教育部“新世纪优秀人才支持计划”(NCET-05-0452)
- 作品数：2 被引量：14H指数：2
- 相关作者：路忠林邹文琴张凤鸣郦莉陆路更多>>
- 相关机构：东南大学南京大学更多>>
- 发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家自然科学基金江苏省“青蓝工程”基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- Mn和N共掺ZnO稀磁半导体薄膜的研究被引量：10
- 2009年
- 使用对Zn2N3:Mn薄膜热氧化的方法成功制备了高含N量的Mn和N共掺ZnO的稀磁半导体薄膜.在没有N离子共掺的情况下,ZnO:Mn薄膜的铁磁性非常微弱;如果进行N离子的共掺杂,就会发现ZnO:Mn薄膜在室温下表现出非常明显的铁磁性,饱和离子磁矩为0.23μB—0.61μB.这说明N的共掺激发了ZnO:Mn薄膜中的室温铁磁性,也就是受主的共掺引起的空穴有利于ZnO中二价Mn离子的铁磁性耦合,这和最近的相关理论研究符合很好.
- 邹文琴路忠林王申刘圆陆路郦莉张凤鸣都有为
- 关键词：磁性半导体
- 单晶和孪晶的Zn_(0.96)Co_(0.04)O稀磁半导体薄膜的制备与研究被引量：4
- 2009年
- 采用分子束外延技术分别在不同晶面的蓝宝石(sapphire Al2O3)基片上制备了沿c轴生长的Zn0.96Co0.04O稀磁半导体薄膜.发现在Al2O3(1120)晶面(a面)上薄膜是二维层状外延生长的高质量单晶薄膜,而在Al2O3(0001)晶面(c面)上薄膜却具有有趣的孪晶结构,部分区域相互之间有一个30°的面内转动来减少和基片之间的失配度.在孪晶薄膜中存在的这些相互旋转形成的区域界面上会引起载流子强烈的散射作用,导致载流子迁移率的下降和平均自由程的缩短.利用X射线吸收精细结构技术证明了无论单晶还是孪晶的Zn0.96Co0.04O薄膜中所有的Co都以+2价替代进入了ZnO的晶格,而没有形成任何杂相.而对其磁性研究发现,孪晶的薄膜样品比高质量的单晶薄膜样品具有大得多的饱和磁矩.这充分说明孪晶薄膜中的铁磁性来源与缺陷有关.我们还对铁磁性耦合机制进行了探讨.
- 路忠林邹文琴徐明祥张凤鸣
- 关键词：稀磁半导体X射线吸收精细结构
