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东莞市中镓半导体科技有限公司

作品数：312 被引量：6H指数：1
相关机构：北京大学中国电子技术标准化研究院中山大学更多>>
发文基金：广东省自然科学基金电子信息产业发展基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺文化科学经济管理更多>>

合作机构

文献类型

  • 288篇专利
  • 13篇标准
  • 5篇期刊文章
  • 5篇会议论文

领域

  • 43篇电子电信
  • 15篇金属学及工艺
  • 8篇文化科学
  • 6篇经济管理
  • 5篇自动化与计算...
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇化学工程
  • 2篇石油与天然气...
  • 1篇电气工程
  • 1篇建筑科学
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇农业科学
  • 1篇社会学

主题

  • 83篇衬底
  • 43篇气相外延
  • 41篇激光
  • 38篇半导体
  • 36篇氮化镓
  • 32篇蓝宝
  • 30篇蓝宝石
  • 30篇复合衬底
  • 29篇晶格
  • 27篇晶体
  • 23篇氮化物
  • 22篇金属
  • 22篇激光剥离
  • 21篇晶片
  • 21篇化物
  • 21篇GAN
  • 21篇超晶格
  • 19篇氢化物气相外...
  • 18篇前驱物
  • 16篇单晶

机构

  • 311篇东莞市中镓半...
  • 67篇北京大学
  • 6篇中国电子技术...
  • 4篇中山大学
  • 4篇有色金属技术...
  • 3篇北京京仪自动...
  • 3篇中微半导体设...
  • 3篇工业和信息化...
  • 2篇北京七星华创...
  • 2篇北京北方华创...
  • 2篇上海蓝光科技...
  • 1篇清华大学
  • 1篇中国计量科学...
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院上...
  • 1篇中国科学院新...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国标准化研...
  • 1篇质量检验中心
  • 1篇青岛海信电器...

作者

  • 28篇刘鹏
  • 4篇魏武
  • 4篇张国义
  • 2篇贾传宇
  • 2篇魏伟
  • 2篇刘扬
  • 1篇丁晓民
  • 1篇马农农
  • 1篇赵英
  • 1篇童玉珍
  • 1篇张俊业
  • 1篇魏伟
  • 1篇付星星

传媒

  • 2篇第十三届全国...
  • 1篇照明工程学报
  • 1篇信息技术与标...
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇财讯
  • 1篇经济与社会发...

年份

  • 2篇2024
  • 22篇2023
  • 22篇2022
  • 11篇2021
  • 12篇2020
  • 20篇2019
  • 36篇2018
  • 29篇2017
  • 53篇2016
  • 25篇2015
  • 16篇2014
  • 27篇2013
  • 21篇2012
  • 10篇2011
  • 3篇2010
  • 2篇2009
共 312 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种阵列化图形转移的GaN基复合衬底
本实用新型涉及一种阵列化图形转移的GaN基复合衬底，包括导热导电转移衬底、位于该衬底上的导热导电键合介质层、及其上阵列化分布的GaN基外延薄膜。其中，GaN基外延薄膜是用激光刻划成阵列化小尺寸薄膜后，通过介质键合和衬底剥...
汪青孙永健罗睿宏
文献传递
垂直型GaN基同质外延结构及其制备方法
本发明提供一种垂直型GaN基同质外延结构及其制备方法，包括：第一载流子浓度的n型GaN自支撑衬底；第二载流子浓度的n+型GaN缓冲层，位于n型GaN自支撑衬底上；第三载流子浓度的n‑型GaN漂移层，位于n+型GaN缓冲层...
王瑞庄文荣孙明颜建峰敖辉
单晶自支撑衬底的制作方法
本发明提供一种单晶自支撑衬底的制作方法，包括：1)提供一衬底；2)在衬底上生长β‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>缓冲层；3)在不含氢气的氮气气氛下，在缓冲层上生长GaN外延层；4)通入含氢气的气体...
卢敬权何进密
一种采用MOCVD技术制备具有阶梯式量子阱结构近紫外LED的方法
本发明提供一种采用MOCVD技术制备具有阶梯式量子阱结构的高亮度近紫外LED的方法。本发明为其峰值波长范围在395‑410nm高亮度近紫外LED，其外延结构从下向上依次为：图形化蓝宝石衬底、低温GaN成核层、高温非掺杂G...
贾传宇殷淑仪张国义
文献传递
氮化镓器件结构及其制备方法
本发明提供一种氮化镓器件结构及其制备方法，氮化镓器件结构包括：氮化镓衬底，包括相对的第一面和第二面，氮化镓衬底中设置有自第二面朝第一面延伸的多个散热孔；功能层，设置于衬底第一面上；散热金属层，包括填充于散热孔内的多个导热...
卢敬权殷淑仪邓广柱叶幸娟
一种激光辅助III-V族晶体生长装置及方法
本发明公开了一种激光辅助III‑V族晶体生长装置，包括：反应釜，反应釜内填充的反应物溶液，浸没在其中的晶种模板，激光发射、接收装置，激光入射、出射窗口。同时公开了一种激光辅助III‑V族晶体生长方法：将晶种模板设置于反应...
巫永鹏罗睿宏陈蛟张国义
文献传递
一种多孔薄膜的制作方法及多孔薄膜
本发明公开了一种多孔薄膜的制作方法及多孔薄膜，多孔薄膜的制作方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上制作堆叠层，所述堆叠层由至少一组位错产生层和多孔目标层交错叠合而成，所述位错产生层中具有贯穿型位错；在所述堆叠层上形成第一本...
庄文荣卢敬权
一种在硅衬底上制备高电子迁移率场效应晶体管的方法
一种在硅衬底上制备高电子迁移率场效应晶体管的方法，在Si衬底上生长AlN成核层、固定Al组分的Al<Sub>y</Sub>Ga<Sub>1‑y</Sub>N应力释放层和GaN外延层，采用低压化学气相沉积法，铺设第一组碳纳...
贾传宇殷淑仪张国义
文献传递
一种无损伤的GaN衬底激光剥离方法
本发明提出一种无损伤的GaN衬底激光剥离方法，通过在蓝宝石外延的晶体材料中预生长一层激光阻挡层，该激光阻挡层包含超晶格结构或者量子阱结构，能够对逸出的高能量激光进行分布式布拉格反射或者光吸收，从而高能量激光不能进入到Ga...
刘南柳陈蛟熊欢张国义
文献传递
一种用于生长外延片的复合衬底及其制备方法
本发明公开了一种用于生长外延片的复合衬底及其制备方法，包括硅衬底和制备在该硅衬底上的氮化铝层，利用波长小于或者等于250nm的激光在氮化铝层上按照预设路径加工若干个几何图形形成图形化氮化铝层，该图形化氮化铝层为单层或者多...
罗睿宏梁智文张国义
文献传递
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