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国家高技术研究发展计划(2002AA303250)

作品数:9 被引量:92H指数:6
相关作者:郜峰利杨虹荆海黄金英廖燕平更多>>
相关机构:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所吉林大学华南理工大学更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划吉林省科技发展计划基金更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 9篇中文期刊文章

领域

  • 8篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇多晶
  • 3篇多晶硅
  • 3篇硅薄膜
  • 2篇电路
  • 2篇电路设计
  • 2篇多晶硅薄膜
  • 2篇液晶
  • 2篇液晶显示
  • 2篇晶体管
  • 2篇薄膜晶体
  • 2篇薄膜晶体管
  • 2篇TFT-LC...
  • 2篇CAT-CV...
  • 1篇单片
  • 1篇单片机
  • 1篇电视
  • 1篇多晶硅薄膜晶...
  • 1篇液晶电视
  • 1篇有机发光
  • 1篇有机发光二极...

机构

  • 8篇中国科学院长...
  • 4篇吉林大学
  • 1篇华南理工大学
  • 1篇清溢精密光电...

作者

  • 4篇郜峰利
  • 4篇杨虹
  • 3篇付国柱
  • 3篇郭树旭
  • 3篇黄金英
  • 3篇廖燕平
  • 3篇荆海
  • 2篇李英博
  • 2篇邝俊峰
  • 2篇邵喜斌
  • 2篇徐杰
  • 1篇缪国庆
  • 1篇邱法斌
  • 1篇于涛
  • 1篇彭俊彪
  • 1篇曹军胜
  • 1篇高文涛
  • 1篇高博
  • 1篇曹镛
  • 1篇邹兆一

传媒

  • 6篇液晶与显示
  • 1篇发光学报
  • 1篇吉林大学学报...
  • 1篇长春理工大学...

年份

  • 1篇2006
  • 2篇2005
  • 6篇2004
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
数码像框控制电路的设计被引量:1
2004年
利用MX88V610专用处理器和WM9710立体声音频多媒体数字信号编码器等芯片,设计了数码像框的控制电路,通过记忆卡的数码输入,高清晰的数码相片经过独有的数码信号处理系统,实现了数码相片在数字LCD和TV上的完美再现和MP3的播放。介绍了硬件电路设计的实现方法。
郜峰利杨虹郭树旭徐杰李英博
关键词:液晶电视处理器控制电路电路设计
小尺寸TFT-LCD驱动电路的设计被引量:7
2005年
根据TFT-LCD的工作原理和显示驱动电路的结构,应用硬件设计出小尺寸TFT-LCD的驱动电路,实现图像的清晰显示。介绍了硬件电路设计的实现方法。
张志伟荆海黄金英邝俊峰蔡克烜朱长春
关键词:TFT-LCD栅驱动
氢原子在Cat-CVD法制备多晶硅薄膜中的作用被引量:7
2004年
采用钨丝催化化学气相沉积(Cat CVD)方法制备多晶硅(p Si)薄膜,研究氢气稀释率(FR(H2)/(FR(H2)+FR(SiH4))对制备多晶硅薄膜的影响。XRD和喇曼光谱分析分别显示(111)面取向的多晶硅峰及喇曼频移为520cm-1多晶硅峰的强度随氢气稀释率的增加而增强,由喇曼光谱计算的结晶度也有同样的趋势。通过分析测试结果得出,氢原子以表面脱氢、刻蚀弱的Si—Si键,及进入晶格内部进行深度脱氢等方式改善薄膜材料的结晶度。
邝俊峰付国柱高博高文涛黄金英廖燕平荆海
关键词:多晶硅薄膜氢原子催化化学气相沉积
Cat-CVD法制备硅薄膜及在TFT中的应用进展被引量:1
2006年
目前有源平板显示领域主要采用PECVD法制备TFT用硅薄膜,但是由于PECVD中等离子对Si薄膜的损伤以及淀积薄膜的温度很高的缺点,使其在制备高迁移率TFT的应用中受到了限制。新出现的催化化学气相淀积法(Cat-CVD)与PECVD法相比,具有淀积速率高、原料气体利用效率高、衬底温度低、生长的薄膜致密、电学特性好等优点,将更有希望成为TFT用硅薄膜制备的新技术。文章对Cat-CVD法的工作机理及其在TFT中的应用进展进行了详细总结,归纳了各种催化丝材料,并对当前Cat-CVD技术研究中的不足及其以后的研究发展进行了讨论。
刘少林邹兆一庞春霖付国柱邱法斌
关键词:硅薄膜薄膜晶体管
TFT-LCD周边驱动电路集成化设计被引量:27
2004年
根据N沟道和P沟道多晶硅薄膜晶体管(poly SiTFT)的特性,使用Orcad作为辅助工具,设计了应用于132(RGB)×176TFT LCD的栅驱动电路和数据驱动电路。依据132RGB×176TFT LCD的参数对电路进行了模拟,实现了小尺寸液晶屏的p SiTFT周边集成驱动电路的设计。
徐杰杨虹郭树旭李英博郜峰利
关键词:TFT-LCD多晶硅薄膜晶体管液晶显示电路设计
HD66773R在小尺寸TFT-OLED驱动中的应用被引量:2
2005年
描述了两管TFT-OLED像素电路的结构和驱动原理。利用HITACHI公司的TFT-LCD驱动芯片HD66773R,结合单片机的控制来驱动176×396点阵的TFT-OLED屏,介绍了显示模块的结构和HD66773R功能原理。结合HD66773R功能原理,设计了单片机和HD66773R硬件接口电路,详细描述了软硬件的设计方法和注意事项,并给出了单片机的软件流程图。
郜峰利杨虹邵喜斌曹军胜郭树旭廖燕平
关键词:TFT-OLED像素电路有源驱动单片机有机发光二极管
OLED/LCD器件中的γ校正被引量:19
2004年
阐述了OLED/LCD器件中γ校正的基本原理,通过考虑人眼视觉非线性和液晶电光非线性,得到了CRT相对于OLED/LCD的灰度级亮度特性曲线。以所设计的26.4cm VGA(行反转)的TFT-LCD为例,采用源驱动器μPD16641芯片,通过γ校正电路和输入数据、灰度级和基准电压的关系,进行了实际的γ校正,得到了驱动电路中的γ校正的外部电压设定值,将设定目标值与实际驱动测定值进行了比较,从比较的结果可以看到,两者十分接近的,解决了实际的TFT液晶驱动电路中Gamma(γ)校正问题,达到了预期的设计目的,使图像的质量满足了用户的要求。
杨虹彭俊彪曹镛
关键词:Γ校正灰度级基准电压
彩色液晶显示中彩色膜的应用被引量:8
2004年
介绍了彩色膜(CF)技术在液晶显示中的应用,主要内容有CF结构、CF制造方法、为便携式显示节能的特殊需要而开发的CF结构和色度特性。提出高品位彩色膜的开发途经。
于涛黄锡珉
关键词:彩色液晶显示
激光晶化多晶硅的制备与XRD谱被引量:26
2004年
对氢化非晶硅(a-Si:H)进行了脱氢和不同能量密度的准分子激光晶化多晶硅的实验,对所得样品用X射线衍射表征.针对多晶硅(111)面特征峰的强度、晶面间距和宽化信息,分析了激光功率密度对晶化多晶硅结晶度和应力的影响,根据谢乐公式(Scherrer)估算了晶粒的大小,得到用准分子激光晶化多晶硅的较佳工艺参数,并且验证了激光辐射对薄膜材料作用的3种情况.
廖燕平黄金英郜峰利邵喜斌付国柱荆海缪国庆
关键词:氢化非晶硅脱氢激光晶化多晶硅X射线衍射半宽度
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