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国家自然科学基金(50475057)

作品数:5 被引量:23H指数:3
相关作者:于翔王成彪傅玉娜更多>>
相关机构:中国地质大学(北京)更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域:金属学及工艺一般工业技术理学电气工程更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 4篇一般工业技术
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 3篇类金刚石
  • 3篇磁控
  • 3篇磁控溅射
  • 2篇性能比较
  • 2篇金刚石膜
  • 2篇类金刚石膜
  • 2篇溅射
  • 2篇非平衡磁控溅...
  • 2篇AC
  • 1篇等离子体
  • 1篇性能研究
  • 1篇碳膜
  • 1篇中频磁控溅射
  • 1篇类金刚石碳膜
  • 1篇溅射法
  • 1篇RECENT
  • 1篇SPUTTE...
  • 1篇DEVELO...
  • 1篇MAGNET...
  • 1篇磁控溅射法

机构

  • 4篇中国地质大学...
  • 2篇中国地质大学

作者

  • 6篇王成彪
  • 5篇于翔
  • 1篇傅玉娜
  • 1篇吕建国

传媒

  • 1篇金属热处理
  • 1篇润滑与密封
  • 1篇材料热处理学...
  • 1篇Plasma...
  • 1篇中国材料科技...
  • 1篇第六届全国表...

年份

  • 1篇2007
  • 6篇2006
5 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
中频磁控溅射法制备厚类金刚石碳膜被引量:3
2006年
采用中频对靶磁控法在M2高速钢基片上合成了厚达6μm的含铬类金刚石碳(DLC)薄膜,初步考察了中频磁控溅射工艺参数、DLC薄膜的多层梯度结构及薄膜力学和摩擦性能间的关系。结果表明,薄膜表面平滑,具有致密的多层梯度结构,在2.45 N载荷下维氏硬度为HV 2 560,结合力的临界载荷为52 N,且在较长滑动距离内平均摩擦因数为0.09。
于翔刘阳王成彪于德洋
中频对靶磁控溅射制备含铬类金刚石薄膜被引量:10
2006年
利用新型中频对靶磁控溅射在硅和M2高速钢基体上沉积了一系列无氢含铬类金刚石膜。考察了类金刚石膜的表面形貌、显微结构、硬度、结合力和摩擦磨损性能。结果表明:合成的类金刚石薄膜具有优良的综合性能,硬度为30-46GPa、结合力Lc达50-65N、大气环境下摩擦系数约为0.1。
于翔王成彪刘阳于德洋
脉冲磁控溅射氮化铬薄膜及其性能研究
2006年
采用新型脉冲磁控溅射技术制备了一系列氯化铬膜,对所制备的不同厚度薄膜进行了AFM和SEM形貌等分析.测定了薄膜的膜基结合强度和硬度,并对薄膜的摩擦学性能进行了研究。结果表明:通过使用铬过渡层可以提高膜基结合强度,镀层厚度对镀层摩擦学性能有影响,膜厚为1200nm的氯化铬膜试样显示出来高硬度、低摩擦系数和良好的抗磨性。
于翔王成彪傅玉娜
关键词:非平衡磁控溅射
三种中频对靶磁控溅射类金刚石膜的性能比较
利用带有SP20MB新型电源(具有三种可选择工作模式(连续DC(直流)、频率为40-kHz的脉冲DC和脉冲AC)的非平衡磁控溅射镀系统合成了一系列含铬无氢DLC(类金刚石)薄膜,考察了磁控靶电压波形对合成薄膜性能的影响。...
王成彪于翔刘阳于德洋吕建国
文献传递
三种中频对靶磁控溅射类金刚石膜的性能比较
利用带有SP20MB新型电源(具有三种可选择工作模式(连续DC(直流)、频率为40-kHz的脉冲DC和脉冲AC)的非平衡磁控溅射镀系统合成了一系列含铬无氢DLC(类金刚石)薄膜,考察了磁控靶电压波形对合成薄膜性能的影响。...
王成彪于翔刘阳于德洋吕建国
文献传递
新型等离子体磁控溅射技术被引量:9
2007年
介绍了等离子体磁控溅射原理和矩形磁控靶,探讨了几种新型等离子体非平衡磁控溅射技术,其中包括脉冲磁控溅射和离子辅助溅射,重点分析了工艺要点,并就存在的问题提出了解决思路。
于翔刘阳王成彪于德洋
关键词:非平衡磁控溅射中频磁控溅射
Recent Developments in Magnetron Sputtering被引量:1
2006年
The principle of magnetron sputtering is introduced andthe balanced and unbalanced magnetrons are compared andthe necessity of unbalanced magnetrons is explained as well. Several recent developments in plasma magnetron sputtering, i.e., unbalanced magnetron sputtering, pulsed magnetron sputtering and ion assisted sputtering, are discussed. The recent developments of unbalanced magnetron systems and their incorporation with ion sources result in an understanding in growingimportance of the magnetron sputtering technology, which makes the technology an applicable deposition process for a variety of important films, such as wear-resistant films and decorative films.
于翔王成彪刘阳于德洋邢廷炎
共1页<1>
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