有研资源环境技术研究院(北京)有限公司
- 作品数：268 被引量：92H指数：5
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- 相关领域：冶金工程环境科学与工程化学工程轻工技术与工程更多>>
- 一种中子吸收用钆锆合金带及制备方法
- 本发明提供一种中子吸收用钆锆合金带及制备方法，属于中子吸收材料技术领域，制备方法包括：将高纯钆和高纯锆置于真空熔炼甩带炉的熔炼室并抽真空，再将熔炼室温度升高至1350‑1450℃进行合金熔炼，得到Gd‑Zr合金液；将Gd...
- 黄永章吴刚康强向宇贺子龙石晓涛闫国庆桂涛边爱薇
- 一种薄膜太阳能电池用合金靶材及其制备方法
- 本发明提供一种薄膜太阳能电池用合金靶材及其制备方法，制备方法包括：钼酸钠粉体或钼酸钾粉体在300‑400℃下进行煅烧预处理，获得预处理粉体；将高纯Mo粉体与预处理粉体混合均匀后，装入石墨模具中进行冷压，获得成型坯体；成型...
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- 热压工艺对硅掺杂碳复合靶材的性能影响研究
- 2022年
- 以碳粉、碳化硅粉体为原料,添加不同含量的硅粉为烧结助剂,在不同的热压工艺参数下制备C/Si 80%/20%(原子分数)复合靶材,通过扫描电镜(SEM)分析微观形貌、四探针测试电阻率、X射线衍射(XRD)分析晶体结构、压汞法测试气孔分布,分析Si粉的添加量、液相保温时间、原料预处理工艺对靶材致密化和均匀性的影响,优化硅碳复合(C/Si 80%/20%)靶材的热压烧结工艺。结果如下:(1)随着Si粉添加量增加,体系中液相含量增加,扩散传质速率加快,硅碳化合反应生成3C-SiC,体系中的Si元素全部以3C-SiC的形式存在,靶材的致密度逐渐增加,Si粉添加量为14%时,靶材的密度达到2.51 g·cm^(-3);开孔孔径分布随Si粉添加量的增加而逐渐减小至20 nm以下;靶材电阻率随Si粉添加量的增加而逐渐降低,Si粉添加量为14%时,电阻率降低50%。(2)在1350~1450℃,随着液相保温时间的增加,硅元素挥发并逸出,产生反致密化的现象,Si含量越高,反致密化越明显,密度降低至2.2 g·cm^(-3)。(3)采用SiC/C/Si 6%/74%/14%组分体系,C/Si预球磨48 h后再添加纳米SiC粉体继续球磨2 h制备复合原料粉体,在1980℃,70 MPa下,液相保温时间为1 h 15 min所制备靶材致密度达到2.51 g·cm^(-3),组织结构均匀,形貌呈层片状生长,无闭合气孔,电阻率最低为2.06×10^(-3)Ω·cm。
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- 关键词：硅粉液相烧结靶材热压
- 低温耐氟浸矿菌及其用于含氟铀矿的生物浸出工艺
- 本发明公开了一种低温耐氟浸矿菌及其应用于铀矿生物浸出的工艺，该低耐氟浸矿菌名称为亚铁氧化酸硫杆状菌(Acidithiobacillus ferrooxidans)Retech KF‑Ⅳ。该菌种能适应较低温度(15℃)、含...
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- 文献传递
- 一种综合回收针铁矿渣中有价金属的方法
- 本发明提供一种综合回收针铁矿渣中有价金属的方法，包括以下步骤：将针铁矿渣磨细，并按针铁矿渣：含氯盐：碳粉＝1：0.05～1.0：0.05～1.0的质量比进行配料；将配料混合均匀后进行球团，球团直径为10‑20mm；在50...
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- 一种碳硅陶瓷靶材的制备方法
- 本发明公开了一种碳硅陶瓷靶材的制备方法。该制备方法包括以下步骤：(1)根据要制备的靶材的碳硅比，称量石墨粉体、单质硅粉体、SiC粉体，其中单质硅粉体占三者总量的5at％‑15at％；(2)将石墨粉体与单质硅粉体采用卧轴球...
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- 文献传递
- 一种镀膜用氧化铈颗粒的制备方法
- 本发明公开了一种镀膜用氧化铈颗粒的制备方法，包括以下步骤：(1)以高纯氧化铈粉体为原料，向其中添加去离子水并进行造粒处理，得到结合紧密的氧化铈片状物；(2)将得到的片状物研磨破碎，并筛分出＜0.1mm的预处理粉体；(3)...
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- 文献传递
- 一种垂直式铝电解槽用磁屏蔽槽壳的涂层材料及该磁屏蔽槽壳的制备方法
- 本发明涉及一种垂直式铝电解槽用磁屏蔽槽壳的涂层材料及磁屏蔽槽壳的制备方法。该制备方法为：首先对普通钢制槽壳表面进行预处理，然后采用表面喷涂涂层的方法，在钢制槽壳表面喷涂磁屏蔽涂层材料，最后对其进行热处理，使其具有磁屏蔽、...
- 梁玉冬王力军马朝辉
- 文献传递
- 锑矿区污染土壤梯度阻隔拦截技术指南
- 一种高中子吸收率钆铌合金带及制备方法和应用
- 本发明提供一种高中子吸收率钆铌合金带及制备方法和应用，属于中子准直谱仪技术领域，所述钆铌合金带由高纯钆和高纯铌组成，其中，所述高纯钆的质量占比为50%～90%。本发明通过成分设计与熔炼、锻造、热轧、冷轧、去应力退火等制备...
- 黄永章吴刚康强贺子龙石晓涛闫国庆桂涛边爱薇
