浙江省自然科学基金(Y404321)
- 作品数：4 被引量：8H指数：2
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- SPS法制备p-型四元Al-Bi-Sb-Te合金的微结构与热电性能被引量：3
- 2005年
- 采用SPS法制备了p-型四元Al-Bi-Sb-Te合金,研究其微结构和热电性能.结果表明:Al含量直接影响材料的电、热学输运性能.当材料中Al替代Sb元素后,四元合金AlxBi0.5Sb15-xTe3(x=0.05～0.2)的电导率明显增大;在室温附近,x=0.1的合金其电导率可达3.3×104Ω-1·m-1,大约是三元Bi0.5Sb1.5 Te3合金的2倍;四元合金系的最小Seebeck系数α为115μV/K,说明材料属p-型半导体;当温度为411 K时,合金AlxBi0.5-Sb1.5-xTe3(x=0.1)的ZT值出现最大值,其值为0.58,是同温度下典型三元Bi0.5Sb1.5Te3合金的1.6倍.
- 崔教林杨炜赵伟敏徐雪波
- 关键词：微结构热电性能
- SPS法制备n-型Ag掺杂四元Ag-Bi-Se-Te合金及其热电性能被引量：5
- 2008年
- 采用放电等离子烧结(SPS)方法制备Ag掺杂四元Ag-Bi-Se-Te合金,并分析研究其热电性能。结果表明:掺杂Ag后,合金AgxBi(2-x)Se0.3Te2.7(x=0.005～0.04)的Seebeck系数均为负值,说明材料属于n-型半导体;当温度大约在428.0K时,x=0.04合金的Seebeck系数绝对值(|α|)出现最大值,其值为1.80×10-4V·K-1,比三元合金Bi2Se0.3Te2.7的最大值增大约16%;材料电导率随Ag含量的增加而下降。如果采用相同方法制备且成分按(Bi2Te3)0.9-(Bi2-xAgxSe3)0.1(x=0～0.4)设计的材料热扩散系数进行估算,当温度在477.0K时,合金AgxBi(2-x)Se0.3Te2.7(x=0.04)的ZT值出现最大值,其值为0.75,比典型三元合金Bi2Se0.3Te2.7的最大值增大约0.09。
- 修伟杰应鹏展崔教林薛海峰
- 关键词：AG掺杂电学性能
- SPS法制备的赝二元合金(Ga_2Te_3)_x-(Bi_(0.5)Sb_(1.5)Te_3)_(1-x)(x=0～0.2)电学性能
- 2007年
- 采用放电等离子烧结(SPS)方法制备了赝二元合金(Ga2Te3)x-(Bi0.5Sb1.5Te3)1-x(x=0～0.2),并研究其电学性能。结果表明,在318K时(Ga2Te3)x-(Bi0.5Sb1.5Te3)1-x(x=0.1)合金的电导率为3.7×104Ω-1·m-1,是三元合金Bi0.5Sb1.5Te3的2倍,而Seebeck系数没有明显下降。从所测得的α和σ值可知,赝二元(Ga2Te3)x-(Bi0.5Sb1.5Te3)1-x(x=0.1)合金的功率因子最大,为2.1×10-3(W·K-2·m-1),是三元Bi0.5Sb1.5Te3合金的1.5倍。
- 薛海峰崔教林修伟杰
- 关键词：电学性能
- SPS法制备四元合金Zn_xBi_(0.5)Sb_(1.5-x)Te_3(x=0.05～0.4)的微观结构与电学性能
- 2006年
- 采用放电等离子火花烧结法(SPS)制备四元ZnxBi0.5Sb1.5-xTe3(x=0.05～0.4)(摩尔分数,下同)合金,得出当Zn的量为0.05时,材料的电导率出现最大值,室温附近其值为2.5×104?-1·m-1,大约是三元Bi0.5Sb1.5Te3合金的1.35倍。在同温度下,功率因子p值也取得最大值(1.65×10-3W·m-1·K-2),而三元Bi0.5Sb1.5Te3合金的功率因子p值为1.35×10-3W·m-1·K-2。在该合金中用Zn替代Sb元素后,合金的微结构逐渐随Zn的含量发生变化。
- 崔教林徐雪波杨炜
- 关键词：SPS电学性能
