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厦门乾照光电股份有限公司

作品数：722 被引量：25H指数：3
相关机构：厦门大学上海空间电源研究所厦门光莆电子股份有限公司更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程文化科学更多>>

合作机构

文献类型

  • 696篇专利
  • 12篇期刊文章
  • 8篇科技成果
  • 5篇会议论文

领域

  • 162篇电子电信
  • 35篇自动化与计算...
  • 18篇电气工程
  • 17篇文化科学
  • 9篇金属学及工艺
  • 9篇理学
  • 7篇化学工程
  • 5篇经济管理
  • 5篇一般工业技术
  • 3篇矿业工程
  • 1篇石油与天然气...
  • 1篇建筑科学

主题

  • 357篇发光
  • 258篇二极管
  • 247篇发光二极管
  • 211篇LED芯片
  • 160篇电极
  • 135篇电流扩展
  • 119篇光效
  • 115篇衬底
  • 107篇芯片
  • 102篇光效率
  • 72篇发光效率
  • 69篇源区
  • 65篇量子效率
  • 60篇外延层
  • 59篇阻挡层
  • 53篇绝缘
  • 51篇半导体
  • 49篇键合
  • 48篇绝缘层
  • 42篇制作方法

机构

  • 721篇厦门乾照光电...
  • 4篇厦门大学
  • 1篇上海空间电源...
  • 1篇厦门华联电子...
  • 1篇厦门光莆电子...

作者

  • 2篇林志伟
  • 1篇林伟
  • 1篇蔡端俊
  • 1篇黄凯
  • 1篇林丞
  • 1篇高娜
  • 1篇康俊勇
  • 1篇李金钗
  • 1篇陈开建

传媒

  • 3篇固体电子学研...
  • 2篇半导体光电
  • 2篇第十二届全国...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇物理学报
  • 1篇厦门大学学报...
  • 1篇中国集体经济
  • 1篇厦门科技
  • 1篇中国科技成果
  • 1篇厦门理工学院...
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第13届全国...

年份

  • 1篇2024
  • 75篇2023
  • 86篇2022
  • 65篇2021
  • 47篇2020
  • 98篇2019
  • 83篇2018
  • 58篇2017
  • 93篇2016
  • 39篇2015
  • 28篇2014
  • 13篇2013
  • 14篇2012
  • 11篇2011
  • 6篇2010
  • 4篇2009
共 722 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
发光二极管的半导体芯片
本实用新型公开了一发光二极管的半导体芯片，其包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一透明导电层、一绝缘层以及一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极提供至少一N型电极延伸触角，所述P型电极提供至...
魏振东吕奇孟李俊贤刘英策
文献传递
一种氮化物系发光二极管
本发明公开一种氮化物系发光二极管，包括一衬底，在所述衬底上依次设置有非掺层u-GaN、n型导电层n-GaN、有源区和限制层P-AlGaN，在所述限制层P-AlGaN上设置有V型坑蚀刻层，在所述V型坑蚀刻层上设置有V型坑成...
林志伟陈凯轩张永卓祥景姜伟方天足陈亮
一种高浓度Te掺杂的发光二极管外延结构
本发明公开一种高浓度Te掺杂的发光二极管外延结构，在衬底上分别形成缓冲层、腐蚀阻挡层、粗化层、第一型电流扩展层、第一型限制层、有源层、第二型限制层及第二型电流扩展层；有源层一侧设置第一型电流扩展层，另一侧设置第二型电流扩...
林志伟陈凯轩张永卓祥景姜伟杨凯蔡建九白继锋刘碧霞
文献传递
一种用于改善外延结构均匀性的石墨盘及其制作方法
本发明提供了一种用于改善外延结构均匀性的石墨盘及其制作方法，所述石墨盘包括：石墨盘本体，石墨盘本体上具有多个凹槽和位于凹槽底部边缘区域的支柱，且支柱的高度小于凹槽的深度；至少覆盖支柱的第一表面、支柱的侧壁以及凹槽暴露出的...
黄金堆程伟卓祥景尧刚陈少彬
一种LED芯片的制作方法
本发明提供了一种LED芯片的制作方法，通过设置复合式银/金两层结构的反射镜结构层，在后续的热处理过程中，使银金属层和金属层之间的接触面形成预设厚度的金银合金层，其中，银金属层和金金属层在不同波段均可以实现优良的反射效果，...
吴奇隆蔡和勋王洪占刘英策
文献传递
一种LED芯片及其制作方法
本发明公开了一种LED芯片及其制作方法，其中，在形成通孔和台阶区时能够通过一次光刻工艺即能实现，有效减少了光刻工艺次数，进而通过创新的制备方法而减少光刻工艺次数，以达到简化制作LED芯片的流程，且降低LED芯片成本的目的...
邬新根李俊贤吴奇隆汪洋陈凯轩刘英策魏振东周弘毅蔡立鹤黄新茂蔡和勋李耿诚
一种具有阱区掺杂的发光二极管外延生长方法
本发明公开一种具有阱区掺杂的发光二极管外延生长方法，提供衬底，在衬底上由下至上依次外延缓冲层、非故意掺杂层和第一型导电层；在第一型导电层上生长前量子垒；在前量子垒上接着外延V型量子阱；在V型量子阱上继续外延后量子垒；在后...
林志伟陈凯轩张永卓祥景姜伟汪洋童吉楚方天足
文献传递
一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片
本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片，其MQW层包括沿第一方向交替层叠生长的量子垒和量子阱，且所述量子垒包括若干组InGaN/GaN/AlGaN层，进一步地，所述量子垒的两接触面分别设有GaN层；通过I...
万志王莎莎史成丹卓祥景程伟金张育
一种用于发光二极管的AlN缓冲层及其制作方法
本发明公开一种用于发光二极管的AlN缓冲层，该AlN缓冲层生长于衬底上，由AlN材料层和AlN材料掺氧层构成，在衬底上生长底层AlN材料掺氧层，在底层AlN材料掺氧层上依次交替循环生长AlN材料层和AlN材料掺氧层，顶层...
林志伟陈凯轩张永卓祥景姜伟汪洋童吉楚方天足
文献传递
一种具有平坦化绝缘层的LED芯片及其制作方法
本发明提供了一种具有平坦化绝缘层的LED芯片及其制作方法，通过在制作金属接触层之前，在所述P型半导体层背离所述衬底的一侧形成平坦化绝缘层，所述平坦化绝缘层上具有第二凹槽结构，用于暴露出所述P型半导体层；之后，通过所述第二...
黄瑄刘英策邬新根刘伟周弘毅
文献传递
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