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意法半导体(胡希)公司

作品数:13 被引量:0H指数:0
相关机构:质子世界国际公司更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 13篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 8篇电路
  • 3篇信号
  • 3篇振荡电路
  • 3篇集成电路
  • 2篇电路芯片
  • 2篇电子电路
  • 2篇氧化物半导体
  • 2篇填充率
  • 2篇透镜
  • 2篇透镜阵列
  • 2篇终端
  • 2篇主设备
  • 2篇子电路
  • 2篇微透镜
  • 2篇微透镜阵列
  • 2篇芯片
  • 2篇金属氧化物半...
  • 2篇互补型金属氧...
  • 2篇集成电路芯片
  • 2篇感光

机构

  • 13篇意法半导体(...
  • 1篇质子世界国际...

年份

  • 1篇2013
  • 4篇2011
  • 4篇2010
  • 3篇2009
  • 1篇2008
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
在终端范围内检测无线通信元件是否存在的方法和电路
一种通过终端辐射电磁场检测无线通信元件存在的方法,其中终端的振荡电路在振荡电路的额定调谐频率附近的两个值之间的可变频率上被激励;代表振荡电路负载的信号被解析为检测到未超过参考电压,表示场内存在无线通信元件。
亚历山大·查尔斯热罗姆·康劳克斯亚历山大·马勒布亚历山大·特拉莫尼
文献传递
用于检测集成电路上的攻击的设备
本发明提供一种用于检测集成电路上的攻击的设备,包括侵入式攻击检测设备的集成电路。该设备包括由导电材料形成并由绝缘材料包围的单个部件,并包括至少一个蚀刻的或压缩的伸长的导电轨道,其中该导电轨道连接至移动元件,该设备还包括至...
帕斯卡·弗纳拉克里斯蒂安·里弗罗
文献传递
保护集成电路芯片免受激光攻击的方法
一种保护集成电路芯片免受激光攻击的方法,该芯片形成在半导体衬底的内部与顶部上,且在衬底上部中包含形成组件的有源部分,该方法包括的步骤为:在衬底中制成一延伸于有源部分下方的吸杂区域,该区域的上限在距衬底的上表面范围在5微米...
帕斯卡·弗纳拉法布莱斯·马里内特
包含高填充率的微透镜阵列的互补型金属氧化物半导体成像器
本发明涉及一种互补型金属氧化物半导体成像器,包含感光点阵列和微透镜阵列,其中微透镜阵列包含第一类微透镜(L1)和第二类微透镜(L2),第一类微透镜(L1)用具有第一半径(R1)的第一圆形模板制成,第二类微透镜(L2)用具...
布瑞得·唐纳卡若琳·佛沙提奥立维亚·贾格利安诺
文献传递
电子电路的活动性监测
用于监测数字信号的方法和设备,其中,在被监视的信号处于第一状态期间,将第一P-通道MOS晶体管置于负偏置温度不稳定性型的退化状态;当所述被监视的信号切换到第二状态时,测量代表第一晶体管的饱和电流的第一数值;以及当该第一数...
西尔维·维达尔
文献传递
用于检测芯片温度变化的器件
一种用来检测集成电路芯片衬底温度变化的器件,其包括,在衬底中用注入电阻连接成的惠特斯通桥,其中该桥中两个第一相对的电阻各由与第一方向平行的金属线阵列所覆盖,该第一方向定义为,衬底应力沿此方向的变化会导致桥中不平衡值的变化...
克里斯蒂安·里弗罗
用于RSA算法的素数生成的保护
本发明涉及一种用于RSA算法的素数生成的保护。一种由电子电路通过对连续候选数字的素数特征进行测试,以对至少一个素数的生成进行保护的方法,包括:对于每个候选数字:进行包括至少一个第一随机数的参考数字计算;基于模幂计算的至少...
琼·德门弗兰克·库佩斯吉勒斯·范艾思皮埃尔-伊万·利阿德特
文献传递
包含高填充率的微透镜阵列的互补型金属氧化物半导体成像器
本发明涉及一种互补型金属氧化物半导体成像器,包含感光点阵列和微透镜阵列,其中微透镜阵列包含第一类微透镜(L1)和第二类微透镜(L2),第一类微透镜(L1)用具有第一半径(R1)的第一圆形模板制成,第二类微透镜(L2)用具...
布瑞得·唐纳卡若琳·佛沙提奥立维亚·贾格利安诺
文献传递
在单股总线上的多通道传输
本发明涉及一种用于在主设备和至少一个从设备之间的单股总线上至少传输同步信号和数据信号(S)的方法,其中,从所述主设备到所述从设备的第一传输通道(C1)对相对于参考电压的同一符号电压的周期性脉冲的宽度进行调制,该周期性脉冲...
弗朗索瓦·泰利特
文献传递
在单线通信协议中检测由主设备接收的数据
一种由能够经由单线连接向第二设备传送双态信号的第一设备来确定由第二设备经由所述连接传送的数据的二元状态的方法,其中所述状态根据所述双态信号的上升沿的斜坡来确定。
亚历山大·查尔斯热罗姆·康劳克斯亚历山大·马勒布亚历山大·特拉莫尼
文献传递
共2页<12>
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