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国家教育部博士点基金(20050701015)

作品数：21 被引量：50H指数：4
相关作者：杨银堂朱樟明刘帘曦彭新芒过伟更多>>
相关机构：西安电子科技大学教育部更多>>
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领域

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主题

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  • 9个带隙基准源
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  • 9个电源抑制
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机构

  • 22个西安电子科技...
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  • 1个南昌大学
  • 1个西安交通大学
  • 1个中国人民解放...
  • 1个西北电讯工程...
  • 1个中国电子科技...
  • 1个西安通信学院

资助

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传媒

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地区

  • 22个陕西省
共 22 条 记 录，以下是 1-10
杨银堂
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：硅 片上网络 电路 CMOS 低功耗
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱樟明
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：模数转换器 电路 逐次逼近型模数转换器 逐次逼近型 硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘帘曦
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：电路 压电 控制电路 输入端 带隙基准
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
彭新芒
供职机构：西安电子科技大学微电子学院微电子研究所
研究主题：BICMOS 低功耗 12 D/A转换器 复合结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
史斌
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：D类音频功率放大器 过流保护 脉宽调制 音频功率放大器 多址接入
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱冬勇
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：CMOS 超低压 衬底驱动 超高速 A/D转换器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
过伟
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：功率管 基准电压 误差放大器 电流 D类音频功率放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐俊平
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：SIC 4H-SIC VDMOS 沟道长度 栅氧化层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱文举
供职机构：西安电子科技大学微电子学院微电子研究所
研究主题：串口通信 ZIGBEE 低功耗 超高速 CMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钱利波
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：自供电 硅 储能电容 采集电路 压电换能器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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