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SK海力士公司
作品数:
32
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相关机构:
铠侠股份有限公司
东芝存储器株式会社
株式会社东芝
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相关领域:
自动化与计算机技术
金属学及工艺
文化科学
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东芝存储器株式会社
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2023
7篇
2022
1篇
2021
2篇
2020
4篇
2019
4篇
2018
3篇
2017
5篇
2016
1篇
2015
1篇
2014
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磁存储装置
根据一个实施例,磁存储装置包括磁阻元件,该磁阻元件包括具有可变磁化方向的第一磁性层(20)、具有固定磁化方向的第二磁性层(40)、以及设置在第一磁性层(20)和第二磁性层(40)之间的非磁性层(30)。第一磁性层(20)...
及川忠昭
永濑俊彦
李永珉
渡边大辅
泽田和也
吉野健一
大鸟博之
金亮坤
郑求烈
林钟久
李哉衡
徐秀万
郑星雄
李泰荣
文献传递
非易失性随机存取存储器
根据一个实施例,存储器包括具有存储体的存储器单元阵列,每个存储体包括行;对应于行提供的第一字线;锁存第一行地址信号的地址锁存电路;激活第一字线中的一个第一字线的行译码器;以及控制电路,该控制电路被配置为执行当加载第一命令...
白井丰
清水直树
土田贤二
渡边阳二
J·H·辈
Y·H·金
文献传递
用于减小固态器件中的写入放大的容器标记方案
提供了固态存储器件(300)和方法。配置多个块(310、315)作为固态存储器件(300)的存储器,且每个块包括多个页。配置控制器(305)以操作所述固态存储器件(300)。所述控制器(305)将标记级别分配给所述多个块...
E·S·埃莱夫特里乌
R·哈斯
胡晓宇
文献传递
磁存储装置
根据一实施例,磁存储装置具备层叠构造,该层叠构造包括:第1磁性层,具有固定的磁化方向;第2磁性层,具有可变的磁化方向;非磁性层,设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间;钼层即Mo层,相对于所述第2磁性层设置于所述非磁性...
及川忠昭
李永珉
北川英二
矶田大河
郑求烈
郑镇源
纠正存储阵列中的擦除
在一种用于在存储阵列中存储数据的方法中,写入数据被排列成“r”行和“n”列的页,每个页包括多个扇区。在所述页上使用多个水平和垂直擦除纠正码对所述写入数据进行编码。所述编码允许在r行的任何一行中从最多t<Sub>r</Su...
S·R·赫茨勒
M·布劳姆
J·L·哈夫纳
文献传递
阻变存储器
根据一个实施例,一种阻变存储器包括存储单元、读出放大器和全局位线。所述存储单元布置在局部位线和字线彼此相交的位置处。所述存储单元连接到所述局部位线和所述字线两者。所述读出放大器通过向所述存储单元提供读取电流,读取存储在所...
高桥政宽
片山明
D·K·金
B·C·吴
文献传递
非易失性随机存取存储器
根据一个实施例,存储器包括具有存储体的存储器单元阵列,每个存储体包括行;对应于行提供的第一字线;锁存第一行地址信号的地址锁存电路;激活第一字线中的一个第一字线的行译码器;以及控制电路,该控制电路被配置为执行当加载第一命令...
白井丰
清水直树
土田贤二
渡边阳二
J·H·辈
Y·H·金
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半导体存储装置
本发明涉及半导体存储装置。本发明公开了一种能够执行第一模式和第二模式的半导体存储装置,所述第一模式具有第一潜伏期,所述第二模式具有比所示第一潜伏期长的第二潜伏期。该半导体存储装置包括:焊盘单元,该焊盘单元被配置为从外部接...
清水直树
裴智慧
文献传递
阻变存储器
根据实施例,一种阻变存储器包括:半导体衬底,具有控制端子、第一端子和第二端子的晶体管,所述晶体管设置在半导体衬底上,覆盖所述晶体管的绝缘层,连接到所述第一端子且设置在所述绝缘层上的第一导线,设置在所述绝缘层上的第二导线,...
相川尚德
岸达也
中冢圭祐
稻叶聪
都甲大
细谷启司
J·Y·易
H·J·徐
S·D·金
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磁阻元件
根据一个实施例,提供了磁阻元件,其包括第一磁层、在第一磁层上的非磁层和在非磁层上的第二磁层,其中第一磁层和第二磁层之一包括Co和Fe之一、以及具有比Co和Fe更高的标准电极电势的材料。
渡边大辅
金亮坤
长岭真
李永珉
上田公二
永濑俊彦
泽田和也
金国天
李宝美
崔源峻
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