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国家自然科学基金(60976026)

作品数:11 被引量:15H指数:2
相关作者:李斌吴朝晖马烨胡云峰赵明剑更多>>
相关机构:华南理工大学电子科技大学深圳市国华光电科技有限公司更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信化学工程机械工程更多>>

文献类型

  • 10篇中文期刊文章

领域

  • 9篇电子电信
  • 1篇机械工程

主题

  • 3篇转换器
  • 2篇能效
  • 2篇温度计
  • 2篇模数转换
  • 2篇SAR_AD...
  • 2篇DAC
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇英文
  • 1篇植入式
  • 1篇数字模拟转换...
  • 1篇逐次逼近型
  • 1篇逐次逼近型模...
  • 1篇线圈
  • 1篇线性度
  • 1篇模拟转换器
  • 1篇模数转换器
  • 1篇金属氧化物半...
  • 1篇互补金属氧化...
  • 1篇混频
  • 1篇混频器

机构

  • 5篇华南理工大学
  • 2篇电子科技大学
  • 1篇深圳市国华光...

作者

  • 5篇李斌
  • 3篇吴朝晖
  • 2篇胡云峰
  • 2篇马烨
  • 1篇赵明剑
  • 1篇黄穗彪
  • 1篇易子川
  • 1篇陈晓武
  • 1篇何志红

传媒

  • 3篇Journa...
  • 2篇华南理工大学...
  • 1篇电子学报
  • 1篇湖南师范大学...
  • 1篇微电子学
  • 1篇中国集成电路
  • 1篇Scienc...

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 3篇2010
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种高精度低成本10位D/A转换器的设计与实现被引量:4
2011年
设计了一个采用UMC 0.35μm工艺的高精度、低成本10位D/A转换器电路。该电路对电阻匹配系数要求与7位D/A转换器相同,在相同精度要求下有效减小了版图面积,降低了设计难度和生产成本。最后,在版图上采用新颖的排列方式,进一步减小了温度等因素的影响。该D/A转换器的DNL为-0.2^+0.2,INL为-0.6^+0.6。设计的电路模块已成功应用于商用驱动芯片。
马烨李斌
关键词:D/A转换器
新型高线性度双平衡CMOS混频器芯片的设计被引量:2
2013年
设计了一款用于无线通信射频系统的新型双平衡混频器芯片,该混频器的输出信号中不存在与射频输入信号相关的二次非理想项,具有高线性度.该混频器基于新型乘法器结构,在两个工作于线性区的对称金属氧化物半导体(MOS)晶体管的源、漏两极加入差分射频信号,在其栅极加入差分本振信号,从而以低复杂度方式实现射频信号与本振信号的双平衡混频或相乘;采用差分推挽放大器及源随器作为芯片的输出缓冲接口,改善了芯片与片外电路之间的隔离度,提高了功率增益和输出匹配性能.芯片采用0.18μm射频(RF)互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺流片,实现超宽频带范围内的信号混频或相乘,1dB压缩点2.9dBm,三阶交调16 dBm,总功耗25 mW,芯片性能良好,可以满足高性能、超宽带、高速无线通信系统的要求.
赵明剑李斌吴朝晖
关键词:混频器乘法器线性度互补金属氧化物半导体
适用于植入式医疗的三线圈经皮能量传输
2014年
经皮能量传输方式是目前植入式医疗设备系统供电方式的研究热点,研究如何提高其传输效率和传输有效距离具有重大的应用价值.本文在分析互感耦合理论的基础上,结合互感耦合和强磁耦合的特点,提出了一种适用于经皮能量传输的三线圈耦合结构,并对其进行了相关的理论推导.结果表明:当耦合系数小于0.25时,三线圈耦合结构对耦合效率具有增强作用;在耦合系数为0.04时可提高将近一倍的效率.实验结果也很好地验证了理论分析结果.
吴朝晖陈晓武黄穗彪李斌
Low-power switched-capacitor delta-sigma modulator for EEG recording applications
2010年
This paper presents a third-order single-loop delta-sigma modulator of a biomedical micro-system for portable electroencephalogram(EEG) monitoring applications.To reduce the power consumption,the loop filter of the proposed modulator is implemented by applying a switched-capacitor structure.The modulator is designed in a 0.35-μm 2P4M standard CMOS process,with an active area of 365×290μm^2.Experimental results show that this modulator achieves a 68 dB dynamic range with an input sinusoidal signal of 100 Hz signal bandwidth under a 64 over-sampling ratio.The whole circuit consumes 515μW under a 2.5 V power supply,which is suitable for portable EEG monitoring.
陈进张旭陈弘达
关键词:EEG
一种用于SAR ADC的高能效高面效DAC(英文)
2017年
数模转换器(DAC)是逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)能耗的重要来源之一.为了降低DAC能耗,提出一种高能效高面效DAC结构,该结构包含四个子DAC.在DAC转换过程中,通过采用附加步技术,使同边的两个子DAC结合产生所需要的DAC输出电压.而且,子DAC结合可使所需的单位电容数量减少,能耗降低.仿真结果表明,相比于传统的DAC结构,文中提出的DAC结构可降低99.89%的能耗,节省96.875%的单位电容数量.
胡云峰易子川何志红
关键词:逐次逼近型模数转换器
应用于SAR ADC的高能效电容阵列DAC被引量:4
2015年
电容阵列数模转换器(DAC)是逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)的主要能耗来源之一.为降低电容阵列DAC的能耗,提出了一种高能效电容阵列DAC结构,该结构电容阵列中各电容单元通过开关依次连接.在前两次比较周期中,由于采用了顶板采样和电压移位技术,电容阵列DAC没有产生能耗;在之后的比较周期中,由于采用电荷共享和电压单调降低技术,电容阵列DAC产生了很少的能耗.仿真结果表明,相比于传统的电容阵列DAC结构,文中提出的高能效电容阵列DAC结构可降低99.22%的能耗,节省75%的面积.
胡云峰李斌吴朝晖
关键词:模数转换
一个高精度、低成本10位数字模拟转换器的设计与实现被引量:1
2010年
随着集成技术的日益发展,高精度的数字模拟信号转换器模块(DAC)已经是许多芯片中不可或缺的模块。影响数模转换精度关键的因素之一是电阻的匹配程度。本文详细地描述和实现了一个采用UMC0.35μm工艺的高精度、低成本的10位DAC的设计电路,该电路对电阻匹配系数要求与7位DAC的要求相同,对工艺、版图精度的要求降低了8倍,在相同精度要求下有效减小了版图面积,降低了设计难度和生产成本。最后在版图上采用新颖的排列方式,进一步降低了温度等因素的影响。本文设计的DAC的精度为DNL范围在-0.2~+0.2,INL范围在-0.6~+0.6。该模块已经成功应用在某些驱动芯片中。
马烨李斌
关键词:数字模拟转换器版图
Low power CMOS preamplifier for neural recording applications被引量:1
2010年
A fully-differential bandpass CMOS (complementary metal oxide semiconductor) preamplifier for extra- cellular neural recording is presented. The capacitive-coupled and capacitive-feedback topology is adopted. The preamplifier has a midband gain of 20.4 dB and a DC gain of 0. The -3 dB upper cut-off frequency of the preamplifier is 6.7 kHz. The lower cut-off frequency can be adjusted for amplifying the field or action potentials located in different bands. It has an input-referred noise of 8.2 μVrms integrated from 0.15 Hz to 6.7 kHz for recording the local field potentials and the mixed neural spikes with a power dissipation of 23.1μW from a 3.3 V supply. A bandgap reference circuitry is also designed for providing the biasing voltage and current. The 0.22 mm2 prototype chip, including the preamplifier and its biasing circuitry, is fabricated in the 0.35-μm N-well CMOS 2P4M process.
张旭裴为华黄北举陈弘达
A single die 1.2 V 55 to 95 dB DR delta sigma ADC with configurable modulator and OSR
2014年
A single die 1.2 V multi-stage noise shaping(Mash) 2-2 delta sigma analog to digital converter(ADC)for wide applications is implemented. The configurable Mash 2-2 modulator with a new decimation filter design is presented to achieve wide and high dynamic range(DR) for multiple practical applications. The novel modulator can be configured as a Mash 2-2 modulator for high precision or a 2-order modulator for low DR. The decimation filter is designed to select the OSR flexibly among cascaded integrator comb(CIC) filter and two half-band filters(HBF). The serial peripheral interface(SPI) can be used to adjust the sampling frequency and the oversampling ratio(OSR). The design was fabricated in a 0.13 m CMOS process with an area of 0.91 mm2and a total power of 5.2 mW. The measurement results show that the dynamic range(DR) of the proposed ADC can change from 55to 95 dB with the configurable OSR from 16 to 256. The spurious free dynamic range(SFDR) and signal-to-noise distortion ratio(SNDR) can get 99 dB and 86.5 dB, respectively.
武海军李斌张华斌李正平曾隆月
Fabrication and characterization of implantable silicon neural probe with microfluidic channels被引量:1
2012年
In this paper, a silicon-based neural probe with microfluidic channels was developed and evaluated. The probe can deliver chemicals or drugs to the target neurons while simultaneously recording the electrical action of these neurons extracellularly. The probe was fabricated by double-sided deep reactive ion etching (DRIE) from a silicon-on-insulator (SO1) wafer. The flu- idic channels were formed with V-shape groove etching on the silicon probe and sealed with silicon nitride and parylene-C. The shank of the probe is 4 mm long and 120 ~tm wide. The thickness of the probe is 100 ~tm. The probe has two fluidic chan- nels and two recording sites. The microfluidic channels can withstand a pressure drop as much as 30 kPa and the flow resisti ity of the microfluidic channel is 0.13 μL min-1 kPa-1, The typical impedance of the neural electrode is 32.3 kΩ at 1 kHz at room temperature.
GUO Kai PEI WeiHua LI XiaoQian GUI Qiang TANG RongYu LIU Jian CHEN HongDa
共1页<1>
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