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中国博士后科学基金(20080440785)

作品数:2 被引量:4H指数:1
相关作者:龚孟濂刘生桂王慧慧何沛林城右更多>>
相关机构:中山大学湛江师范学院更多>>
发文基金:中国博士后科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学

主题

  • 2篇配合物
  • 2篇铕配合物
  • 2篇化学合成
  • 1篇丁二酮
  • 1篇氧代
  • 1篇三氟
  • 1篇联苯
  • 1篇邻菲咯啉
  • 1篇二酮
  • 1篇二氧代
  • 1篇发光
  • 1篇发光性
  • 1篇发光性能
  • 1篇菲咯啉
  • 1篇氟代
  • 1篇

机构

  • 2篇湛江师范学院
  • 2篇中山大学

作者

  • 2篇何沛
  • 2篇王慧慧
  • 2篇刘生桂
  • 2篇龚孟濂
  • 1篇石建新
  • 1篇林城右

传媒

  • 1篇高等学校化学...
  • 1篇光谱学与光谱...

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
4,4′-双(4″,4″,4″-三氟代-1″,3″-二氧代丁基)联苯铕配合物的合成及发光性能被引量:1
2009年
合成了2个新的配合物Eu2(btb)3(H2O)4(1)和Eu2(btb)3(phen)2(2)[H2btb=4,4′-双(4″,4″,4″,-三氟代-1″,3″-二氧代丁基)联苯,phen=1,10-邻菲罗啉].采用元素分析、红外光谱、紫外光谱和快原子轰击质谱表征了2个配合物的结构.在近紫外光激发下,配合物1和2都发射出强的铕离子特征红光.对614nm红光进行监控,其激发光谱在395nm处具有最大的激发强度,与InGaN芯片发射的近紫外光激发相匹配.将配合物1和2与395nm发射的InGaN芯片进行组合制备了红色发光二极管.在配合物和硅树脂的质量比为1∶25的情况下,2个红色发光二极管的色坐标分别为x1=0.5210,y1=0.2285(配合物1);x2=0.5835和y2=0.2857(配合物2),位于标准的国际色坐标红色区域;器件的发光效率分别为0.65和0.76lm/W.研究结果表明,配合物1和2是制作白光二极管可供选用的红色发光材料.
刘生桂王慧慧何沛石建新龚孟濂
关键词:铕配合物化学合成发光
4,4,4-三氟-1-(4'-间三联苯基)-1,3-丁二酮邻菲咯啉铕(Ⅲ)配合物的合成与发光被引量:3
2010年
合成了新的配合物EuL3phen,[HL=4,4,4-三氟-1-(4’-间三联苯基)-1,3-丁二酮,phen=邻菲咯啉]。采用元素分析,红外光谱,质谱对该配合物的结构进行了表征。该化合物在半导体InGaN芯片发出的近紫外光激发下,发出铕(Ⅲ)离子5D0—7FJ(J=0~4)跃迁特征红光,最大发射峰位于613 nm,发光量子效率为13%。配合物寿命为470μs,寿命曲线很好地和单指数衰减拟合曲线相吻合。配合物热稳定性达到220℃,满足制备LED器件的要求。将配合物EuL3phen和半导体395 nm发射InGaN芯片组合,成功地制备了红色发光二极管。发光二极管的色坐标、发光效率、配合物和硅胶质量比相关,在配合物和硅胶质量比为1∶25时,器件色坐标为x=0.64,y=0.35,光效为0.89 lm.W-1。该配合物是充当制作白光LED用的潜在的红色发光组分。
刘生桂林城右王慧慧何沛龚孟濂
关键词:铕配合物化学合成
共1页<1>
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