种联系,另外对器件工作前后的缺陷进行表征,建立器件工作前后缺陷之间的联系,就可以进一步地研究材料缺陷对器件性能影响的问题。
- 苗瑞霞张玉明汤晓燕张义门
- 关键词：4H-SIC
- 4H-SiC中基面位错发光特性研究被引量：2
- 2011年
- 本文利用阴极荧光(CL)和选择性刻蚀的方法对4H-SiC同质外延材料中基面位错的发光特性进行了研究.结果表明螺型基面位错(BTSD)和混合型基面位错(BMD)分别具有绿光和蓝绿光特性,其发光峰分别在530nm附近和480nm附近.从测试结果中还发现BMD的发光位较BTSD有所蓝移,分析认为BTSD位错芯附近原子沿伯格斯矢量方向只受到拉应力,致使禁带宽度变窄,而BMD同时具有螺型位错的分量和刃型位错的分量,正是刃型位错中部分原子受到压应力的作用,导致禁带宽度增宽,从而使得BMD的发光波长比BTSD短.
- 苗瑞霞张玉明汤晓燕张义门
- 关键词：4H-SIC发光特性禁带宽度
