南通大学理学院
- 作品数：1,736 被引量：3,370H指数：21
- 相关作者：王建宏吕效国谭志中林道荣赵为华更多>>
- 相关机构：华东师范大学信息科学技术学院苏州大学物理科学与技术学院（能源学院）华东师范大学理工学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金南通大学自然科学基金江苏省高校自然科学研究项目更多>>
- 相关领域：理学文化科学自动化与计算机技术电子电信更多>>
- 视觉疲劳对驾驶人注意能力影响的事件相关电位研究被引量：4
- 2011年
- 目的:利用事件相关电位(ERP)技术探讨视觉疲劳对驾驶人注意能力的影响。方法:采用Oddball经典实验范式,标准刺激:正立三角形,呈现概率70%;靶刺激:倒立三角形,呈现概率15%;新异刺激:其他图形,呈现概率15%。刺激呈现时间为50ms,刺激间隔(ISI)为1 000～1 200ms。对被试者在观看高速公路视频前和观看30分钟后进行重复测试。记录驾驶人视觉疲劳前后脑电变化。结果:视觉疲劳后,被试者的反应时延长,且差异有统计学意义。视觉疲劳后,P3a、P3b潜伏期延长、波幅显著减小。结论:视觉疲劳会导致被试者反应速度减慢、非随意注意能力及选择注意能力均下降,投入到任务中的心理资源减少。
- 邱佩钰王东钱峰陈燕戴家隽
- 关键词：视觉疲劳事件相关电位
- 数学学习情感评价指标体系的构想被引量：5
- 2009年
- 本文在分析学生数学学习情感领域评价的基础上,提出了一个情感领域指标体系的构想。
- 刘凯峰吕效国
- 关键词：课程标准数学学习情感指标体系
- 应变作用下量子顺电材料EuTiO_3的磁电性质被引量：3
- 2012年
- 由于磁性和介电性质的强烈耦合,量子顺电材料EuTiO_3材料的研究近来倍受人们的关注.本文通过运用基于密度泛函理论的第一性原理计算研究了量子顺电(PE)材料EuTiO_3的磁性和电子结构,分析了应变对磁性和结构相变的作用,从而探讨了该材料中可能的磁电耦合机理.结果发现,在无应变状态下,EuTiO_3处于顺电立方-G型反铁磁性态,而对于c轴方向的无论张应变还是压应变,当应变增加到一定程度时,由于Ti 3d空轨道与周围O2p电子的杂化平衡被打破,EuTiO_3将相变到铁电(FE)四方-铁磁结构,显示了强烈的自旋一晶格耦合效应.
- 周文亮夏坤许达仲崇贵董正超方靖淮
- 关键词：磁性介电磁电耦合
- Ga(In)NAs材料的异常能带结构与光学特性被引量：1
- 2005年
- 文章详细总结了近十年来人们对于Ga(In)NAs材料体系的理论和实验研究;从典型实验出发,分析了应用于Ga(In)NAs材料的四个理论模型以及它们的成功与不足;同时,通过对研究工作的总结与分析进一步阐述了Ga(In)NAs材料的异常能带结构和光学性质,并从实验结果分析现有理论的优点和不足,提出了进一步研究的方向。
- 罗向东戴兵孙炳华
- 关键词：光学特性材料体系光学性质
- 卫生统计学教学中实践主题分段作业教学法被引量：7
- 2008年
- 吕效国刘凯峰孙建平
- 关键词：卫生统计学教学教学法卫生事业管理专业教学原则课程教学
- 麦比乌斯梯子C(2n,n)的强边色数
- 2018年
- 本文研究了麦比乌斯梯子C(2n,n)的强边染色问题.利用组合分析的方法,得到了如下结果:当n=3时,χ'_s(C(2n,n))=9;当n=4时,χ'_s(C(2n,n))=10;当n=5,8时,χ'_s(C(2n,n))=8;当n 3且n≡2(mod 4)时,χ'_s(C(2n,n))=6;当n 7且n≡0,1或3(mod 4)时,χ'_s(C(2n,n))=7.
- 姚顺禹马登举
- 关键词：强边染色强边色数
- 二值响应数据贝叶斯中位数估计被引量：1
- 2018年
- 中位数回归是一种稳健的估计方法,在实践中有着广泛应用.基于贝叶斯方法研究二值响应数据的中位数估计问题,通过引入合适的潜在变量得到了贝叶斯层次模型,进而得到易于后验抽样的吉布斯抽样程序.为验证新方法估计的稳健性,通过大量数据模拟,并与已有方法进行比较,得到了满意的结果.最后实例数据分析进一步证明了所提方法的有效性.
- 顾永泉赵为华
- 关键词：贝叶斯分析
- 应变作用下量子顺电材料EuTiO3的磁电性质
- 磁性和介电性质的强烈耦合,量子顺电材料EuTiO3 材料的研究近来倍受人们的关注.本文通过运用基于密度泛函理论的第一性原理计算研究了量子顺电(PE)材料EuTiO3 的磁性和电子结构,分析了应变对磁性和结构相变的作用,从...
- 仲崇贵董正超方靖淮
- 关键词：磁性介电磁电耦合
- GaNAs和GaAsSb半导体的光学性质研究(英文)
- 2005年
- 首次利用材料在超短脉冲激发下的瞬间高载流子密度特性研究了GaNxAs1-x/GaAs量子阱的光学特性.研究首次发现在高于量子阱的Mott迁移边(局域发光的高能端)存在一个非局域特性的新的发光峰.该峰具有与局域发光完全不同的光学性质.通过研究材料的不同温度和激发强度下的发光行为证实该新的发光峰是量子阱的本征能级发光.这一结果为目前人们在Ga(In)NAs材料体系中是否存在Ga(In)NAs合金态或者N是以杂质带的形式存在的争论提供了重要证据.在Ga(In)NAs以及InGaN等材料体系中都观察到PL发光峰随温度升高先红移,然后蓝移,再红移的所谓的“S”形变化.它的来源一直令人们疑惑不解.我们直接证明GaNxAs1-x材料中发光峰的“S”形变化是由于材料中的低能端的局域态随温度的淬灭以及相邻的局域态与非局域态之间在温度的作用下相互竞争的结果.这一结果为能量随温度的“S”形变化提供了最直接的实验证据.通过光荧光谱,时间分辨光谱研究了低N含量的GaNxAs1-x光学性质.首次发现在低N含量的GaNxAs1-x材料(N%<1%)中,在N的杂质态的高能端(低于GaAs带边)存在一个新的,其光学性质与N的杂质态完全不同的发光峰.实验证明该峰是GaNxAs1-x材料的合金态.这一结果说明在GaNxAs1-x中即便在N含量<0.1%时就已经形成了GaNxAs1-x的合金态.这个结果的重要意义在于它直接证明N在GaAs中能够形成GaNxAs1-x合金,而不是仅仅以N的杂质态存在.这为目前人们所争论的N在GaAs所起的作用,GaNxAs1-x光跃迁的来源,以及Ga(In)NAs的基本能带结构提供了直接的实验证据.最后利用选择激发在GaAs1-xSbx/GaAs量子阱中实验上第一次同时观察到空间直接(Type-I)跃迁和间接跃迁(Type-II).时间分辨荧光寿命谱进一步直接论证了GaAs1-xSbx/GaAs能带排列的Type-II特性.
- 罗向东徐仲英
- 关键词：GAASSB光学性质
- 一类不确定离散时滞系统的鲁棒镇定被引量：3
- 2007年
- 考虑了一类具有多胞型不确定离散时滞系统的鲁棒稳定及控制器设计问题.文章首先得出了新的时滞相关的稳定性判据,然后在此基础上设计了鲁棒镇定反馈控制器,所得结果用矩阵不等式给出,最后通过数值算例表明该方法的有效性.
- 汤红吉韩彦武张小丽
- 关键词：时滞相关鲁棒镇定
