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华中理工大学电子科学与技术系
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526
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杨宗凯
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王宏远
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作者
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周东祥
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龚树萍
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李佐宜
31篇
何华辉
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朱光喜
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周文利
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1999
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1998
18篇
1997
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1996
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1995
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1994
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1993
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1992
2篇
1991
1篇
1990
共
526
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提高半导体放电管抗浪涌能力的研究
被引量:2
1999年
半导体放电管是新一代抗浪涌保护器件,抗浪涌能力是其最重要的特性参数之一。文中分析了浪涌条件下器件失效的高温物理机制,讨论了器件功耗与传热对抗浪涌能力的影响,指出采用多元胞结构可降低由热量集中造成的最高结温,从而提高了器件的抗浪涌能力。
刘凤美
余岳辉
关键词:
半导体放电管
保护器件
神经网络求解逆运算问题的能力
被引量:1
1995年
用正运算方法求解逆运算问题是一值得重视的思想。本文分析了反馈型神经网络在解计算问题方面所具有的这一独特性质。利用这一概念可用模拟电路的神经网络构成一些崭新的高速运算器。本文给出三个实例,其一是由乘法运算构成除法器;其二是由矩阵参数求逆矩阵问题;其三是用简单的求余数运算组成其逆运算器,即解中国余数定理网络。这种网络的特点是以简单的正运算方法完成复杂的逆运算,使设计变得简单,在一些情况下可省去传统逆运算所需的许多参数,同时使运算器的运用范围大大增加。此外,该神经网络是用模拟电路实现,因而适用于高速实时处理。本文提出的思想在解决大量线性和非线性束逆运算问题中有着普遍的意义。
姚天任
孙洪
关键词:
神经网络
反馈网络
模拟电路
运算器
逆运算
NiO靶烧结温度对NiO/Ni_(81)Fe_(19)双层膜的影响
2000年
在不同的温度下烧结制备 Ni O靶 ,用射频磁控溅射法淀积 Ni O/ Ni81 Fe1 9双层膜 ,研究了不同的温度烧结 Ni O靶对 Ni O/ Ni Fe双层膜特性的影响 ,结果表明 ,使用不同的烧结温度制备的 Ni O靶溅射所得的 Ni O膜中 Ni的化学价态及其含量不同 ,进而影响 Ni O/ Ni81 Fe1
胡用时
邱进军
李佐宜
刘兴阶
关键词:
烧结温度
矫顽力
双层膜
射频磁控溅射
TCP/IP网际语音/数据综合传输方法分析
1998年
本文根据语音与数据传输的特点,提出了一个新的IP网关模型以及语音/数据综合传输的三种方法,通过分析说明了在语音分组动态优先方式下,语音分组的平均等待时延随着语音分组的优先级增加而单调下降。
胡修林
陈富贵
关键词:
计算机网
网络层协议
数据传输
IMT-2000固定无线接入技术及其应用
1999年
根据宽带接入的技术要求,在分析IMT- 2000/FWA技术特点的基础上,探讨它在未来宽带接入网中的两种应用方案及其在信令接口、业务质量、网络管理等方面的相关问题。
张帆
关键词:
IMT-2000
固定无线接入
宽带接入网
移动通信
电热隧道窑炉温自动化测控系统的研究
2000年
介绍了一种由计算机、智能仪表等组成的自动化电热隧道窑炉温测控系统。这套系统不仅可随时将炉内各点温度记录、存储备查,同时还可通过计算机模拟将炉内各点温度分布曲线通过显示器显示出来,并能与预先设定的曲线进行比较,实现超温报警、断偶显示等功能,且在高温恒温区采用多点控制。
傅邱云
周东样
龚树萍
陈静炜
关键词:
热电偶
智能仪表
温度测量
电子陶瓷
基于Windows平台的网络管理编程接口分析与实现
被引量:2
2000年
文章介绍了基于 Windows平台的网络管理编程接口技术。讨论了 Windows环境下利用 SNMP++类库开发网管软件的方法。该方法将面向对象方法, SNMP, Winsock结合在一起,非常适合于TCP/IP下的网络管理软件的接口。
黄川
石冰心
赵尔敦
张斌
关键词:
WINDOWS平台
计算机网络
SmSrMnO巨磁电阻材料晶格不稳定性研究
被引量:2
1999年
对Sm 2/3Sr1/3 MnO3+ δ巨磁电阻材料样品在77 K 至室温范围进行了正电子寿命谱和多普勒展宽谱测量.结果显示,正电子平均寿命τm 随着温度的降低在200~150 K 温区出现与晶格结构不稳定有关的反常下降, 这一过程发生在磁有序起始温度之前;而伴随着绝缘体-金属型转变(115 K),多普勒展宽谱参数S明显增加,表明了电子的离域化.
王耘波
于军
周文利
魏龙
关键词:
巨磁电阻材料
锰氧化物
钙钛矿型
超细非晶TiO_2包覆研究
被引量:3
2000年
用聚硅氧烷对超细非晶TiO2粉体颗粒进行了表面改性。观察到实验中出现粒度分布频率漂移的现象。从结构和表面性质出发,从理论上阐述了包覆后的粉体颗粒体积变小的原因。对比了不同实验条件下粉体的包覆效果。发现超细非晶TiO2包覆可以有效地克服团聚,极大地提高分散性,同时分散系的稳定性也大为提高。
张洪涛
关键词:
超细粉体
粒度分布
二氧化钛
表面包覆
非晶态
N_2O氮化n-MOSFET's低温可靠性研究
1999年
通过与热氧化n-MOSFET’s 比较,调查了N2 O氮化 (N2ON) n-MOSFET’s 在最大衬底电流IB m ax和最大栅电流IG m ax 应力下的低温热载流子效应.结果表明,N2ON 器件在低温就像在室温一样呈现出大大抑制的热载流子应力感应退化的特性;低温下产生的浅能级陷阱增强了器件的退化,N2 O 的氮化也大大减少了浅能级陷阱的产生.
徐静平
于军
关键词:
热载流子效应
可靠性
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