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福建省教育厅资助项目(JB09010)

作品数：1 被引量：7H指数：1
相关作者：林珊程树英赖松林黄红梁更多>>
相关机构：福州大学更多>>
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相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电子束蒸发
  • 1篇退火
  • 1篇退火温度
  • 1篇光电
  • 1篇光电性
  • 1篇光电性能
  • 1篇ZNS薄膜

机构

  • 1篇福州大学

作者

  • 1篇黄红梁
  • 1篇赖松林
  • 1篇程树英
  • 1篇林珊

传媒

  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
退火温度对电子束蒸发的ZnS薄膜性能的影响被引量：7
2010年
为了获得光电性能好的ZnS窗口层薄膜,采用电子束蒸发法在玻璃基片上沉积ZnS薄膜,研究退火温度（200－500℃）对ZnS薄膜的结构和光电性能的影响。结果表明：所制备的薄膜均为闪锌矿结构的β-ZnS多晶薄膜,导电类型为n型。随着退火温度的增高,薄膜结晶度和光电性能都变好。但是,当退火温度过高（500℃）时,薄膜的半导体特性反而变差。退火温度为400℃时,ZnS薄膜的性能最佳,此时薄膜的透过率较高;电阻率较低,为246.2Ω·cm。
赖松林程树英黄红梁林珊
关键词：ZNS薄膜电子束蒸发退火温度光电性能
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