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长沙铁道学院信息工程学院材料研究所
作品数:
20
被引量:66
H指数:3
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李义兵
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3篇
1999
1篇
1998
1篇
1997
共
20
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Au纳米粒子的束缚能
被引量:1
2001年
利用从头计算法计算了一定粒径下Au纳米量子点的谐振子束缚能的大小。根据对波函数的分析发现 ,谐振子势是描述量子点的一个较好的势模型。
何红波
周继承
胡慧芳
李义兵
关键词:
从头计算法
谐振子势
束缚能
金
二维纳米点阵列的主方程模拟
被引量:2
2001年
介绍了一种利用正统理论与主方程方法模拟二维量子点阵列的程序。数值计算的结果表 明二维量子点阵在低温下有库仑充电行为 ,其量子功能作用使它显示出可喜的研究价值和应用 前景。
何红波
周继承
胡慧芳
李义兵
关键词:
主方程
单电子
数值模拟
列车制动摩擦材料研究进展
被引量:48
1999年
简单概述了各类列车制动摩擦材料的发展历史及现状;阐述了它们各自的性能和特点,并据此分析了它们的适用条件与范围。
周继承
黄伯云
关键词:
摩擦材料
制动
高速列车
预非晶化离子注入对硅p^+n结性能的影响
被引量:1
1999年
用Si+/B+、Ar+/B+双注入结合快速热退火技术制备出了较浅的p+n结,用四探针法、扩展电阻法、背散射沟道谱、二次离子质谱等测试分析手段研究了Si+或Ar+预非晶化离子注入的作用。结果表明,适当条件的Si+预非晶化注入能有效地抑制硼原子的沟道效应,用Si+/B+双注入制备出了高硼原子电激活率的P+薄层,且电性能优良,残留二次缺陷少,p+n结二极管反偏漏电流仅2.0nA/cm2(-1.4V);而Ar+注入虽然也能抑制硼原子注入沟道效应,但它使注入硼原子电激活率低,制得的P+薄层性能差。
周继承
关键词:
快速热退火
材料的基础性质和多体合金哈密尔顿实时模拟数据库
1997年
本文采用元素周期表在计算机网上给出了基本材料的性质。这些性质均可按索,使用者可找出感兴趣的性能,并查寻哪种材料具有所描述的性质.而且末数据库还能进行多作哈密尔顿的实时模拟.所以,理论上讲,任何材料的重要性能,如结构,晶格常数,结合能等均可由此获得.
李义兵
关键词:
计算机模拟
数据库
二维纳米点阵列的Monte-Carlo模拟
被引量:3
2000年
介绍了一种利用标准单电子隧穿理论与Monte Carlo方法模拟二维量子点阵列的程序 .数值计算结果表明 ,二维量子点阵在低温下有库仑充电行为 。
何红波
周继承
胡慧芳
李义兵
姚凯伦
关键词:
MONTE-CARLO模拟
单电子
金属
基于量子元胞自动机的逻辑电路
被引量:2
2001年
简述了量子元胞自动机 (QCA)的理论及其逻辑电路的实现方式。每个量子元胞包含两个电子 ,它们通过库仑相互作用与邻近元胞耦合。每个量子元胞上的电荷分布趋于沿两垂直轴的某一轴向分布 ,可以以此来表达二进制信息。
何红波
周继承
胡慧芳
李义兵
关键词:
量子元胞自动机
逻辑电路
数字电路
Si^+/B^+双注入单晶硅的快速热退火
1999年
用四探针法、扩展电阻法、背散射沟道谱和二次离子质谱等测试分析手段研究了Si+ /B+ 双注入单晶硅的快速热退火行为。结果表明:Si+ 预非晶化注入能有效地抑制注入硼原子的沟道效应;快速热退火Si+ /B+ 注入样品,其注入损伤基本消除,残留二次缺陷少,硼原子电激活率高;优化与控制快速热退火条件和Si+ /B+ 注入参数,制备出了电学特性优良的浅p+ n 结,其二极管反偏漏电流仅为1.9 nA·cm - 2(- 1.4V)。
周继承
关键词:
快速热退火
单晶硅
CdS纳米粒子自组装体系I-V特性的数值模拟
2000年
对形成室温单电子器件的典型串联双隧道结结构模型利用求解含时薛定谔方程计算了其隧穿电流与偏压的关系 .对 Cd S纳米粒子自组装体系在室温下的 I- V特性进行了计算机模拟 ,结果与实验符合得较好 .
何红波
周继承
胡慧芳
李义兵
关键词:
硫化镉
自组装体系
碳纳米管缺陷态的分子动力学模拟
通过分子动力学方法,采用以局域密度(LDA)近似和二阶动力量矩(SMA)近似为基础的多体势函数,模拟了碳纳米管中缺陷态的隐定性.
何红波
周继承
胡慧芳
李义兵
关键词:
碳纳米管
缺陷态
分子动力学
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