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新乡市科技发展计划项目(08G064)

作品数：1 被引量：4H指数：1
相关作者：张丽伟樊志琴蔡根旺杨培霞李瑞更多>>
相关机构：新乡学院河南工业大学郑州大学更多>>
发文基金：新乡市科技发展计划项目更多>>
相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇退火
  • 1篇退火过程
  • 1篇微晶硅
  • 1篇微晶硅薄膜
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇PECVD
  • 1篇氢

机构

  • 1篇郑州大学
  • 1篇河南工业大学
  • 1篇新乡学院

作者

  • 1篇李瑞
  • 1篇杨培霞
  • 1篇蔡根旺
  • 1篇樊志琴
  • 1篇张丽伟

传媒

  • 1篇硅酸盐通报

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
氢在微晶硅薄膜低温沉积及退火过程中的影响被引量：4
2009年
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法,在玻璃衬底上不同的氢稀释比下低温制备了微晶硅(μc-Si:H)薄膜。利用拉曼(Raman)散射谱研究显示当H2稀释比从95%升高到99%,所得硅膜晶粒大小从2.98nm增加8.79nm,晶化率从24%增加到91%;暗电导测试结果从1.32×10-6scm-1增加到7.24×10-3scm-1;沉积速率却大大降低。沉积出的薄膜在进行高温炉退火后,扫描电镜(SEM)显示样品表面孔洞变大增多,推测是氢逸出所致。
李瑞樊志琴张丽伟蔡根旺杨培霞
关键词：微晶硅薄膜PECVD退火
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