您的位置： 专家智库 > >

上海晶盟硅材料有限公司

作品数：100 被引量：0H指数：0
相关机构：有研新材料股份有限公司新疆新特新能材料检测中心有限公司上海新傲科技股份有限公司更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信化学工程语言文字更多>>

合作机构

文献类型

  • 95篇专利
  • 5篇标准

领域

  • 6篇自动化与计算...
  • 4篇化学工程
  • 4篇电子电信
  • 3篇电气工程
  • 3篇语言文字
  • 2篇石油与天然气...
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇文化科学
  • 1篇经济管理
  • 1篇天文地球
  • 1篇建筑科学
  • 1篇水利工程
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 50篇外延片
  • 33篇外延层
  • 18篇电阻率
  • 17篇衬底
  • 12篇单晶
  • 12篇硅片
  • 11篇多晶
  • 11篇晶圆
  • 10篇均匀性
  • 10篇半导体
  • 9篇半导体器件
  • 8篇单晶硅
  • 8篇晶片
  • 7篇电阻
  • 7篇功率器件
  • 7篇掺杂
  • 6篇气口
  • 6篇自掺杂
  • 6篇外延炉
  • 5篇腔体

机构

  • 100篇上海晶盟硅材...
  • 2篇有研新材料股...
  • 1篇有色金属技术...
  • 1篇上海亿钶气体...
  • 1篇新疆大全新能...
  • 1篇宜昌南玻硅材...
  • 1篇唐山三孚电子...
  • 1篇有研半导体材...
  • 1篇上海新昇半导...
  • 1篇昊华气体有限...
  • 1篇沁阳国顺硅源...
  • 1篇武汉新硅科技...
  • 1篇上海申和热磁...
  • 1篇江西晨光新材...
  • 1篇陕西有色天宏...
  • 1篇上海新傲科技...
  • 1篇新疆新特新能...

年份

  • 3篇2024
  • 13篇2023
  • 11篇2022
  • 6篇2021
  • 3篇2020
  • 4篇2019
  • 5篇2018
  • 13篇2017
  • 4篇2016
  • 7篇2015
  • 9篇2014
  • 4篇2013
  • 11篇2012
  • 6篇2011
  • 1篇2010
共 100 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
外延片、外延片制备方法以及半导体器件
本发明公开了一种外延片，其特征在于，包括衬底和外延层；所述衬底和所述外延层的掺杂类型不同；所述衬底为P型掺杂，所述外延层为N型掺杂；或者，所述衬底为N型掺杂，所述外延层为P型掺杂。本发明的外延片，曲翘度满足后道器件的生产...
高璇
文献传递
超重掺红磷衬底的外延制造方法以及装置
本发明实施例公开了一种超重掺红磷衬底的外延制造方法以及装置，涉及芯片制造技术领域，所述方法包括：获取超重掺红磷衬底，以及获取多个预设本征参数和多个预设刻蚀参数；依次基于每个预设本征参数对所述超重掺红磷衬底执行本征处理，获...
顾广安吴勇陈建纲朱小波
高压功率器件用极厚外延片
本实用新型公开了一种高压功率器件用极厚外延片，包括衬底和外延层，其特征在于，所述衬底为6寸以上，所述外延层厚度为100μm以上。本实用新型可以有效的解决在大量的工业连续生产过程中大尺寸极厚外延在外延后晶片碎裂、边缘压痕、...
王浩邹崇生
文献传递
外延掺杂气体的稀释装置
本实用新型涉及一种外延掺杂气体的稀释装置，包括用于通过掺杂气体的第一管路，第一管路上设置有浓度检测机构和第一流量控制机构，以及控制器，与浓度检测机构和第一流量控制机构信号连接。本实用新型的稀释装置提供的经稀释的掺杂气体具...
顾广安陈建纲王俊杰
文献传递
一种外延炉压力开关的校验装置
本实用新型涉及外延炉加工技术领域，具体地说是一种外延炉压力开关的校验装置。一种外延炉压力开关的校验装置，包括压力开关，其特征在于：所述的压力开关一侧的管道上设有接头一，接头一一端连接接头二一端，接头二另一端连接调压阀的出...
张文池志才顾广安
外延片、其生产方法及超结功率器件
本发明公开了一种外延片，包括衬底和第一外延层，其特征在于，所述的第一外延层电阻率呈同心圆状分布。本发明中的外延片，电阻率呈同心圆状分布。在沟槽蚀刻并填充外延材料后，电荷分布均匀，不会产生电性失效的问题。使用本发明中的外延...
林志鑫钟旻远姚桢
文献传递
HF-HCL混合药液的浓度监控方法、装置、设备以及存储介质
本公开的实施例提供了一种HF‑HCL混合药液的浓度监控方法、装置、设备以及存储介质，应用于半导体技术领域。该方法包括：获取晶圆进入HF‑HCL混合药液之前的第一膜厚度，以及晶圆离开HF‑HCL混合药液之后的第二膜厚度；根...
王康锋张晓艳吴勇顾广安
一种减少液体滴落的晶片夹取装置
本实用新型涉及晶片加工技术领域，具体地说是一种减少液体滴落的晶片夹取装置。一种减少液体滴落的晶片夹取装置，包括片盒，所述的片盒中部设有供承载台穿过的通孔，承载台下端连接升降机构，承载台上侧设有夹爪，位于片盒上部的左右两端...
王康锋张晓艳吴勇顾广安
改善背面硅单晶的外延片的制备方法、外延片和半导体器件
本发明公开了一种改善背面硅单晶的外延片的制备方法、外延片和半导体器件，方法为外延层生长前，首先在承载盘表面覆盖一层多晶硅，该层多晶硅将外延片背面边缘与承载盘之间的间隙密封起来，使外延层生长时氢气无法进入外延片背面边缘，从...
高璇陈建纲
文献传递
外延片用衬底、外延片及半导体器件
本发明公开了一种外延片用衬底，包括衬底本体，其特征在于，所述衬底本体背面设置有二氧化硅层，在二氧化硅层表面设置有多晶硅层。本发明的优点是能够降低单晶硅颗粒数量及表面金属浓度，能够提高外延片的成品率。使用设置二氧化硅层背封...
顾昱钟旻远林志鑫陈斌
文献传递
全选 清除 导出
共10页<12345678910>
聚类工具0